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1. 发明专利

TWI395232B 晶片電阻器及其製造方法有权
简体标题：芯片电阻器及其制造方法
公开(公告)号：TWI395232B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW098103896
申请日：2009-02-06
申请人：國巨股份有限公司 , YAGEO CORPORATION
发明人：楊志忠 , YANG, CHIH CHUNG , 吳文豐 , WU, WEN FON , 林美玲 , LIN, MEI LING , 吳文正 , WU, WEN CHENG , 陳財虎 , CHEN, TSAI HU , 孔文星 , KONG, WEN HSING
IPC分类号： H01C17/06
CPC分类号： H01C1/032 , H01C1/148 , H01C7/003 , H01C17/006 , H01C17/02 , Y10T29/49099

2. 发明专利

TW201011783A 晶片電阻器及其製造方法 CHIP RESISTOR AND METHOD FOR MAKING THE SAME 审中-公开
简体标题：芯片电阻器及其制造方法 CHIP RESISTOR AND METHOD FOR MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW201011783A
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：TW097134233
申请日：2008-09-05
申请人：國巨股份有限公司
发明人：簡高柏 , 吳文豐 , 吳文正 , 洪宗塔
IPC分类号： H01C
摘要：本發明係關於一種晶片電阻器及其製造方法，該晶片電阻器包括一基材、二背面電極、一電阻層、二正面電極、二正面輔助電極、一第一保護層、一第二保護層、二側面電極及至少一鍍層。該等背面電極係位於該基材之背面上。該電阻層及該等正面電極係位於該基材之正面上。且該正面電極之內端部係疊接於該電阻層之端部。該等正面輔助電極係位於該等正面電極上。該第一保護層及該第二保護層保護該電阻層。該側面電極係位於該基材之側面。該鍍層覆蓋該等正面輔助電極、該等背面電極及該等側面電極。藉此，該晶片電阻器具有高抗腐蝕能力。
简体摘要：本发明系关于一种芯片电阻器及其制造方法，该芯片电阻器包括一基材、二背面电极、一电阻层、二正面电极、二正面辅助电极、一第一保护层、一第二保护层、二侧面电极及至少一镀层。该等背面电极系位于该基材之背面上。该电阻层及该等正面电极系位于该基材之正面上。且该正面电极之内端部系叠接于该电阻层之端部。该等正面辅助电极系位于该等正面电极上。该第一保护层及该第二保护层保护该电阻层。该侧面电极系位于该基材之侧面。该镀层覆盖该等正面辅助电极、该等背面电极及该等侧面电极。借此，该芯片电阻器具有高抗腐蚀能力。

3. 发明专利

TW201030772A 晶片電阻器及其製造方法 CHIP RESISTOR AND METHOD FOR MAKING THE SAME 审中-公开
简体标题：芯片电阻器及其制造方法 CHIP RESISTOR AND METHOD FOR MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW201030772A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098103896
申请日：2009-02-06
申请人：國巨股份有限公司
发明人：楊志忠 , 吳文豐 , 林美玲 , 吳文正 , 陳財虎 , 孔文星
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C1/032 , H01C1/148 , H01C7/003 , H01C17/006 , H01C17/02 , Y10T29/49099
摘要：本發明係關於一種晶片電阻器及其製造方法,該晶片電阻器包括一基板、二背面電極、一電阻層、二正面電極、一第一保護層、二障壁層、一第二保護層、二側面電極及至少一鍍層。該第一保護層係位於該電阻層上方,且覆蓋部分該等正面電極。該等障壁層係位於該等正面電極上,且覆蓋部分該第一保護層。該第二保護層係位於該第一保護層上,且覆蓋部分該等障壁層。該至少一鍍層係覆蓋該等障壁層、該等背面電極及該等側面電極。藉此,該晶片電阻器具有高抗腐蝕能力。
简体摘要：本发明系关于一种芯片电阻器及其制造方法,该芯片电阻器包括一基板、二背面电极、一电阻层、二正面电极、一第一保护层、二障壁层、一第二保护层、二侧面电极及至少一镀层。该第一保护层系位于该电阻层上方,且覆盖部分该等正面电极。该等障壁层系位于该等正面电极上,且覆盖部分该第一保护层。该第二保护层系位于该第一保护层上,且覆盖部分该等障壁层。该至少一镀层系覆盖该等障壁层、该等背面电极及该等侧面电极。借此,该芯片电阻器具有高抗腐蚀能力。

4. 发明专利

TWI351040B 晶片電阻器及其製造方法 CHIP RESISTOR AND METHOD FOR MAKING THE SAME 有权
简体标题：芯片电阻器及其制造方法 CHIP RESISTOR AND METHOD FOR MAKING THE SAME
公开(公告)号：TWI351040B
公开(公告)日：2011-10-21
申请号：TW097134233
申请日：2008-09-05
申请人：國巨股份有限公司
发明人：簡高柏 , 吳文豐 , 吳文正 , 洪宗塔
IPC分类号： H01C
摘要：本發明係關於一種晶片電阻器及其製造方法，該晶片電阻器包括一基材、二背面電極、一電阻層、二正面電極、二正面輔助電極、一第一保護層、一第二保護層、二側面電極及至少一鍍層。該等背面電極係位於該基材之背面上。該電阻層及該等正面電極係位於該基材之正面上。且該正面電極之內端部係疊接於該電阻層之端部。該等正面輔助電極係位於該等正面電極上。該第一保護層及該第二保護層保護該電阻層。該側面電極係位於該基材之側面。該鍍層覆蓋該等正面輔助電極、該等背面電極及該等側面電極。藉此，該晶片電阻器具有高抗腐蝕能力。
简体摘要：本发明系关于一种芯片电阻器及其制造方法，该芯片电阻器包括一基材、二背面电极、一电阻层、二正面电极、二正面辅助电极、一第一保护层、一第二保护层、二侧面电极及至少一镀层。该等背面电极系位于该基材之背面上。该电阻层及该等正面电极系位于该基材之正面上。且该正面电极之内端部系叠接于该电阻层之端部。该等正面辅助电极系位于该等正面电极上。该第一保护层及该第二保护层保护该电阻层。该侧面电极系位于该基材之侧面。该镀层覆盖该等正面辅助电极、该等背面电极及该等侧面电极。借此，该芯片电阻器具有高抗腐蚀能力。

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