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1. 发明专利

TW200524040A Low-k膜用之蝕刻液及蝕刻方法审中-公开
简体标题： Low-k膜用之蚀刻液及蚀刻方法
公开(公告)号：TW200524040A
公开(公告)日：2005-07-16
申请号：TW093134135
申请日：2004-11-09
申请人：大金工業股份有限公司 DAIKIN INDUSTRIES, LTD.
发明人：毛塚健彥 KEZUKA, TAKEHIKO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31111 , H01L21/31133
摘要：本發明係有關，含有(1)HF及／或其鹽、(2)H2SO4及因應需要進而含有(3)水之low–k膜用之蝕刻液。
简体摘要：本发明系有关，含有(1)HF及／或其盐、(2)H2SO4及因应需要进而含有(3)水之low–k膜用之蚀刻液。

2. 发明专利

TW200424290A 蝕刻用或清洗用溶液的製造方法失效
简体标题：蚀刻用或清洗用溶液的制造方法
公开(公告)号：TW200424290A
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：TW093106730
申请日：2004-03-12
申请人：大金工業股份有限公司 DAIKIN INDUSTRIES, LTD.
发明人：陶山誠 SUYAMA, MAKOTO , 毛塚健彥 KEZUKA, TAKEHIKO , 板野充司 ITANO, MITSUSHI
IPC分类号： C09K , C11D , H01L
CPC分类号： C11D7/10 , C11D7/06 , C11D7/08 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , H01L21/02052
摘要：本發明係關於一種蝕刻用或清洗用溶液的製造方法，其特徵為含有(1)至少一種選自由至少一種選自氨、羥基胺類、脂肪族胺類、芳香族胺類、脂肪族或芳香族第4級銨鹽所成群者與氫氟酸所形成之氟化物鹽及氟化氫化合物鹽；(2)至少1種具有雜原子的有機溶劑；以及(3)水者，且包含步驟1：混合氫氟酸水溶液與至少1種具有雜原子的有機溶劑、及步驟2：混合由步驟1所得之混合物、與至少1種選自氨、羥基胺類、脂肪族胺類、芳香族胺類、脂肪族或芳香族第4級銨鹽所成群者或其氟化物鹽之方法。
简体摘要：本发明系关于一种蚀刻用或清洗用溶液的制造方法，其特征为含有(1)至少一种选自由至少一种选自氨、羟基胺类、脂肪族胺类、芳香族胺类、脂肪族或芳香族第4级铵盐所成群者与氢氟酸所形成之氟化物盐及氟化氢化合物盐；(2)至少1种具有杂原子的有机溶剂；以及(3)水者，且包含步骤1：混合氢氟酸水溶液与至少1种具有杂原子的有机溶剂、及步骤2：混合由步骤1所得之混合物、与至少1种选自氨、羟基胺类、脂肪族胺类、芳香族胺类、脂肪族或芳香族第4级铵盐所成群者或其氟化物盐之方法。

3. 发明专利

TW200504202A 含矽之反射防止膜及埋填材料之去除液與去除方法审中-公开
简体标题：含硅之反射防止膜及埋填材料之去除液与去除方法
公开(公告)号：TW200504202A
公开(公告)日：2005-02-01
申请号：TW093116714
申请日：2004-06-10
申请人：大金工業股份有限公司 DAIKIN INDUSTRIES, LTD.
发明人：中村新吾 NAKAMURA, SHINGO , 毛塚健彥 KEZUKA, TAKEHIKO , 上谷文宏 KAMIYA, FUMIHIRO , 金村崇 KANEMURA, TAKASHI , 板野充司 ITANO, MITSUSHI
IPC分类号： C11D , H01L
CPC分类号： G03F7/423 , C11D7/08 , C11D7/265 , C11D7/5022 , H01L21/31111 , H01L21/32134
摘要：本發明提供，含有至少一種選自有機酸及有機溶媒所成群者以及氫氟酸(HF)，用於除去含矽反射防止膜及埋填材料之去除液；及使用此等的反射防止膜及／或埋填材料之去除方法。
简体摘要：本发明提供，含有至少一种选自有机酸及有机溶媒所成群者以及氢氟酸(HF)，用于除去含硅反射防止膜及埋填材料之去除液；及使用此等的反射防止膜及／或埋填材料之去除方法。

