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1. 发明专利

TW201720947A 形成矽鍺錫膜的方法和包括該膜的結構與裝置审中-公开
简体标题：形成硅锗锡膜的方法和包括该膜的结构与设备
公开(公告)号：TW201720947A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105129977
申请日：2016-09-14
申请人： ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：馬各提斯喬 , MARGETIS, JOE , 托勒約翰 , TOLLE, JOHN
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/455 , C30B25/08 , C30B29/10 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02535 , H01L21/0245 , H01L21/02452 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L29/161 , H01L29/165
摘要：經揭示者為形成矽鍺錫(SixGe1-xSny)膜的方法。例示性方法包括在外延化學氣相沉積反應器中生長含有矽、鍺及錫的膜，且例示性方法適用於大量製造；亦經揭示者為包括矽鍺錫膜的結構與裝置。
简体摘要：经揭示者为形成硅锗锡(SixGe1-xSny)膜的方法。例示性方法包括在外延化学气相沉积反应器中生长含有硅、锗及锡的膜，且例示性方法适用于大量制造；亦经揭示者为包括硅锗锡膜的结构与设备。

2. 发明专利

TWI552228B 在微電子裝置中形成低帶隙源極和汲極結構之方法有权
简体标题：在微电子设备中形成低带隙源极和汲极结构之方法
公开(公告)号：TWI552228B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW103132989
申请日：2014-09-24
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：羅伊斯瑞菲爾 , RIOS, RAFAEL , 寇利爾羅沙 , KOTLYAR, ROZA , 坎恩克萊恩 , KUHN, KELIN J.
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/336 , H01L29/772 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/02532 , H01L21/02535 , H01L21/28512 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/401 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/66477 , H01L29/66795

3. 发明专利

TW201222669A 沉積含鍺層之方法 METHODS FOR DEPOSITING GERMANIUM-CONTAINING LAYERS 失效
简体标题：沉积含锗层之方法 METHODS FOR DEPOSITING GERMANIUM-CONTAINING LAYERS
公开(公告)号：TW201222669A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100126646
申请日：2011-07-27
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：聖契茲艾羅 , 黃怡喬 , 卡爾森大衛K
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/0237 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02535 , H01L21/02573 , H01L21/0262
摘要：在此提供用於沉積含鍺層於含矽層上的方法。在一些實施例中，一種方法可包括以下步驟：沉積一第一層於該含矽層的一上表面頂上，其中該第一層主要包含鍺(Ge)並且進一步包含一晶格調整元素，該晶格調整元素具有選以強化多個摻質元素的電活性的一濃度，其中該等摻質元素配置在該第一層的至少一者中或配置在沉積於該第一層頂上的一視情況任選的第二層中，其中該視情況任選的第二層若存在時則主要包含鍺(Ge)。在一些實施例中，該第二層沉積在該第一層頂上。在一些實施例中，該第二層包含鍺(Ge)與多個摻質元素。
简体摘要：在此提供用于沉积含锗层于含硅层上的方法。在一些实施例中，一种方法可包括以下步骤：沉积一第一层于该含硅层的一上表面顶上，其中该第一层主要包含锗(Ge)并且进一步包含一晶格调整元素，该晶格调整元素具有选以强化多个掺质元素的电活性的一浓度，其中该等掺质元素配置在该第一层的至少一者中或配置在沉积于该第一层顶上的一视情况任选的第二层中，其中该视情况任选的第二层若存在时则主要包含锗(Ge)。在一些实施例中，该第二层沉积在该第一层顶上。在一些实施例中，该第二层包含锗(Ge)与多个掺质元素。

4. 发明专利

TW201810366A 經由差排過濾形成磊晶層审中-公开
简体标题：经由差排过滤形成磊晶层
公开(公告)号：TW201810366A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106120902
申请日：2017-06-22
申请人： ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：馬各提斯喬 , MARGETIS, JOE , 托勒約翰 , TOLLE, JOHN
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/02005 , H01L21/0245 , H01L21/02452 , H01L21/02502 , H01L21/02507 , H01L21/02532 , H01L21/02535 , H01L21/0262 , H01L21/67167 , H01L21/7688
摘要：本發明揭示一種用於形成厚的無缺陷磊晶層之方法。該方法可包含在形成厚的無缺陷磊晶層之前形成緩衝層及犧牲層。犧牲層及厚的無缺陷磊晶層可由相同的材料及相同的方法條件所形成。
简体摘要：本发明揭示一种用于形成厚的无缺陷磊晶层之方法。该方法可包含在形成厚的无缺陷磊晶层之前形成缓冲层及牺牲层。牺牲层及厚的无缺陷磊晶层可由相同的材料及相同的方法条件所形成。

5. 发明专利

TW201631672A Ｐ型氧化物半導體薄膜之原子層沉積审中-公开
简体标题：Ｐ型氧化物半导体薄膜之原子层沉积
公开(公告)号：TW201631672A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104142531
申请日：2015-12-17
申请人：高通微機電系統科技公司 , QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：野村健二 , NOMURA, KENJI , 洪約翰元丘 , HONG, JOHN HYUNCHUL
IPC分类号： H01L21/365 , H01L21/8249 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66969 , C23C16/407 , C23C16/45531 , C23C16/45534 , H01L21/02422 , H01L21/02535 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L27/1225 , H01L29/7869
摘要：本文中提供藉由原子層沉積(ALD)沉積之p型金屬氧化物薄膜之方法。亦提供p型金屬氧化物薄膜及包括p型金屬氧化物通道之TFT。在一些實施中，該等p型金屬氧化物薄膜具有小於1019/cm3之一金屬及氧空位缺陷密度。該等p型金屬氧化物薄膜可貫穿該等薄膜之整體厚度為電活化的。
简体摘要：本文中提供借由原子层沉积(ALD)沉积之p型金属氧化物薄膜之方法。亦提供p型金属氧化物薄膜及包括p型金属氧化物信道之TFT。在一些实施中，该等p型金属氧化物薄膜具有小于1019/cm3之一金属及氧空位缺陷密度。该等p型金属氧化物薄膜可贯穿该等薄膜之整体厚度为电活化的。

