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1. 发明专利

TW200842875A 非揮發性半導體記憶裝置失效
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW200842875A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW096143981
申请日：2007-11-20
申请人：夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：井上剛至 INOUE, KOHJI , 細井康成 HOSOI, YASUNARI , 大西茂夫 OHNISHI, SHIGEO , 粟屋信義 AWAYA, NOBUYOSHI
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0026 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1633
摘要：本發明提供一種非揮發性半導體記憶裝置,其可對具備藉由施加電壓而電阻特性變化之可變電阻元件的複數記憶胞,個別同時執行電阻變化不同之重寫動作。每個共同地連接於同一行之記憶胞的位元線BL0~3具備負荷電阻特性可變電路14,其構成為可按照使重寫對象之可變電阻元件的電阻特性從低電阻狀態過渡至高電阻狀態的第一重寫動作與高電阻狀態過渡至低電阻狀態之第二重寫動作的差異,個別地選擇2個負荷電阻特性之任一方,且具備重寫電壓脈衝施加電路13a,其係將第一重寫動作中施加之第一電壓脈衝與第二重寫動作中施加之第二電壓脈衝經由負荷電阻特性可變電路14與位元線BL0~3,而施加於重寫對象之記憶胞。
简体摘要：本发明提供一种非挥发性半导体记忆设备,其可对具备借由施加电压而电阻特性变化之可变电阻组件的复数记忆胞,个别同时运行电阻变化不同之重写动作。每个共同地连接于同一行之记忆胞的比特线BL0~3具备负荷电阻特性可变电路14,其构成为可按照使重写对象之可变电阻组件的电阻特性从低电阻状态过渡至高电阻状态的第一重写动作与高电阻状态过渡至低电阻状态之第二重写动作的差异,个别地选择2个负荷电阻特性之任一方,且具备重写电压脉冲施加电路13a,其系将第一重写动作中施加之第一电压脉冲与第二重写动作中施加之第二电压脉冲经由负荷电阻特性可变电路14与比特线BL0~3,而施加于重写对象之记忆胞。

2. 发明专利

TW200715531A 半導體記憶裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TW200715531A
公开(公告)日：2007-04-16
申请号：TW095124514
申请日：2006-07-05
申请人：夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：大西哲也 OHNISHI, TETSUYA , 大西茂夫 OHNISHI, SHIGEO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/10 , H01L27/24
摘要：本發明係提供一種半導體記憶裝置及其製造方法,其光步驟更少,且記憶胞面積比以製造過程上之最小加工尺寸新界定之最小記憶胞面積小。本發明之交叉點構造之半導體記憶裝置係具備:延伸於相同方向之複數上部電極2、及延伸於與上部電極2之延伸方向正交之方向之複數下部電極1,且於上部電極2與下部電極1間之層,形成用以儲存資料之記憶材料體而成;記憶材料體係上部電極2之延伸方向之長度依下部電極1之線寬而自我整合地決定,下部電極1之延伸方向之長度依上部電極2之線寬而自我整合地決定。
简体摘要：本发明系提供一种半导体记忆设备及其制造方法,其光步骤更少,且记忆胞面积比以制造过程上之最小加工尺寸新界定之最小记忆胞面积小。本发明之交叉点构造之半导体记忆设备系具备:延伸于相同方向之复数上部电极2、及延伸于与上部电极2之延伸方向正交之方向之复数下部电极1,且于上部电极2与下部电极1间之层,形成用以存储数据之记忆材料体而成;记忆材料体系上部电极2之延伸方向之长度依下部电极1之线宽而自我集成地决定,下部电极1之延伸方向之长度依上部电极2之线宽而自我集成地决定。

