专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW476811B 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW476811B
公开(公告)日：2002-02-21
申请号：TW089109678
申请日：2000-05-19
申请人：大見忠弘 , 夏普股份有限公司
发明人：平山昌樹 , 大見忠弘 , 山本達志 , 田寺孝光
IPC分类号： C23F , H01L
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/511 , H01J37/3244
摘要：一種電漿處理裝置，可製成均勻之電漿及以較低成本複製一大型基板，電漿處理裝置包括一處理室、微波傳導裝置、一噴淋板及一反應氣體供給通道。微波傳導裝置傳導一微波至處理室內，噴淋板具有一氣體入口孔，用於將一利用該微波以取得一電漿狀態之反應氣體供給至該處理室，及具有一底表面以面向處理室及一頂表面定位於底表面之相對立側上。反應氣體供給通道係定位於噴淋板主頂表面上，以供給反應氣體至氣體入口孔，反應氣體供給通道之一壁表面包括噴淋板之一頂表面及相對立於頂表面之一導體壁表面。
简体摘要：一种等离子处理设备，可制成均匀之等离子及以较低成本复制一大型基板，等离子处理设备包括一处理室、微波传导设备、一喷淋板及一反应气体供给信道。微波传导设备传导一微波至处理室内，喷淋板具有一气体入口孔，用于将一利用该微波以取得一等离子状态之反应气体供给至该处理室，及具有一底表面以面向处理室及一顶表面定位于底表面之相对立侧上。反应气体供给信道系定位于喷淋板主顶表面上，以供给反应气体至气体入口孔，反应气体供给信道之一壁表面包括喷淋板之一顶表面及相对立于顶表面之一导体壁表面。

2. 发明专利

TW563183B 電漿製程裝置失效
简体标题：等离子制程设备
公开(公告)号：TW563183B
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：TW090106495
申请日：2001-03-20
申请人：夏普股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：鐘築律夫 , 田寺孝光 , 山本達志 , 平山昌樹 , 大見忠弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/4401 , C23C16/511
摘要：一種能夠在不需要的位置防止電漿產生的電漿製程裝置，其可達到穩定地執行均勻電漿製程。該電漿製程裝置包含一處理室(1,2)，其具有一內壁面；一微波輻射構件(5)，其具有一壁面及面對該處理室之內壁面的其它壁面，並可配置成在該其它壁面與一部份該內壁面之間形成一空間，並在該處理室當中傳遞及輻射微波；以及一反應氣體供應構件(14,15,21,22)，其包含一反應氣體通道(15)，其具有形成在該微波輻射構件的其它壁面及該內壁面之間的一空間；及配置在一區域上的一微波傳送防止構件(16)，其面對著該微波輻射構件的其它壁面之反應氣體供應通道。
简体摘要：一种能够在不需要的位置防止等离子产生的等离子制程设备，其可达到稳定地运行均匀等离子制程。该等离子制程设备包含一处理室(1,2)，其具有一内壁面；一微波辐射构件(5)，其具有一壁面及面对该处理室之内壁面的其它壁面，并可配置成在该其它壁面与一部份该内壁面之间形成一空间，并在该处理室当中传递及辐射微波；以及一反应气体供应构件(14,15,21,22)，其包含一反应气体信道(15)，其具有形成在该微波辐射构件的其它壁面及该内壁面之间的一空间；及配置在一区域上的一微波发送防止构件(16)，其面对着该微波辐射构件的其它壁面之反应气体供应信道。

3. 发明专利

TW555878B 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW555878B
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：TW090129064
申请日：2001-11-23
申请人：夏普股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：山本直子 , 山本達志 , 平山昌樹 , 大見忠弘
IPC分类号： H05H , H01L , H01J , C23F , C23C
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32211
摘要：槽天線板(7)放置於第二介電質板(5)上，用以輻射微波到室內部(13)之內，槽天線板(7)配置於面向室內部(13)之第二介電質板(5)之一側之上，槽天線板(7)係由導體所製成且包含槽(7a)以用於透過該處通過微波到室內部(13)。在此方式中，電漿處理裝置係配置藉微波來產生電漿，該電漿處理裝置能易於調整離子照射能量以用於欲處理之材料而獲得材料之均勻的電漿處理於材料平面之內。
简体摘要：槽天线板(7)放置于第二介电质板(5)上，用以辐射微波到室内部(13)之内，槽天线板(7)配置于面向室内部(13)之第二介电质板(5)之一侧之上，槽天线板(7)系由导体所制成且包含槽(7a)以用于透过该处通过微波到室内部(13)。在此方式中，等离子处理设备系配置藉微波来产生等离子，该等离子处理设备能易于调整离子照射能量以用于欲处理之材料而获得材料之均匀的等离子处理于材料平面之内。

4. 发明专利

TW555879B 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW555879B
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：TW090130508
申请日：2001-12-10
申请人：夏普股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：田寺孝光 , 山本達志 , 平山昌樹 , 大見忠弘
IPC分类号： B23K , C23C , H01L
CPC分类号： B23K10/003 , B23K2201/40
摘要：在曝露於大氣中的一微波導入窗口(4)之一側，配備了具有狹槽(11a)的一狹槽板(11)以及一諧振單元(3)。該狹槽板(11)及該諧振單元(3)係因線性導軌(12、13)使其整體配置成可相對於一處理室(6)滑動。如此，則可提供能執行一高度均一之電漿處理，且具有優異之電漿產生特性的一電漿處理裝置。
简体摘要：在曝露于大气中的一微波导入窗口(4)之一侧，配备了具有狭槽(11a)的一狭槽板(11)以及一谐振单元(3)。该狭槽板(11)及该谐振单元(3)系因线性导轨(12、13)使其整体配置成可相对于一处理室(6)滑动。如此，则可提供能运行一高度均一之等离子处理，且具有优异之等离子产生特性的一等离子处理设备。

5. 发明专利

TW491911B 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW491911B
公开(公告)日：2002-06-21
申请号：TW090100019
申请日：2001-01-02
申请人：夏普股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：山本達志 , 岡本昌也 , 平山昌樹 , 大見忠弘
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/511
摘要：複數個微波導入窗(2a，2b)置於反應室(1)上壁(1a)，將相同功率之微波導入2個微波導入窗(2a)其位置相對於反應室(1)側壁(1b)係相等，而將不同功率之微波導入2個微波導入窗(2a，2b)其位置相對於反應室(1)側壁(1b)係不等，因此可得到合乎成本之電漿處理裝置，即使在反應室中產生之電漿具有可變負載阻抗其仍能實施均一電漿處理。
简体摘要：复数个微波导入窗(2a，2b)置于反应室(1)上壁(1a)，将相同功率之微波导入2个微波导入窗(2a)其位置相对于反应室(1)侧壁(1b)系相等，而将不同功率之微波导入2个微波导入窗(2a，2b)其位置相对于反应室(1)侧壁(1b)系不等，因此可得到合乎成本之等离子处理设备，即使在反应室中产生之等离子具有可变负载阻抗其仍能实施均一等离子处理。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式