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1. 发明专利

TW201425322A 光分解性材料、基板及其圖型形成方法审中-公开
简体标题：光分解性材料、基板及其图型形成方法
公开(公告)号：TW201425322A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102136769
申请日：2013-10-11
申请人：國立大學法人富山大學 , UNIVERSITY OF TOYAMA , 日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：北野博巳 , KITANO, HIROMI , 中路正 , NAKAJI, TADASHI , 源明誠 , GEMMEI, MAKOTO , 岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO , 木村茂雄 , KIMURA, SHIGEO , 広井佳臣 , HIROI, YOSHIOMI , 臼井友輝 , USUI, YUKI
IPC分类号： C07F7/02 , C07C211/62 , G03F7/039 , G03F7/075 , C12N11/08 , C12M1/22 , C12M3/00
CPC分类号： C12M23/20 , C08F230/08 , C12M23/30 , C12M25/02 , C12M31/00 , G03F7/0757 , Y10T428/24479 , Y10T428/24802 , Y10T428/31612 , Y10T428/31663
摘要：本發明之課題在於提供可形成更微細的圖型，而且不受光源所限定，對於各式各樣的細胞種、蛋白質、病毒等之吸附/黏著控制亦可適用之新材料。本發明之解決手段為一種光分解性材料，其含有可經由矽氧烷鍵來鍵結於基板表面之部分與下述式(2-a)或/及式(2-b)所示的構造單位； (式中，R2至R4表示飽和直鏈烷基，X表示氫原子或烷基，Z表示碳陰離子或硫陰離子，Q表示酯鍵結基、磷酸二酯鍵結基、醯胺鍵結基、伸烷基或伸苯基、或此等二價的基之組合，m1表示1至200之整數，n表示1至10之整數)。
简体摘要：本发明之课题在于提供可形成更微细的图型，而且不受光源所限定，对于各式各样的细胞种、蛋白质、病毒等之吸附/黏着控制亦可适用之新材料。本发明之解决手段为一种光分解性材料，其含有可经由硅氧烷键来键结于基板表面之部分与下述式(2-a)或/及式(2-b)所示的构造单位； (式中，R2至R4表示饱和直链烷基，X表示氢原子或烷基，Z表示碳阴离子或硫阴离子，Q表示酯键结基、磷酸二酯键结基、酰胺键结基、伸烷基或伸苯基、或此等二价的基之组合，m1表示1至200之整数，n表示1至10之整数)。

3. 发明专利

TW201602260A 具有活體物質的附著抑制能之離子複合材料审中-公开
简体标题：具有活体物质的附着抑制能之离子复合材料
公开(公告)号：TW201602260A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104106778
申请日：2015-03-03
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. , 國立大學法人富山大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION UNIVERSITY OF TOYAMA
发明人：広井佳臣 , HIROI, YOSHIOMI , 岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO , 西野泰斗 , NISHINO, TAITO , 大谷彩子 , OTANI, AYAKO , 源明誠 , GEMMEI, MAKOTO
IPC分类号： C09D133/14 , C09D141/00 , C08F220/38 , C08F220/34 , C08F228/02 , A61L27/34 , A61L31/10 , A61M1/14
CPC分类号： C09D133/14 , A61M1/14 , A61M1/3621 , A61M2205/0238 , C08F220/34 , C08F220/38 , C08F220/54 , C09D141/00 , C09D201/02 , C08F2220/382
摘要：一種塗膜，其係使包含共聚物及溶媒之塗膜形成用組成物接觸至基體後，予以乾燥而形成，該共聚物包含：含下述(式a)所示之有機基的重複單元、及含下述(式b)所示之有機基的重複單元； (式中，Ua1表示氫原子或鹼金屬原子，Ub1及Ub2各自獨立地表示氫原子或碳原子數1~5之直鏈或分枝烷基)。
简体摘要：一种涂膜，其系使包含共聚物及溶媒之涂膜形成用组成物接触至基体后，予以干燥而形成，该共聚物包含：含下述(式a)所示之有机基的重复单元、及含下述(式b)所示之有机基的重复单元； (式中，Ua1表示氢原子或碱金属原子，Ub1及Ub2各自独立地表示氢原子或碳原子数1~5之直链或分枝烷基)。

