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1. 发明专利

TW430870B 半導體製造用水分之產生方法失效
简体标题：半导体制造用水分之产生方法
公开(公告)号：TW430870B
公开(公告)日：2001-04-21
申请号：TW087109410
申请日：1998-06-12
申请人：大見忠弘 , 富士金股份有限公司 , 日立製作所股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 皆見幸男 , 川田幸司 , 池田信一 , 森本明弘 , 田邊義和
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C01B5/00
摘要：本發明有關於主要係在半導體製造設備上所使用之水分產生用反應爐之運轉方法。
(課題)減少水分產生用反應爐之起動及停止時之產生水分內之未反應氫氣之量，以提高半導體製造裝置之安全性，同時使不會阻礙藉水分氧化法之矽氧化膜之被覆等。
(構成)對於其內部空間之壁面，備有白金被覆皮膜之反應爐本體內，供給氫氣及氧氣，藉由白金之催化作用而提高氫氣及氧氣之反應活性，同時以低於氫氣混合氣體之發火溫度之下令該提高反應之氫氣及氧氣瞬時的反應，使之沒有高溫燃燒之下產生水分之半導體製造用水分之產生方法中，在於水分產生之開始時，延遲於氧氣之供給地開始氫氣之供給者。選擇圖，第7圖。
简体摘要：本发明有关于主要系在半导体制造设备上所使用之水分产生用反应炉之运转方法。 (课题)减少水分产生用反应炉之起动及停止时之产生水分内之未反应氢气之量，以提高半导体制造设备之安全性，同时使不会阻碍藉水分氧化法之硅氧化膜之被覆等。 (构成)对于其内部空间之壁面，备有白金被覆皮膜之反应炉本体内，供给氢气及氧气，借由白金之催化作用而提高氢气及氧气之反应活性，同时以低于氢气混合气体之发火温度之下令该提高反应之氢气及氧气瞬时的反应，使之没有高温燃烧之下产生水分之半导体制造用水分之产生方法中，在于水分产生之开始时，延迟于氧气之供给地开始氢气之供给者。选择图，第7图。

2. 发明专利

TW385380B 流體供應裝置有权
简体标题：流体供应设备
公开(公告)号：TW385380B
公开(公告)日：2000-03-21
申请号：TW088100902
申请日：1999-01-21
申请人：大見忠弘 , 東京威力科創有限公司 , 富士金股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 加賀爪哲 , 杉山一彥 , 池田信一 , 西野功二 , 川田幸司 , 皆見幸男
IPC分类号： G05D
CPC分类号： G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
摘要：防止在流體之供應開始時或切換時過度地發生的流體之過調量，可經常地控制高精度之流體。
一種流體供應裝置，其特徵為：控制流體流量之壓力流量控制器Ｃ，及開關壓力流量控制器Ｃ之二次側流體通路Ｌ的流體切換閥Ｄ，及控制壓力流量控制器Ｃ與流體切換閥Ｄ之作動的流體供應控制裝置Ｂ所構成；且將上述壓力流量控制器Ｃ設於節流口５與節流口５之上游側的控制閥１，及設於控制閥１與節流口５間的壓力檢測器３，及將從壓力檢測器３之檢測壓力Ｐ１演算作為流量Ｑ。＝ＫＰ１(但是Ｋ係常數)之流量信號Ｑ。與流量指令信號Ｑ。之相差作為控制信號Ｑ。而輸出至上述控制閥１之驅動部２的演算控制裝置６所形成，同時介經上述控制閥１之開關來調整節流口５之上游側壓力Ｐ１，俾控制節流口５之下游側之流量的構成者。
简体摘要：防止在流体之供应开始时或切换时过度地发生的流体之过调量，可经常地控制高精度之流体。一种流体供应设备，其特征为：控制流体流量之压力流量控制器Ｃ，及开关压力流量控制器Ｃ之二次侧流体通路Ｌ的流体切换阀Ｄ，及控制压力流量控制器Ｃ与流体切换阀Ｄ之作动的流体供应控制设备Ｂ所构成；且将上述压力流量控制器Ｃ设于节流口５与节流口５之上游侧的控制阀１，及设于控制阀１与节流口５间的压力检测器３，及将从压力检测器３之检测压力Ｐ１演算作为流量Ｑ。＝ＫＰ１(但是Ｋ系常数)之流量信号Ｑ。与流量指令信号Ｑ。之相差作为控制信号Ｑ。而输出至上述控制阀１之驱动部２的演算控制设备６所形成，同时介经上述控制阀１之开关来调整节流口５之上游侧压力Ｐ１，俾控制节流口５之下游侧之流量的构成者。