4. 发明专利

TW200411326A 剝離液审中-公开
简体标题：剥离液
公开(公告)号：TW200411326A
公开(公告)日：2004-07-01
申请号：TW092123211
申请日：2003-08-22
申请人：大金工業股份有限公司 DAIKIN INDUSTRIES, LTD.
发明人：板野充司 ITANO, MITSUSHI , 金村崇 KANEMURA, TAKASHI , 中村新吾 NAKAMURA, SHINGO , 上谷文宏 KAMIYA, FUMIHIRO , 毛塚健彥 KEZUKA, TAKEHIKO
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： H01L21/02063 , C11D7/08 , C11D7/24 , C11D7/263 , C11D7/264 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/32 , C11D7/3263 , C11D7/34 , C11D11/0047 , G03F7/42 , G03F7/422 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/426 , G03F7/428 , H01L21/02071 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/76802 , H01L21/76838 , H05K3/26
摘要：本發明係提供含有選自有機酸及有機溶媒所成群中之至少一種及氟化氫(HF)之low–k膜用之光阻剝離液及通路孔或電容器清洗液；及使用這些之光阻剝離方法及通路孔或電容器之清洗方法。
简体摘要：本发明系提供含有选自有机酸及有机溶媒所成群中之至少一种及氟化氢(HF)之low–k膜用之光阻剥离液及通路孔或电容器清洗液；及使用这些之光阻剥离方法及通路孔或电容器之清洗方法。

5. 发明专利

TWI276677B 蝕刻用或清洗用溶液的製造方法 PROCESS FOR PRODUCTION OF ETCHING OR CLEANING FLUIDS 失效
简体标题：蚀刻用或清洗用溶液的制造方法 PROCESS FOR PRODUCTION OF ETCHING OR CLEANING FLUIDS
公开(公告)号：TWI276677B
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：TW093106730
申请日：2004-03-12
申请人：大金工業股份有限公司 DAIKIN INDUSTRIES, LTD.
发明人：陶山誠 SUYAMA, MAKOTO , 毛塚健彥 KEZUKA, TAKEHIKO , 板野充司 ITANO, MITSUSHI
IPC分类号： C09K , C11D , H01L
CPC分类号： C11D7/10 , C11D7/06 , C11D7/08 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , H01L21/02052
摘要：本發明係關於一種蝕刻用或清洗用溶液的製造方法，其特徵為含有(1)至少一種選自由至少一種選自氨、羥基胺類、脂肪族胺類、芳香族胺類、脂肪族或芳香族第4級銨鹽所成群者與氫氟酸所形成之氟化物鹽及氟化氫化合物鹽；(2)至少1種具有雜原子的有機溶劑；以及(3)水者，且包含步驟1：混合氫氟酸水溶液與至少1種具有雜原子的有機溶劑、及步驟2：混合由步驟1所得之混合物、與至少1種選自氨、羥基胺類、脂肪族胺類、芳香族胺類、脂肪族或芳香族第4級銨鹽所成群者或其氟化物鹽之方法。
简体摘要：本发明系关于一种蚀刻用或清洗用溶液的制造方法，其特征为含有(1)至少一种选自由至少一种选自氨、羟基胺类、脂肪族胺类、芳香族胺类、脂肪族或芳香族第4级铵盐所成群者与氢氟酸所形成之氟化物盐及氟化氢化合物盐；(2)至少1种具有杂原子的有机溶剂；以及(3)水者，且包含步骤1：混合氢氟酸水溶液与至少1种具有杂原子的有机溶剂、及步骤2：混合由步骤1所得之混合物、与至少1种选自氨、羟基胺类、脂肪族胺类、芳香族胺类、脂肪族或芳香族第4级铵盐所成群者或其氟化物盐之方法。