4. 发明专利

TW201920293A 經細胞之選擇性分離用或細胞培養用聚合物被覆的基體审中-公开
简体标题：经细胞之选择性分离用或细胞培养用聚合物被覆的基体
公开(公告)号：TW201920293A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107123766
申请日：2018-07-10
申请人：國立大學法人富山大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION UNIVERSITY OF TOYAMA , 日商日產化學股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL CORPORATION
发明人：北野博巳 , KITANO, HIROMI , 中路正 , NAKAJI, TADASHI , 臼井友輝 , USUI, YUKI , 西野泰斗 , NISHINO, TAITO , 岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO
IPC分类号： C07K17/08 , C12M3/00 , B01J20/24 , C08F220/34 , C08F220/36 , C08F220/40 , C12M1/00 , C12N1/02 , C07K11/00 , C12M1/34
摘要：本發明係提供一種在表面的至少一部分被覆有包含下述式(1a)及式(1b)所示之結構單元的聚合物(P1)的附有配體之基體；及其原材料，以及其製造方法；(式中，R1、R2、X、Y、L、Q1、Q2、Q3、m1、m2及n係如申請專利範圍及說明書所記載)。
简体摘要：本发明系提供一种在表面的至少一部分被覆有包含下述式(1a)及式(1b)所示之结构单元的聚合物(P1)的附有配体之基体；及其原材料，以及其制造方法；(式中，R1、R2、X、Y、L、Q1、Q2、Q3、m1、m2及n系如申请专利范围及说明书所记载)。

5. 发明专利

TWI618985B 具有碸構造之含矽阻劑底層膜形成組成物有权
简体标题：具有砜构造之含硅阻剂底层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI618985B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW101128962
申请日：2012-08-10
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 佐久間大輔 , SAKUMA, DAISUKE , 菅野裕太 , KANNO, YUTA , 岸岡高廣 , KISHIOKA, TAKAHIRO
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0274 , C07F7/182 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0276 , H01L21/31133

6. 发明专利

TW201807504A 含有特定交聯劑之保護膜形成組成物及使用其之圖型形成方法审中-公开
简体标题：含有特定交联剂之保护膜形成组成物及使用其之图型形成方法
公开(公告)号：TW201807504A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106114125
申请日：2017-04-27
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：大橋智也 , OHASHI, TOMOYA , 緒方裕斗 , OGATA, HIROTO , 橋本雄人 , HASHIMOTO, YUTO , 臼井友輝 , USUI, YUKI , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/306
摘要：提供一種對鹼性過氧化氫水溶液形成保護膜之組成物。提供一種含有1分子中具有2個以上之由縮水甘油基、末端環氧基、環氧基環戊基、環氧基環己基、氧雜環丁基、乙烯基醚基、異氰酸酯基及封閉型異氰酸酯基所成群組中選出的至少1種基的交聯劑、側鏈或末端具有以下述式(1)所表示之基且重量平均分子量為800以上的化合物、及有機溶劑的對鹼性過氧化氫水溶液形成保護膜之組成物。 (式中，X1表示與前述交聯劑反應之取代基，R0表示直接鍵結或碳原子數1或2的伸烷基，X2表示碳原子數1或2的烷基、碳原子數1或2的烷氧基、或氟基，a表示0~2的整數，b表示1~3的整數，c表示0~4的整數，b與c符合1≦(b+c)≦5之關係式。)
简体摘要：提供一种对碱性过氧化氢水溶液形成保护膜之组成物。提供一种含有1分子中具有2个以上之由缩水甘油基、末端环氧基、环氧基环戊基、环氧基环己基、氧杂环丁基、乙烯基醚基、异氰酸酯基及封闭型异氰酸酯基所成群组中选出的至少1种基的交联剂、侧链或末端具有以下述式(1)所表示之基且重量平均分子量为800以上的化合物、及有机溶剂的对碱性过氧化氢水溶液形成保护膜之组成物。 (式中，X1表示与前述交联剂反应之取代基，R0表示直接键结或碳原子数1或2的伸烷基，X2表示碳原子数1或2的烷基、碳原子数1或2的烷氧基、或氟基，a表示0~2的整数，b表示1~3的整数，c表示0~4的整数，b与c符合1≦(b+c)≦5之关系式。)

