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1. 发明专利

TW201823499A 批次式鍍膜製程系統审中-公开
简体标题：批次式镀膜制程系统
公开(公告)号：TW201823499A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105144014
申请日：2016-12-30
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：李文傑 , 梁仕昌 , 魏肇男 , 倪國裕 , 薄慧雲 , 余友軒 , 林俊霆 , 柯志忠 , 蕭銘華
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455
摘要：本發明提供一種批次式鍍膜製程系統，其包含有至少一氣體盤；多數設於氣體盤之前驅物注入管，各前驅物注入管之兩端係分別包括有一前驅物入口及一前驅物出口，各前驅物入口係位於氣體盤中，而各前驅物出口係位於氣體盤之一面上；以及多數設於氣體盤且分別圍繞於各前驅物注入管周圍之排氣管，使各排氣管與各前驅物注入管呈陣列式排列，而各排氣管之兩端係分別包括有一排氣入口及一排氣出口，各排氣入口係位於氣體盤之一面上，而各排氣出口係位於氣體盤中。藉此，可將各前驅物注入管及各排氣管陣列式排列，以縮短基板與各前驅物注入管及各排氣管間之距離，而可快速移除沉積反應後剩餘之氣體，進而有效提升製程之均勻性。
简体摘要：本发明提供一种批次式镀膜制程系统，其包含有至少一气体盘；多数设于气体盘之前驱物注入管，各前驱物注入管之两端系分别包括有一前驱物入口及一前驱物出口，各前驱物入口系位于气体盘中，而各前驱物出口系位于气体盘之一面上；以及多数设于气体盘且分别围绕于各前驱物注入管周围之排气管，使各排气管与各前驱物注入管呈数组式排列，而各排气管之两端系分别包括有一排气入口及一排气出口，各排气入口系位于气体盘之一面上，而各排气出口系位于气体盘中。借此，可将各前驱物注入管及各排气管数组式排列，以缩短基板与各前驱物注入管及各排气管间之距离，而可快速移除沉积反应后剩余之气体，进而有效提升制程之均匀性。

2. 发明专利

TWI596234B 銅銦鎵硒薄膜硫化裝置有权
简体标题：铜铟镓硒薄膜硫化设备
公开(公告)号：TWI596234B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW105138746
申请日：2016-11-25
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：吳政翰 , 梁仕昌 , 魏肇男 , 倪國裕 , 薄慧雲 , 許春耀 , 黃鵬丞
IPC分类号： C23C8/08 , H01L31/0445 , H01L31/0749
CPC分类号： Y02E10/50

3. 发明专利

TWI586823B 可量化固態物質蒸鍍量之裝置及其方法有权
简体标题：可量化固态物质蒸镀量之设备及其方法
公开(公告)号：TWI586823B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW105138747
申请日：2016-11-25
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：鍾德儒 , 李文傑 , 梁仕昌 , 魏肇男 , 倪國裕 , 薄慧雲
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/541 , C23C14/545

4. 实用新型

TWM507432U 可提升蒸鍍材料使用率之線性蒸鍍裝置有权
简体标题：可提升蒸镀材料使用率之线性蒸镀设备
公开(公告)号：TWM507432U
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW103219719
申请日：2014-11-07
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：梁仕昌 , LIANG, SHIH CHANG , 黃偉傑 , HUANG, WEI CHIEH , 魏肇男 , WEI, CHAO NAN , 倪國裕 , NI, CUO YO , 薄慧雲 , BOR, HUI YUN
IPC分类号： C23C14/00

5. 发明专利

TWI485276B 提升硒化物薄膜成長品質之蒸鍍裝置有权
简体标题：提升硒化物薄膜成长品质之蒸镀设备
公开(公告)号：TWI485276B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW102144505
申请日：2013-12-05
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：梁仕昌 , LIANG, SHIH CHANG , 黃偉傑 , HUANG, WEI CHIEH , 魏肇男 , WEI, CHAO NAN , 倪國裕 , NI, CUO YO , 薄慧雲 , BOR, HUI YUN
IPC分类号： C23C14/24

6. 实用新型

TWM495610U 一種可降低接觸電阻之具高導電性薄膜結構有权
简体标题：一种可降低接触电阻之具高导电性薄膜结构
公开(公告)号：TWM495610U
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW103216541
申请日：2014-09-18
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：梁仕昌 , LIANG, SHIH CHANG , 李可鼎 , LI, KE DING , 魏肇男 , WEI, CHAO NAN , 倪國裕 , NI, CUO YO , 薄慧雲 , BOR, HUI YUN
IPC分类号： H01B5/14