6. 发明专利

TW200424289A 蝕刻液,剝離液及蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻液,剥离液及蚀刻方法
公开(公告)号：TW200424289A
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：TW093112252
申请日：2004-04-30
申请人：大金工業股份有限公司 DAIKIN INDUSTRIES, LTD.
发明人：板野充司 ITANO, MITSUSHI , 金村崇 KANEMURA, TAKASHI , 中村新吾 NAKAMURA, SHINGO , 毛塚健彥 KEZUKA, TAKEHIKO , 上谷文宏 KAMIYA, FUMIHIRO
IPC分类号： C09K
CPC分类号： H01L21/31133 , C11D7/265 , C11D11/0047 , G03F7/426 , H01L21/02063
摘要：本發明係關於，含有至少一種之有機酸，用於除去光阻與有機系防反射膜，及／或有機系埋入材料之蝕刻液及剝離液。
简体摘要：本发明系关于，含有至少一种之有机酸，用于除去光阻与有机系防反射膜，及／或有机系埋入材料之蚀刻液及剥离液。

7. 发明专利

TW200908145A 蝕刻液审中-公开
简体标题：蚀刻液
公开(公告)号：TW200908145A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097112860
申请日：2008-04-09
申请人：大金工業股份有限公司 DAIKIN INDUSTRIES, LTD.
发明人：板野充司 ITANO, MITSUSHI , 中村新吾 NAKAMURA, SHINGO , 毛塚健彥 KEZUKA, TAKEHIKO , 渡邊大祐 WATANABE, DAISUKE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C09K13/08 , C09K13/00 , C09K13/06 , C09K15/00 , H01L21/02052 , H01L21/02063 , H01L21/30604 , H01L21/31053 , H01L21/31105 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/32134 , H01L21/76814
摘要：本發明係提供一種最後伴隨藥液的蒸發等之組成變化少、藥液的交換頻率少、且經時性的蝕刻率變化少而可均一地蝕刻氧化矽膜之蝕刻液。具體而言,其係關於含有氟化氫酸(a)、氟化銨(b)、及氟化氫與較氨之沸點高的鹼所成之鹽(c)之蝕刻液,且其中氟化銨(b)之濃度為8.2mol/kg以下,而氟化銨(b)及氟化氫與較氨之沸點高的鹼所成之鹽(c)之合計為9.5mol/kg以上之蝕刻液、其製造方法、以及使用該蝕刻液之蝕刻方法。
简体摘要：本发明系提供一种最后伴随药液的蒸发等之组成变化少、药液的交换频率少、且经时性的蚀刻率变化少而可均一地蚀刻氧化硅膜之蚀刻液。具体而言,其系关于含有氟化氢酸(a)、氟化铵(b)、及氟化氢与较氨之沸点高的碱所成之盐(c)之蚀刻液,且其中氟化铵(b)之浓度为8.2mol/kg以下,而氟化铵(b)及氟化氢与较氨之沸点高的碱所成之盐(c)之合计为9.5mol/kg以上之蚀刻液、其制造方法、以及使用该蚀刻液之蚀刻方法。

8. 发明专利

TWI266969B 剝離液 REMOVING SOLUTION 有权
简体标题：剥离液 REMOVING SOLUTION
公开(公告)号：TWI266969B
公开(公告)日：2006-11-21
申请号：TW092123211
申请日：2003-08-22
申请人：大金工業股份有限公司 DAIKIN INDUSTRIES, LTD.
发明人：板野充司 ITANO, MITSUSHI , 金村崇 KANEMURA, TAKASHI , 中村新吾 NAKAMURA, SHINGO , 上谷文宏 KAMIYA, FUMIHIRO , 毛塚健彥 KEZUKA, TAKEHIKO
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： H01L21/02063 , C11D7/08 , C11D7/24 , C11D7/263 , C11D7/264 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/32 , C11D7/3263 , C11D7/34 , C11D11/0047 , G03F7/42 , G03F7/422 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/426 , G03F7/428 , H01L21/02071 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/76802 , H01L21/76838 , H05K3/26
摘要：本發明係提供含有選自有機酸及有機溶媒所成群中之至少一種及氟化氫(HF)之low-k膜用之光阻剝離液及通路孔或電容器清洗液；及使用這些之光阻剝離方法及通路孔或電容器之清洗方法。
简体摘要：本发明系提供含有选自有机酸及有机溶媒所成群中之至少一种及氟化氢(HF)之low-k膜用之光阻剥离液及通路孔或电容器清洗液；及使用这些之光阻剥离方法及通路孔或电容器之清洗方法。