3. 发明专利

TW466213B 水分產生用反應爐有权
简体标题：水分产生用反应炉
公开(公告)号：TW466213B
公开(公告)日：2001-12-01
申请号：TW089110825
申请日：2000-06-02
申请人：富士金股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 池田信一 , 川田幸司 , 森本明弘 , 皆見幸男 , 坪田憲士 , 本井傳晃央 , 平井暢 , 米華克典 , 平尾圭志
IPC分类号： C01B
摘要：本發明提供一種水分發生用反應爐，係以更能完全防止於水分產生用反應爐本體之內部的對氫氣之著火或逆火之發生以及白金塗層觸媒層之剝離以進一步提升水分產生用反應爐之安全性之同時，減少反應爐本體之內部空間之死角空間以謀求反應體本體之進一步小型化為主要目的者。詳言之，
使具有氣體供給口的入口側爐本體構件與具有水分氣體取出口的出口側爐本體構件相對向而組合，藉兩者之焊接而形成反應爐本體、左其內部空間設置反射體之同時在前述出口側爐本體構件之內壁面形成白金塗層觸媒層、藉由使從氣體供給口供給反應爐本體之內部空間內的氫氣及氧氣接觸白金塗層被膜以使其反應性活性化，而使氫氣與氧氣在非燃燒之狀態下進行反應以產生水。
简体摘要：本发明提供一种水分发生用反应炉，系以更能完全防止于水分产生用反应炉本体之内部的对氢气之着火或逆火之发生以及白金涂层触媒层之剥离以进一步提升水分产生用反应炉之安全性之同时，减少反应炉本体之内部空间之死角空间以谋求反应体本体之进一步小型化为主要目的者。详言之，使具有气体供给口的入口侧炉本体构件与具有水分气体取出口的出口侧炉本体构件相对向而组合，藉两者之焊接而形成反应炉本体、左其内部空间设置反射体之同时在前述出口侧炉本体构件之内壁面形成白金涂层触媒层、借由使从气体供给口供给反应炉本体之内部空间内的氢气及氧气接触白金涂层被膜以使其反应性活性化，而使氢气与氧气在非燃烧之状态下进行反应以产生水。

4. 发明专利

TW445401B 平行分流式流體供應裝置與使用該裝置之流體可變型壓力式流量控制方法及流體可變型壓力式流量控制裝置有权
简体标题：平行分流式流体供应设备与使用该设备之流体可变型压力式流量控制方法及流体可变型压力式流量控制设备
公开(公告)号：TW445401B
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：TW089107095
申请日：2000-04-15
申请人：富士金股份有限公司 , 東京威力科創股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 加賀爪哲 , 廣瀨潤 , 杉山一彥 , 深澤和夫 , 小泉浩 , 長岡秀樹 , 皆見幸男 , 西野功二 , 土肥亮介 , 米華克典 , 池田信一 , 山路道雄 , 森本明弘 , 宇野富雄 , 出田英二 , 松本篤志 , 上野山豊已
IPC分类号： G05D
CPC分类号： G05D7/0658 , G05D7/0664 , Y10S438/935 , Y10T137/0396 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/86389 , Y10T137/87877 , Y10T137/87917
摘要：一種平行分流式流體供應裝置與使用該裝置之流體的可變型壓力式流量控制方法及流體可變型壓力式流量控制裝置，從壓力調整用的l個調整器平行配設複數條流路之流體供應裝置中，使各流路之流體供應的開關操作不致對其他流路之穩態供應造成過大的變動。因此，在各流路上配設流量控制用質量流控制器MFC或壓力式流量控制裝置FCS，某流路之流體供給自關閉而開啟時，構成從其流路之質量流控制器MFC動作開始僅延遲預定的延遲時間△t到達設定流量Qs。
又，利用l台壓力式流量控制裝置可高精度流量控制複數氣體種類及實現其裝置。因此，以臨界壓力比以下的條件理論性導出通過孔口的氣體流量，根據該式定義流動係數，利用該流動係數形成可對應多數之氣體種類者。
亦即，將孔口8的上游側壓力P1保持在下游壓力P2約2倍以上的狀態下，通過孔口的氣體運算流量Qc以 Qc=KP1(K為常數)運算之流量控制方法中，各種類氣體係以FF=(k/γs){2/(κ+l)}](x.1)〔κ/{(κ十l)R}〕1/2計算流動係數FF，氣體種類A的運算流量為QA時，在同一孔口、同一上游側壓力及同一上游側溫度的條件下使氣體種類B流通時，以其運算流量QvB作為QvB(EFvB/EFvA)QvA算出。其中，γS為氣體的標準狀態密度，κ為氣體的比熱比，R為氣體常數，k為未依據氣體種類之比例常數，FFvA.FFvB為氣體種類A.B的流動係數。
简体摘要：一种平行分流式流体供应设备与使用该设备之流体的可变型压力式流量控制方法及流体可变型压力式流量控制设备，从压力调整用的l个调整器平行配设复数条流路之流体供应设备中，使各流路之流体供应的开关操作不致对其他流路之稳态供应造成过大的变动。因此，在各流路上配设流量控制用质量流控制器MFC或压力式流量控制设备FCS，某流路之流体供给自关闭而打开时，构成从其流路之质量流控制器MFC动作开始仅延迟预定的延迟时间△t到达设置流量Qs。又，利用l台压力式流量控制设备可高精度流量控制复数气体种类及实现其设备。因此，以临界压力比以下的条件理论性导出通过孔口的气体流量，根据该式定义流动系数，利用该流动系数形成可对应多数之气体种类者。亦即，将孔口8的上游侧压力P1保持在下游压力P2约2倍以上的状态下，通过孔口的气体运算流量Qc以 Qc=KP1(K为常数)运算之流量控制方法中，各种类气体系以FF=(k/γs){2/(κ+l)}](x.1)〔κ/{(κ十l)R}〕1/2计算流动系数FF，气体种类A的运算流量为QA时，在同一孔口、同一上游侧压力及同一上游侧温度的条件下使气体种类B流通时，以其运算流量QvB作为QvB(EFvB/EFvA)QvA算出。其中，γS为气体的标准状态密度，κ为气体的比热比，R为气体常数，k为未依据气体种类之比例常数，FFvA.FFvB为气体种类A.B的流动系数。