3. 发明专利

TWI311376B 可變電阻元件及其製造方法失效
简体标题：可变电阻组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI311376B
公开(公告)日：2009-06-21
申请号：TW095130694
申请日：2006-08-21
申请人：夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA , 獨立行政法人產業技術綜合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：細井康成 HOSOI, YASUNARI , 大西茂夫 OHNISHI, SHIGEO , 荻本泰史 OGIMOTO, YASUSHI , 岡隆史 OKA, TAKASHI , 永長直人 NAGAOSA, NAOTO , 十倉好紀 TOKURA, YOSHINORI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01C7/1013 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , H01C7/115 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
摘要：本發明提供一種可變電阻元件,其係於2個金屬電極之間設置包含强關聯材料之可變電阻體,藉由向金屬電極間施加電壓脈衝而變化金屬電極間之電阻者,藉由明確之切換動作原理之支持,而恰當設計金屬電極及可變電阻體,可實施電阻之低電阻狀態與高電阻狀態間之電阻比較大的切換動作。設定第1電極與可變電阻體之材料及組成,以藉由施加電壓脈衝,於2個金屬電極1、3之任一方之第1電極與可變電阻體2之界面中產生金屬絕緣體轉變。再者,第1電極與可變電阻體之功函數差為於可變電阻體之與第1電極之界面附近可形成金屬相與絕緣體相之2相共存相之功函數差。
简体摘要：本发明提供一种可变电阻组件,其系于2个金属电极之间设置包含强关联材料之可变电阻体,借由向金属电极间施加电压脉冲而变化金属电极间之电阻者,借由明确之切换动作原理之支持,而恰当设计金属电极及可变电阻体,可实施电阻之低电阻状态与高电阻状态间之电阻比较大的切换动作。设置第1电极与可变电阻体之材料及组成,以借由施加电压脉冲,于2个金属电极1、3之任一方之第1电极与可变电阻体2之界面中产生金属绝缘体转变。再者,第1电极与可变电阻体之功函数差为于可变电阻体之与第1电极之界面附近可形成金属相与绝缘体相之2相共存相之功函数差。

4. 发明专利

TW200908295A 可變電阻元件、其製造方法及不揮發性半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：可变电阻组件、其制造方法及不挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW200908295A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097114522
申请日：2008-04-21
申请人：夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA , 獨立行政法人產業技術綜合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：玉井幸夫 TAMAI, YUKIO , 島久 SHIMA, HISASHI , 秋永廣幸 AKINAGA, HIROYUKI , 高野史好 TAKANO, FUMIYOSHI , 細井康成 HOSOI, YASUNARI , 粟屋信義 AWAYA, NOBUYOSHI , 大西茂夫 OHNISHI, SHIGEO , 石原數也 ISHIHARA, KAZUYA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要：本發明提供一種可高速且低消耗電力動作之可變電阻元件。本發明之可變電阻元件係在第1電極11與第2電極12之間具有金屬氧化物層10,且依據對於第1及第2電極間之電性應力之施加,而第1及第2電極間之電阻可逆性變化,且金屬氧化物層10具有流經第1及第2電極間之電流之電流密度局部性變高之電流路徑即細絲13,在第1電極與第2電極中之至少任一方之特定電極11與金屬氧化物層10之界面,且至少包含特定電極11與細絲13之界面附近之一部分,具備包含於特定電極11之至少1個元素之氧化物,且與金屬氧化物層10之氧化物相異之界面氧化物15。
简体摘要：本发明提供一种可高速且低消耗电力动作之可变电阻组件。本发明之可变电阻组件系在第1电极11与第2电极12之间具有金属氧化物层10,且依据对于第1及第2电极间之电性应力之施加,而第1及第2电极间之电阻可逆性变化,且金属氧化物层10具有流经第1及第2电极间之电流之电流密度局部性变高之电流路径即细丝13,在第1电极与第2电极中之至少任一方之特定电极11与金属氧化物层10之界面,且至少包含特定电极11与细丝13之界面附近之一部分,具备包含于特定电极11之至少1个元素之氧化物,且与金属氧化物层10之氧化物相异之界面氧化物15。

5. 发明专利

TWI292216B 半導體記憶裝置的結構及製造方法 STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 有权
简体标题：半导体记忆设备的结构及制造方法 STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
公开(公告)号：TWI292216B
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW094138441
申请日：2005-11-02
申请人：夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：大西哲也 OHNISHI, TETSUYA , 新村尚之 SHINMURA, NAOYUKI , 山崎信夫 YAMAZAKI, SHINOBU , 澀谷隆廣 SHIBUYA, TAKAHIRO , 中野貴司 NAKANO, TAKASHI , 田尻雅之 TAJIRI, MASAYUKI , 大西茂夫 OHNISHI, SHIGEO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/77 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/147 , H01L45/1625
摘要：一種半導體記憶裝置，具有交越點結構，此半導體記憶裝置包括以一方向延伸的複數個上電極(2)，以及與上電極(2)的此一方向成直角的另一方向延伸之複數個下電極(1)。用以儲存資料的記憶材料係位於上電極與下電極之間。記憶材料係由鈣鈦礦材料所組成，並且配置於沿著對應上電極延伸的對應上電極之下電極側。
简体摘要：一种半导体记忆设备，具有交越点结构，此半导体记忆设备包括以一方向延伸的复数个上电极(2)，以及与上电极(2)的此一方向成直角的另一方向延伸之复数个下电极(1)。用以存储数据的记忆材料系位于上电极与下电极之间。记忆材料系由钙钛矿材料所组成，并且配置于沿着对应上电极延伸的对应上电极之下电极侧。

