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1. 发明专利

TWI389125B 記憶體儲存裝置及其控制方法有权
简体标题：内存存储设备及其控制方法
公开(公告)号：TWI389125B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW097127299
申请日：2008-07-18
申请人：威剛科技股份有限公司 , A-DATA TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：張立平 , CHANG, LI PIN , 陳明達 , CHEN, MING DAR , 黃千庭 , HUANG, CHIEN TING
IPC分类号： G11C16/16
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7211

2. 发明专利

TWI375887B 具平均抹除機制之快閃記憶體裝置及其控制方法 FLASH MEMORY DEVICE WITH WEAR-LEVELING MECHANISM AND CONTROLLING METHOD THEREOF 有权
简体标题：具平均抹除机制之闪存设备及其控制方法 FLASH MEMORY DEVICE WITH WEAR-LEVELING MECHANISM AND CONTROLLING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI375887B
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW097141954
申请日：2008-10-31
申请人：威剛科技股份有限公司
发明人：張立平 , 陳明達 , 黃千庭
IPC分类号： G06F , G11C
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7211
摘要：一種具平均抹除機制之快閃記憶體裝置，包括：至少一快閃記憶體、一熱門清單、一位元對應表、一來源指標及一控制單元。其中，控制單元是透過熱門清單、一實體記憶區塊的抹除次數及快閃記憶體裝置的一整體平均抹除次數來取得一抹除次數較高的實體記憶區塊，並且再透過位元對應表及來源指標的管理，以正確地追蹤出儲存冷門資料的實體記憶區塊。然後控制單元再將冷門資料搬移至抹除次數較高的實體記憶區塊中，藉此釋放冷門資料所占用的實體記憶區塊，以防止抹除次數高的實體記憶區塊繼續磨損，而達到快閃記憶體平均抹除的目的。
简体摘要：一种具平均抹除机制之闪存设备，包括：至少一闪存、一热门清单、一比特对应表、一来源指针及一控制单元。其中，控制单元是透过热门清单、一实体记忆区块的抹除次数及闪存设备的一整体平均抹除次数来取得一抹除次数较高的实体记忆区块，并且再透过比特对应表及来源指针的管理，以正确地追踪出存储冷门数据的实体记忆区块。然后控制单元再将冷门数据搬移至抹除次数较高的实体记忆区块中，借此释放冷门数据所占用的实体记忆区块，以防止抹除次数高的实体记忆区块继续磨损，而达到闪存平均抹除的目的。

3. 发明专利

TW201017406A 具平均抹除機制之快閃記憶體裝置及其控制方法 FLASH MEMORY DEVICE WITH WEAR-LEVELING MECHANISM AND CONTROLLING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：具平均抹除机制之闪存设备及其控制方法 FLASH MEMORY DEVICE WITH WEAR-LEVELING MECHANISM AND CONTROLLING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201017406A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW097141954
申请日：2008-10-31
申请人：威剛科技股份有限公司
发明人：張立平 , 陳明達 , 黃千庭
IPC分类号： G06F , G11C
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7211
摘要：一種具平均抹除機制之快閃記憶體裝置，包括：至少一快閃記憶體、一熱門清單、一位元對應表、一來源指標及一控制單元。其中，控制單元是透過熱門清單、一實體記憶區塊的抹除次數及快閃記憶體裝置的一整體平均抹除次數來取得一抹除次數較高的實體記憶區塊，並且再透過位元對應表及來源指標的管理，以正確地追蹤出儲存冷門資料的實體記憶區塊。然後控制單元再將冷門資料搬移至抹除次數較高的實體記憶區塊中，藉此釋放冷門資料所占用的實體記憶區塊，以防止抹除次數高的實體記憶區塊繼續磨損，而達到快閃記憶體平均抹除的目的。
简体摘要：一种具平均抹除机制之闪存设备，包括：至少一闪存、一热门清单、一比特对应表、一来源指针及一控制单元。其中，控制单元是透过热门清单、一实体记忆区块的抹除次数及闪存设备的一整体平均抹除次数来取得一抹除次数较高的实体记忆区块，并且再透过比特对应表及来源指针的管理，以正确地追踪出存储冷门数据的实体记忆区块。然后控制单元再将冷门数据搬移至抹除次数较高的实体记忆区块中，借此释放冷门数据所占用的实体记忆区块，以防止抹除次数高的实体记忆区块继续磨损，而达到闪存平均抹除的目的。

4. 发明专利

TW200951983A 具資料修正功能之快閃記憶體儲存裝置 FLASH STORAGE DEVICE WITH DATA CORRECTION FUNCTION 审中-公开
简体标题：具数据修正功能之闪存存储设备 FLASH STORAGE DEVICE WITH DATA CORRECTION FUNCTION
公开(公告)号：TW200951983A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW097120721
申请日：2008-06-04
申请人：威剛科技股份有限公司
发明人：陳明達 , 林傳生 , 謝祥安
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G06F11/1068 , G11C2029/0411
摘要：一種快閃記憶體控制器，係在對一快閃記憶體執行一複製回存程序時，進行資料修正功能，快閃記憶體具有至少一記憶單元及一記憶頁緩衝區，而快閃記憶體控制器包括：一傳輸緩衝區、一錯誤修正單元、一修正資訊暫存器及一微處理單元。微處理單元係在對快閃記憶體產生一複製記憶頁之讀取指令後，讀取記憶頁緩衝區的資料而暫存至傳輸緩衝區，進而控制錯誤修正單元檢測及修正傳輸緩衝區的資料以產生一檢測結果。最後依據檢測結果中的一資料錯誤數量來產生相異的一燒錄指令，以將修正後之資料燒錄至記憶單元。以達到改善可靠度及存取效率的目的。
简体摘要：一种闪存控制器，系在对一闪存运行一复制回存进程时，进行数据修正功能，闪存具有至少一记忆单元及一记忆页缓冲区，而闪存控制器包括：一传输缓冲区、一错误修正单元、一修正信息寄存器及一微处理单元。微处理单元系在对闪存产生一复制记忆页之读取指令后，读取记忆页缓冲区的数据而暂存至传输缓冲区，进而控制错误修正单元检测及修正传输缓冲区的数据以产生一检测结果。最后依据检测结果中的一数据错误数量来产生相异的一刻录指令，以将修正后之数据刻录至记忆单元。以达到改善可靠度及存取效率的目的。