5. 发明专利

TW553900B 產生供給水分裝置及產生水分用反應爐有权
简体标题：产生供给水分设备及产生水分用反应炉
公开(公告)号：TW553900B
公开(公告)日：2003-09-21
申请号：TW089115809
申请日：2000-08-05
申请人：富士金股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 池田信一 , 皆見幸男 , 川田幸司 , 米華克典 , 本井傳晃央 , 平井暢 , 森本明弘 , 成相敏郎 , 平尾圭志 , 田口將暖 , 中村修 , 瑪儂哈魯拉魯休雷司他
IPC分类号： C01B
CPC分类号： B01J3/006 , B01J7/00 , B01J12/007 , C01B5/00
摘要：本發明之目的在於提供一種減壓型產生供給水分裝置，藉由將水分氣體減壓供給(例如數Torr)將水分產生用反應爐之內壓保持於較高，而可防止氫之自然引燃，具有安全性；本發明之目的又在提供一種產生水分用反應爐，藉由將產生水分反應爐高效率地冷卻，同在不增大反應爐之尺寸下，大幅增大產生水分量。
為此，本發明之減壓型產生供給水分裝置，係由：自氫及氧以觸媒反應產生水分氣體之產生水分用反應爐，以及設於該產生水分用反應爐的下游側之減壓機構所構成；其特徵在於：藉由該減壓機構將水分氣體減壓供給至下游側，並將反應爐內之內壓保持於較高。
又本發明之散熱式產生水分用反應爐，係由：組合入口側爐本體部件及出口側爐本體部件而形成內部空間之反應爐本體，密接於上述爐本體部件外壁面之散熱片基板，以及立設於該散熱片基板之多數個散熱用散熱片所構成，藉由上述散熱用散熱片，將產生之熱強制放射而令反應爐低溫化。又，將散熱用散熱片作防蝕鋁加工而增大熱放射率，使放射效率更為增大。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种减压型产生供给水分设备，借由将水分气体减压供给(例如数Torr)将水分产生用反应炉之内压保持于较高，而可防止氢之自然引燃，具有安全性；本发明之目的又在提供一种产生水分用反应炉，借由将产生水分反应炉高效率地冷却，同在不增大反应炉之尺寸下，大幅增大产生水分量。为此，本发明之减压型产生供给水分设备，系由：自氢及氧以触媒反应产生水分气体之产生水分用反应炉，以及设于该产生水分用反应炉的下游侧之减压机构所构成；其特征在于：借由该减压机构将水分气体减压供给至下游侧，并将反应炉内之内压保持于较高。又本发明之散热式产生水分用反应炉，系由：组合入口侧炉本体部件及出口侧炉本体部件而形成内部空间之反应炉本体，密接于上述炉本体部件外壁面之散热片基板，以及立设于该散热片基板之多数个散热用散热片所构成，借由上述散热用散热片，将产生之热强制放射而令反应炉低温化。又，将散热用散热片作防蚀铝加工而增大热放射率，使放射效率更为增大。