6. 发明专利

TW200731546A 可變電阻元件及其製造方法失效
简体标题：可变电阻组件及其制造方法
公开(公告)号：TW200731546A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：TW095130694
申请日：2006-08-21
申请人：夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA , 獨立行政法人產業技術綜合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：細井康成 HOSOI, YASUNARI , 大西茂夫 OHNISHI, SHIGEO , 荻本泰史 OGIMOTO, YASUSHI , 岡隆史 OKA, TAKASHI , 永長直人 NAGAOSA, NAOTO , 十倉好紀 TOKURA, YOSHINORI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01C7/1013 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , H01C7/115 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
摘要：本發明提供一種可變電阻元件,其係於2個金屬電極之間設置包含强關聯材料之可變電阻體,藉由向金屬電極間施加電壓脈衝而變化金屬電極間之電阻者,藉由明確之切換動作原理之支持,而恰當設計金屬電極及可變電阻體,可實施電阻之低電阻狀態與高電阻狀態間之電阻比較大的切換動作。設定第1電極與可變電阻體之材料及組成,以藉由施加電壓脈衝,於2個金屬電極1、3之任一方之第1電極與可變電阻體2之界面中產生金屬絕緣體轉變。再者,第1電極與可變電阻體之功函數差為於可變電阻體之與第1電極之界面附近可形成金屬相與絕緣體相之2相共存相之功函數差。
简体摘要：本发明提供一种可变电阻组件,其系于2个金属电极之间设置包含强关联材料之可变电阻体,借由向金属电极间施加电压脉冲而变化金属电极间之电阻者,借由明确之切换动作原理之支持,而恰当设计金属电极及可变电阻体,可实施电阻之低电阻状态与高电阻状态间之电阻比较大的切换动作。设置第1电极与可变电阻体之材料及组成,以借由施加电压脉冲,于2个金属电极1、3之任一方之第1电极与可变电阻体2之界面中产生金属绝缘体转变。再者,第1电极与可变电阻体之功函数差为于可变电阻体之与第1电极之界面附近可形成金属相与绝缘体相之2相共存相之功函数差。

7. 发明专利

TW200631163A 半導體記憶裝置的結構及製造方法 STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体记忆设备的结构及制造方法 STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
公开(公告)号：TW200631163A
公开(公告)日：2006-09-01
申请号：TW094138441
申请日：2005-11-02
申请人：夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：大西哲也 OHNISHI, TETSUYA , 新村尚之 SHINMURA, NAOYUKI , 山崎信夫 YAMAZAKI, SHINOBU , 澀谷隆廣 SHIBUYA, TAKAHIRO , 中野貴司 NAKANO, TAKASHI , 田尻雅之 TAJIRI, MASAYUKI , 大西茂夫 OHNISHI, SHIGEO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/77 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/147 , H01L45/1625
摘要：一種半導體記億裝置，具有交越點結構，此半導體記憶裝置包括以一方向延伸的複數個上電極(2)，以及與上電極(2)的此一方向成直角的另一方向延伸之複數個下電極(1)。用以儲存資料的記憶材料係位於上電極與下電極之間。記憶材料係由鈣鈦礦材料所組成，並且配置於沿著對應上電極延伸的對應上電極之下電極側。
简体摘要：一种半导体记亿设备，具有交越点结构，此半导体记忆设备包括以一方向延伸的复数个上电极(2)，以及与上电极(2)的此一方向成直角的另一方向延伸之复数个下电极(1)。用以存储数据的记忆材料系位于上电极与下电极之间。记忆材料系由钙钛矿材料所组成，并且配置于沿着对应上电极延伸的对应上电极之下电极侧。

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