5. 发明专利

TWI578330B 具有溫度控制功能之固態半導體儲存裝置及其控制方法有权
简体标题：具有温度控制功能之固态半导体存储设备及其控制方法
公开(公告)号：TWI578330B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW096137875
申请日：2007-10-09
申请人：威剛科技股份有限公司 , A-DATA TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳明達 , 林傳生 , 張惠能 , 謝祥安
IPC分类号： G11C7/04
CPC分类号： G11C7/04

6. 发明专利

TWI473100B 快閃記憶體系統及其運作方法有权
简体标题：闪存系统及其运作方法
公开(公告)号：TWI473100B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW097134038
申请日：2008-09-05
申请人：威剛科技股份有限公司 , A-DATA TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳明達 , 林傳生
IPC分类号： G11C16/14
CPC分类号： G06F12/0866 , G06F12/0855 , G06F12/0868 , G06F2212/214 , G06F2212/7201

7. 发明专利

TWI472916B 記憶體儲存空間管理方法有权
简体标题：内存存储空间管理方法
公开(公告)号：TWI472916B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW097120405
申请日：2008-06-02
申请人：威剛科技股份有限公司 , A-DATA TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳明達 , 謝祥安
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G06F12/023

8. 发明专利

TWI397071B 記憶體儲存裝置及其控制方法有权
简体标题：内存存储设备及其控制方法
公开(公告)号：TWI397071B
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：TW097151552
申请日：2008-12-31
申请人：威剛科技股份有限公司 , A-DATA TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：張立平 , CHANG, LI PIN , 陳明達 , CHEN, MING DAR
IPC分类号： G11C16/02 , G06F12/02
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7202 , G11C11/5621 , G11C11/5671 , G11C2211/5641

9. 发明专利

TW201101317A 非揮發性儲存裝置及其控制方法 NONVOLATILE STORAGE DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：非挥发性存储设备及其控制方法 NONVOLATILE STORAGE DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201101317A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW098120181
申请日：2009-06-17
申请人：威剛科技股份有限公司
发明人：陳明達 , 林傳生
IPC分类号： G11C
摘要：一種非揮發性儲存裝置及其控制方法。非揮發性儲存裝置包含快閃記憶體和控制單元。控制單元內設有錯誤修正單元,錯誤修正單元可根據控制單元所接收的使用者資料產生第一修正碼和第二修正碼,並由控制單元分別儲存使用者資料、第一修正碼和第二修正碼於快閃記憶體的記憶區段內。其中,第一修正碼用於檢測使用者資料是否含有錯誤位元,第二修正碼用於檢測及修正使用者資料的錯誤位元。若第一修正碼檢測出使用者資料不含錯誤位元,控制單元則直接輸出使用者資料,從而加快使用者資料在非揮發性儲存裝置的讀取速度。
简体摘要：一种非挥发性存储设备及其控制方法。非挥发性存储设备包含闪存和控制单元。控制单元内设有错误修正单元,错误修正单元可根据控制单元所接收的用户数据产生第一修正码和第二修正码,并由控制单元分别存储用户数据、第一修正码和第二修正码于闪存的记忆区段内。其中,第一修正码用于检测用户数据是否含有错误比特,第二修正码用于检测及修正用户数据的错误比特。若第一修正码检测出用户数据不含错误比特,控制单元则直接输出用户数据,从而加快用户数据在非挥发性存储设备的读取速度。

10. 发明专利

TW201005746A 記憶體儲存裝置及其控制方法 MEMORY STORAGE DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：内存存储设备及其控制方法 MEMORY STORAGE DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201005746A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW097127299
申请日：2008-07-18
申请人：威剛科技股份有限公司
发明人：張立平 , 陳明達 , 黃千庭
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7211
摘要：一種記憶體儲存裝置之控制方法，其適用於一主機寫入一更新資料至該記憶體儲存裝置中，其中記憶體儲存裝置提供複數個實體區塊之儲存空間來存取該更新資料。所述之控制方法之步驟係為首先，判斷欲寫入的更新資料是否為熱門資料；最後，根據判斷結果將非屬熱門資料的較少更新之資料搬至抹除次數較高的實體區塊中。
简体摘要：一种内存存储设备之控制方法，其适用于一主机写入一更新数据至该内存存储设备中，其中内存存储设备提供复数个实体区块之存储空间来存取该更新数据。所述之控制方法之步骤系为首先，判断欲写入的更新数据是否为热门数据；最后，根据判断结果将非属热门数据的较少更新之数据搬至抹除次数较高的实体区块中。

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