7. 发明专利

TW201611659A 表面粗化方法审中-公开
公开(公告)号：TW201611659A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104110079
申请日：2015-03-27
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO
IPC分类号： H05B33/10 , H05B33/02 , H01L51/50 , B05D7/24 , B05D3/10
CPC分类号： H01L51/5268 , H01L2251/5369
摘要：本發明係提供一種使基板之表面粗化方法。本發明之表面粗化方法，其係包含如下步驟：第1步驟，其係於基板上或較基板上方之層上塗佈含有無機粒子(a1)與有機樹脂(a2)之組成物(a3)，並進行乾燥與硬化而形成有機樹脂層(A)；第2步驟，其係從該基板之上方進行蝕刻而使同基板之表面進行粗化。前述蝕刻係至少進行1次，其中至少一次的蝕刻係以氧系氣體進行氣體蝕刻或以酸性水溶液進行濕式蝕刻。前述無機粒子(a1)為平均粒徑5~1000nm之金屬氧化物粒子。前述組成物(a3)係含有作為無機粒子(a1)之二氧化矽分散於有機溶劑之二氧化矽溶膠、及有機樹脂(a2)之溶液。前述有機樹脂層(A)係相對於有機樹脂(a2)100質量份以5~50質量份之比率含有無機粒子(a1)。前述組成物(a3)為更含有交聯劑及交聯觸媒。所形成之表面粗化層為LED的光取出層。
简体摘要：本发明系提供一种使基板之表面粗化方法。本发明之表面粗化方法，其系包含如下步骤：第1步骤，其系于基板上或较基板上方之层上涂布含有无机粒子(a1)与有机树脂(a2)之组成物(a3)，并进行干燥与硬化而形成有机树脂层(A)；第2步骤，其系从该基板之上方进行蚀刻而使同基板之表面进行粗化。前述蚀刻系至少进行1次，其中至少一次的蚀刻系以氧系气体进行气体蚀刻或以酸性水溶液进行湿式蚀刻。前述无机粒子(a1)为平均粒径5~1000nm之金属氧化物粒子。前述组成物(a3)系含有作为无机粒子(a1)之二氧化硅分散于有机溶剂之二氧化硅溶胶、及有机树脂(a2)之溶液。前述有机树脂层(A)系相对于有机树脂(a2)100质量份以5~50质量份之比率含有无机粒子(a1)。前述组成物(a3)为更含有交联剂及交联触媒。所形成之表面粗化层为LED的光取出层。

8. 发明专利

TWI503325B 單分子層或多分子層形成用組成物有权
简体标题：单分子层或多分子层形成用组成物
公开(公告)号：TWI503325B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW100137329
申请日：2011-10-14
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：岸岡高廣 , KISHIOKA, TAKAHIRO , 佐久間大輔 , SAKUMA, DAISUKE , 木村茂雄 , KIMURA, SHIGEO , 西卷裕和 , NISHIMAKI, HIROKAZU , 大橋智也 , OHASHI, TOMOYA , 臼井友輝 , USUI, YUKI
IPC分类号： C07F7/18 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0752 , C07F7/1836 , C08G77/28 , C09D183/08 , G03F7/0751 , G03F7/165 , G03F7/20 , G03F7/30

9. 发明专利

TWI490654B 含有含羥基縮合系樹脂之光阻底層膜形成組成物有权
简体标题：含有含羟基缩合系树脂之光阻底层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI490654B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW096122082
申请日：2007-06-20
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：廣井佳臣 , HIROI, YOSHIOMI , 岸岡高廣 , KISHIOKA, TAKAHIRO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08G63/58 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08G63/19 , C08G63/672 , C08G63/6856 , G03F7/094 , G03F7/11

10. 发明专利

TWI431029B 含三聚異氰酸化合物與苯甲酸化合物之反應生成物的防反射膜形成用組成物有权
简体标题：含三聚异氰酸化合物与苯甲酸化合物之反应生成物的防反射膜形成用组成物
公开(公告)号：TWI431029B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW094134973
申请日：2005-10-06
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：岸岡高廣 , KISHIOKA, TAKAHIRO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 丸山大輔 , MARUYAMA, DAISUKE
IPC分类号： C08G18/79 , C08G73/06 , G03F7/11 , H01L21/027

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