9. 发明专利

TW200932899A 半導體乾燥過程後之殘渣去除液及使用其之殘渣去除方法审中-公开
简体标题：半导体干燥过程后之残渣去除液及使用其之残渣去除方法
公开(公告)号：TW200932899A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097132214
申请日：2008-08-22
申请人：大金工業股份有限公司 DAIKIN INDUSTRIES, LTD.
发明人：中村新吾 NAKAMURA, SHINGO , 毛塚健彥 KEZUKA, TAKEHIKO
IPC分类号： C11D , H01L
CPC分类号： H01L21/02068 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/02063
摘要：本發明係提供一種含有可防止先前技術無法用聚合物剝離液解決之Cu表面的龜裂及粗糙,同時可防止Cu表面的氧化的表面保護劑之乾燥過程後的殘渣去除液,及使用其之半導體裝置的製造方法。本發明係關於殘渣去除液,其係其係存在於乾蝕刻及/或灰化後的半導體基板的殘渣的去除液;其特徵係含有:(1)含有具有式:=N-NH-所表示的構造之雜五員環芳香族化合物(除了3個N連續者以外)作為基本骨架之化合物,其水溶液(10ppm、23℃)的pH為7以下者,(2)含有具有式:-N=C(SH)-X-(式中,X表示NH、O或S)所表示的構造之雜五員環化合物作為基本骨架之化合物,其水溶液(10ppm、23℃)的pH為7以下者,及(3)含有具有至少1個氮原子(N)的雜六員環芳香族化合物作為基本骨架之化合物,其水溶液(10ppm、23℃)的pH為7以上者所成的群所選出的至少1種的化合物所形成的Cu表面保護劑、與可與Cu(銅)形成錯合物或螯合物之化合物、與水,pH為4-9。
简体摘要：本发明系提供一种含有可防止先前技术无法用聚合物剥离液解决之Cu表面的龟裂及粗糙,同时可防止Cu表面的氧化的表面保护剂之干燥过程后的残渣去除液,及使用其之半导体设备的制造方法。本发明系关于残渣去除液,其系其系存在于干蚀刻及/或灰化后的半导体基板的残渣的去除液;其特征系含有:(1)含有具有式:=N-NH-所表示的构造之杂五员环芳香族化合物(除了3个N连续者以外)作为基本骨架之化合物,其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下者,(2)含有具有式:-N=C(SH)-X-(式中,X表示NH、O或S)所表示的构造之杂五员环化合物作为基本骨架之化合物,其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下者,及(3)含有具有至少1个氮原子(N)的杂六员环芳香族化合物作为基本骨架之化合物,其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以上者所成的群所选出的至少1种的化合物所形成的Cu表面保护剂、与可与Cu(铜)形成错合物或螯合物之化合物、与水,pH为4-9。

10. 发明专利

TWI288777B 洗淨用組成物失效
简体标题：洗净用组成物
公开(公告)号：TWI288777B
公开(公告)日：2007-10-21
申请号：TW090110148
申请日：2001-04-26
申请人：大金工業股份有限公司 DAIKIN INDUSTRIES, LTD.
发明人：毛塚健彥 KEZUKA, TAKEHIKO , 板野充司 ITANO, MITSUSHI
IPC分类号： C11D , H01L , G03F
CPC分类号： G03F7/423 , C11D3/042 , C11D3/43 , C11D7/10 , C11D7/5004 , C11D11/0047 , G03F7/422 , H01L21/02063
摘要：本發明係提供一種含有(1)至少1種氟化物鹽及重氟化物鹽；(2)具有雜原子之有機溶媒；以及(3)水為特徵之洗淨用組成物；以及利用該組成物之金屬澆口、接觸孔、穿孔以及電容器之洗淨方法，原於光阻之殘存聚合物剝離方法，以及CMP後洗淨方法。
简体摘要：本发明系提供一种含有(1)至少1种氟化物盐及重氟化物盐；(2)具有杂原子之有机溶媒；以及(3)水为特征之洗净用组成物；以及利用该组成物之金属浇口、接触孔、穿孔以及电容器之洗净方法，原于光阻之残存聚合物剥离方法，以及CMP后洗净方法。

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