6. 发明专利

TW517140B 流體控制裝置失效
简体标题：流体控制设备
公开(公告)号：TW517140B
公开(公告)日：2003-01-11
申请号：TW087112834
申请日：1998-08-04
申请人：大見忠弘 , 富士金股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 皆見幸男 , 森本明弘 , 池田信一 , 平尾圭志 , 廣瀨隆 , 山路道雄
IPC分类号： F15B , F17D
CPC分类号： F16K27/003 , Y10T137/87684
摘要：一種流體控制裝置，具備第一通路並與此連接且由流體控制用機器使末端部被封閉的第二通路，構成第二通路積存流體的狀態在第一通路流動不同的流體。然後，第一通路由上游部及與此大致以直角狀連接的下游部構成，第二通路設置成從第一通路之上游部末端增長於其延長線上。(選擇圖)第1圖
简体摘要：一种流体控制设备，具备第一通路并与此连接且由流体控制用机器使末端部被封闭的第二通路，构成第二通路积存流体的状态在第一通路流动不同的流体。然后，第一通路由上游部及与此大致以直角状连接的下游部构成，第二通路设置成从第一通路之上游部末端增长于其延长在线。(选择图)第1图

7. 发明专利

TW460693B 氣體檢測感測器失效
简体标题：气体检测传感器
公开(公告)号：TW460693B
公开(公告)日：2001-10-21
申请号：TW089110891
申请日：2000-06-12
申请人：富士金股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 川田幸司 , 池田信一 , 森本明弘 , 皆見幸男 , 米華克典 , 本井傳晃央
IPC分类号： G01L , G01N
CPC分类号： G01N33/0013 , G01N25/32
摘要：達成氣體檢測感測器之構造的簡單化，同時在H2O或 O2存在下的長期中，而可進行穩定的高精確度之可燃性氣體濃度或氧氣濃度的檢測。
一種氣體檢測感測器，係根據可燃性之接觸反應藉由感測器之發熱可用以發送可燃性氣體之檢測信號中，其構成係由：隔膜（diaphragm），使被檢測氣體在接觸流通之接氣面具有白金塗層皮膜；及熱電偶，在前述隔膜之非接氣面分別使近接並用以固著異種金屬之一端側；而其構成具有：第１檢測感測器，藉由可燃性氣體之接觸反應被加熱，其構成係由，隔膜，具有接氣面使被檢測氣體進行接觸流通，及熱電偶，在前述隔膜之非接氣面分別使近接並用以固著異種金屬的一端側；及第２檢測感測器，用以檢測被檢測氣體之溫度。【選擇圖】圖２
简体摘要：达成气体检测传感器之构造的简单化，同时在H2O或 O2存在下的长期中，而可进行稳定的高精确度之可燃性气体浓度或氧气浓度的检测。一种气体检测传感器，系根据可燃性之接触反应借由传感器之发热可用以发送可燃性气体之检测信号中，其构成系由：隔膜（diaphragm），使被检测气体在接触流通之接气面具有白金涂层皮膜；及热电偶，在前述隔膜之非接气面分别使近接并用以固着异种金属之一端侧；而其构成具有：第１检测传感器，借由可燃性气体之接触反应被加热，其构成系由，隔膜，具有接气面使被检测气体进行接触流通，及热电偶，在前述隔膜之非接气面分别使近接并用以固着异种金属的一端侧；及第２检测传感器，用以检测被检测气体之温度。【选择图】图２