6. 发明专利

TWI460793B 沉積含鍺層之方法失效
简体标题：沉积含锗层之方法
公开(公告)号：TWI460793B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW100126646
申请日：2011-07-27
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：聖契茲艾羅 , SANCHEZ, ERROL , 黃怡喬 , HUANG, YI CHIAU , 卡爾森大衛K , CARLSON, DAVID K.
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/0237 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02535 , H01L21/02573 , H01L21/0262

7. 发明专利

TW201331997A 在基板上沉積矽鍺錫層的方法审中-公开
简体标题：在基板上沉积硅锗锡层的方法
公开(公告)号：TW201331997A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW102100949
申请日：2013-01-10
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：黃怡喬 , HUANG, YI CHIAU , 桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C.
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/02535 , C23C16/30 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L29/161 , H01L29/7848
摘要：本文揭露在基板上沉積矽鍺錫(SiGeSn)層的方法。在某些實施例中，本發明之方法可包括下列步驟：在約450攝氏度或更低之溫度下，且在約100托耳或更低之壓力下，將矽源、鍺源及錫源共同流入製程腔室，以於基板之第一表面上沉積該SiGeSn層，其中該錫源包含錫鹵化物。在某些實施例中，該錫鹵化物包含四氯化錫(SnCl4)。
简体摘要：本文揭露在基板上沉积硅锗锡(SiGeSn)层的方法。在某些实施例中，本发明之方法可包括下列步骤：在约450摄氏度或更低之温度下，且在约100托耳或更低之压力下，将硅源、锗源及锡源共同流入制程腔室，以于基板之第一表面上沉积该SiGeSn层，其中该锡源包含锡卤化物。在某些实施例中，该锡卤化物包含四氯化锡(SnCl4)。

8. 发明专利

TWI607110B 形成包括鍺錫之膜的方法及包括膜的結構及裝置有权
简体标题：形成包括锗锡之膜的方法及包括膜的结构及设备
公开(公告)号：TWI607110B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW103120478
申请日：2014-06-13
申请人： ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：托勒約翰 , TOLLE, JOHN
IPC分类号： C23C16/06 , C30B25/02 , C30B29/08 , H01L31/028 , H01L33/34
CPC分类号： H01L21/02532 , C30B25/183 , C30B29/52 , H01L21/02535 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/161 , H01L29/165

9. 发明专利

TW201735370A 半導體元件审中-公开
简体标题：半导体组件
公开(公告)号：TW201735370A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106108596
申请日：2017-03-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. , 國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：藍偟翔 , LAN, HUANG SIANG , 劉致為 , LIU, CHEE WEE , 劉繼文 , LIU, CHI WEN , 黃仕賢 , HUANG, SHIH HSIEN , 翁翊軒 , WONG, I HSIEH , 葉泓佑 , YEH, HUNG YU , 蔡仲恩 , TSAI, CHUNG EN
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7849 , H01L21/02535 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L21/823864 , H01L27/0924 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/165 , H01L29/66545
摘要：一種半導體元件，包含一沿一第一方向延伸於一基材之上之鰭片與一沿一第二方向延伸覆蓋該鰭片之閘極結構。該閘極結構包含一閘極介電層覆蓋該鰭片、一閘極電極覆蓋該閘極介電層與沿第二方向延伸之閘極電極相對側表面上的絕緣閘極側壁。一源極/汲極區域形成於與閘極電極結構相鄰區域中的鰭片中，而一應力體層介於該源極/汲極區域與該半導體基材之間。該應力體層包含含有1019atoms cm-3或低於之摻雜物之錫化鍺(GeSn)或矽鍺錫(SiGeSn)，而一部分在閘極結構下之該鰭片為一通道區域。
简体摘要：一种半导体组件，包含一沿一第一方向延伸于一基材之上之鳍片与一沿一第二方向延伸覆盖该鳍片之闸极结构。该闸极结构包含一闸极介电层覆盖该鳍片、一闸极电极覆盖该闸极介电层与沿第二方向延伸之闸极电极相对侧表面上的绝缘闸极侧壁。一源极/汲极区域形成于与闸极电极结构相邻区域中的鳍片中，而一应力体层介于该源极/汲极区域与该半导体基材之间。该应力体层包含含有1019atoms cm-3或低于之掺杂物之锡化锗(GeSn)或硅锗锡(SiGeSn)，而一部分在闸极结构下之该鳍片为一信道区域。

10. 发明专利

TWI595537B 半導體薄膜穩定的方法有权
简体标题：半导体薄膜稳定的方法
公开(公告)号：TWI595537B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW102119967
申请日：2013-06-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：黃奕樵 , HUANG, YI CHIAU , 金以寬 , KIM, YIHWAN , 桑徹斯艾羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C.
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02535 , C30B25/02 , C30B29/52 , C30B31/06 , C30B33/02 , C30B33/12 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L29/7848

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