8. 发明专利

TW440542B 水分發生用反應爐失效
简体标题：水分发生用反应炉
公开(公告)号：TW440542B
公开(公告)日：2001-06-16
申请号：TW087116013
申请日：1998-09-25
申请人：富士金股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 川田幸司 , 田邊義和 , 池田信一 , 森本明弘 , 皆見幸男
IPC分类号： C01B , B01J
摘要：水分發生用反應爐(第l圖者)，係具備連結有底圓筒狀第l爐本體構件2與第2爐本體構件3所構成的反應爐本體l。反應爐本體l之經密閉之內部空間la，係藉由擴散過濾器10，被區劃成配置有入口側反射構件9之第l空間部分lb與配置有出口側反射擴散構件ll之第2空間部分lc。在反應爐本體l之內面位於面臨第l空間部分lb之部分，形成有白金塗層膜13。入口側反射構件9係具備:對向於原料氣體供應口2c並安裝於第l爐本體構件2的筒狀殼體９a，及形成於該殼體的透孔９c，及閉塞殼體９a之開口端的反射板９b。出口側反射擴散構件ll係具備:對向於水分氣體出口3ｃ並安裝於第2爐本體構件3的筒狀殼體lla及形成於該殼體的透孔lle，及閉塞殼體lla之開口端的反射板llb，及配設於殼體lla內的出口側擴散過濾器llc，及形成於出口側擴散過濾器llc的過濾器用白金塗層膜 lld。依照此種構成的水分發生用反應爐，即使反應爐本體l之溫度為約400℃以下，水分發生量在1000 sccm以上之條件下，也可安定地得到超過99％之水分發生反應率。
简体摘要：水分发生用反应炉(第l图者)，系具备链接有底圆筒状第l炉本体构件2与第2炉本体构件3所构成的反应炉本体l。反应炉本体l之经密闭之内部空间la，系借由扩散过滤器10，被区划成配置有入口侧反射构件9之第l空间部分lb与配置有出口侧反射扩散构件ll之第2空间部分lc。在反应炉本体l之内面位于面临第l空间部分lb之部分，形成有白金涂层膜13。入口侧反射构件9系具备:对向于原料气体供应口2c并安装于第l炉本体构件2的筒状壳体９a，及形成于该壳体的透孔９c，及闭塞壳体９a之开口端的反射板９b。出口侧反射扩散构件ll系具备:对向于水分气体出口3ｃ并安装于第2炉本体构件3的筒状壳体lla及形成于该壳体的透孔lle，及闭塞壳体lla之开口端的反射板llb，及配设于壳体lla内的出口侧扩散过滤器llc，及形成于出口侧扩散过滤器llc的过滤器用白金涂层膜 lld。依照此种构成的水分发生用反应炉，即使反应炉本体l之温度为约400℃以下，水分发生量在1000 sccm以上之条件下，也可安定地得到超过99％之水分发生反应率。

9. 发明专利

TW377387B 流體控制裝置失效
简体标题：流体控制设备
公开(公告)号：TW377387B
公开(公告)日：1999-12-21
申请号：TW086106068
申请日：1997-05-07
申请人：大見忠弘 , 富士金股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 平尾圭志 , 皆見幸男 , 山路道雄 , 廣瀨隆清 , 池田信一
IPC分类号： F15B
CPC分类号： F16K27/003 , Y10T137/4259 , Y10T137/87684
摘要：在流體控制裝置之閥主體內,形成有通到質量流動控制器內的通路入口之主通路;和連接於主通路形成有相對的較長之副通路及相對的較短之副通路,而須要確保高純度的處理用氣體,是使其流通於相對的較長副通路者。
简体摘要：在流体控制设备之阀主体内,形成有通到质量流动控制器内的通路入口之主通路;和连接于主通路形成有相对的较长之副通路及相对的较短之副通路,而须要确保高纯度的处理用气体,是使其流通于相对的较长副通路者。

10. 发明专利

TW342433B 流體關閉、開啓裝置(二) 失效
简体标题：流体关闭、开启设备(二)
公开(公告)号：TW342433B
公开(公告)日：1998-10-11
申请号：TW086117265
申请日：1997-11-19
申请人：大見忠弘 , 富士金股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 川野?司 , 平尾圭志 , 田中久士 , 波多野雅之 , 皆見幸男 , 增田尚也
IPC分类号： F15B , F16K , F16L , F17D , H01L
CPC分类号： F15B13/0832 , F15B13/0817 , F15B13/0871 , F15B13/0892 , F15B13/0896 , F16K27/003 , Y10T137/87249 , Y10T137/87684 , Y10T137/87917
摘要：二只閥從上方以裝拆自如地排在一方向來安裝的閥安裝基部28，係由具有配置在一端側通到閥入口通路的流入路形成構件，與具有連通相鄰的閥出口與入口通路的連通路形成構件，與具有通到配置在另一端側的閥出口之流出路形成構件，以及具有通到設在另一端側所配置閥的副出入口通路的副通路形成構件來形成。
简体摘要：二只阀从上方以装拆自如地排在一方向来安装的阀安装基部28，系由具有配置在一端侧通到阀入口通路的流入路形成构件，与具有连通相邻的阀出口与入口通路的连通路形成构件，与具有通到配置在另一端侧的阀出口之流出路形成构件，以及具有通到设在另一端侧所配置阀的副出入口通路的副通路形成构件来形成。

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