7. 发明专利

TW201819653A 銅銦鎵硒薄膜硫化裝置审中-公开
简体标题：铜铟镓硒薄膜硫化设备
公开(公告)号：TW201819653A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW105138746
申请日：2016-11-25
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：吳政翰 , 梁仕昌 , 魏肇男 , 倪國裕 , 薄慧雲 , 許春耀 , 黃鵬丞
IPC分类号： C23C8/08 , H01L31/0445 , H01L31/0749
摘要：本發明提供一種銅銦鎵硒薄膜硫化裝置，其包括：一抽氣幫浦；一氣體供應器，其係供以將硫粉加熱產生硫氣體；一反應室，其係分別與該抽氣幫浦與該氣體供應器相互連通；及一氣體分流件，其係設於該反應室內，且該氣體分流件係具有複數薄型通道，該等薄型通道係為堆疊排列且相互平行，每一該薄型通道內係具有一放置槽，以供放置該銅銦鎵硒薄膜。如此一來，藉由該氣體分流件以限制剛進入反應室之紊亂硫氣體必須要分別進入該等薄型通道，而轉換為穩定之層流硫氣體，便能均勻地於每一銅銦鎵硒薄膜之表面上擴散硫氣體，以達到大面積均勻硫化並增加開路電壓，進而提升光電轉換效率。
简体摘要：本发明提供一种铜铟镓硒薄膜硫化设备，其包括：一抽气帮浦；一气体供应器，其系供以将硫粉加热产生硫气体；一反应室，其系分别与该抽气帮浦与该气体供应器相互连通；及一气体分流件，其系设于该反应室内，且该气体分流件系具有复数薄型信道，该等薄型信道系为堆栈排列且相互平行，每一该薄型信道内系具有一放置槽，以供放置该铜铟镓硒薄膜。如此一来，借由该气体分流件以限制刚进入反应室之紊乱硫气体必须要分别进入该等薄型信道，而转换为稳定之层流硫气体，便能均匀地于每一铜铟镓硒薄膜之表面上扩散硫气体，以达到大面积均匀硫化并增加开路电压，进而提升光电转换效率。

8. 发明专利

TW201723215A 一種原子層磊晶系統之進氣管路陣列审中-公开
简体标题：一种原子层磊晶系统之进气管路数组
公开(公告)号：TW201723215A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104142653
申请日：2015-12-18
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：李文傑 , 梁仕昌 , 魏肇男 , 倪國裕 , 薄慧雲 , 蕭銘華 , 林俊霆 , 柯志忠 , 余友軒
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
摘要：本發明提出一種原子層磊晶系統之進氣管路陣列，將前驅物注入口與排氣口陣列式排列，用以縮短前驅物入口-基板-抽氣口之距離，達成快速移除沉積反應後剩餘氣體之目的。
简体摘要：本发明提出一种原子层磊晶系统之进气管路数组，将前驱物注入口与排气口数组式排列，用以缩短前驱物入口-基板-抽气口之距离，达成快速移除沉积反应后剩余气体之目的。

9. 发明专利

TW201617466A 可提升蒸鍍材料使用率之線性蒸鍍裝置审中-公开
简体标题：可提升蒸镀材料使用率之线性蒸镀设备
公开(公告)号：TW201617466A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW103138648
申请日：2014-11-07
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：梁仕昌 , LIANG, SHIH CHANG , 黃偉傑 , HUANG, WEI CHIEH , 魏肇男 , WEI, CHAO NAN , 倪國裕 , NI, CUO YO , 薄慧雲 , BOR, HUI YUN
IPC分类号： C23C14/24
摘要：一種可提升蒸鍍材料使用率之線性蒸鍍裝置，具有一反應腔體，供以對一基材進行鍍膜製程，其特徵在於反應腔體內具有至少一絕熱腔體，且於絕熱腔體內設有一線性蒸鍍源，並透過一混合腔體均勻混合線性蒸鍍源蒸氣，於該絕熱腔體內導入一反應式蒸鍍材之蒸氣，使線性蒸鍍源自混合腔體散出時與反應式蒸鍍材蒸氣進行反應並一併自絕熱腔體噴出以於該基板進行鍍膜，藉此使各蒸鍍材料蒸氣皆可被充分有效利用，提升材料之使用率，同時透過絕熱腔體之高溫環境使反應式蒸鍍材蒸氣產生裂解效應形成更小分子團，係可提升製備而成薄膜之品質。
简体摘要：一种可提升蒸镀材料使用率之线性蒸镀设备，具有一反应腔体，供以对一基材进行镀膜制程，其特征在于反应腔体内具有至少一绝热腔体，且于绝热腔体内设有一线性蒸镀源，并透过一混合腔体均匀混合线性蒸镀源蒸气，于该绝热腔体内导入一反应式蒸镀材之蒸气，使线性蒸镀源自混合腔体散出时与反应式蒸镀材蒸气进行反应并一并自绝热腔体喷出以于该基板进行镀膜，借此使各蒸镀材料蒸气皆可被充分有效利用，提升材料之使用率，同时透过绝热腔体之高温环境使反应式蒸镀材蒸气产生裂解效应形成更小分子团，系可提升制备而成薄膜之品质。

10. 发明专利

TW201724543A 薄膜型太陽能電池审中-公开
简体标题：薄膜型太阳能电池
公开(公告)号：TW201724543A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104142652
申请日：2015-12-18
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：鍾德儒 , CHUNG, TE JU , 梁仕昌 , LIANG, SHIH CHANG , 魏肇男 , WEI, CHAO NAN , 倪國裕 , NI, CUO YO , 薄慧雲 , BOR, HUI YUN , 宋寰欣 , SUNG, HUAN HSIN , 蔡篤承 , TSAI, TU CHEN , 薛富盛 , SHIEU, FUH SHENG
IPC分类号： H01L31/0445
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：本發明提供一種薄膜型太陽能電池，其包括：一基板、一背電極層、一光學吸收層、一第一透明導電薄膜、一第二透明導電薄膜及一上電極層。該第一透明導電薄膜之成分係具有ZnO、MgO和Al2O3，該第二透明導電薄膜之成分係具有ZnO、MgO和Al2O3。如此一來，透過分別將該第一透明導電薄膜與該第二透明導電薄膜作為緩衝層與光窗層之作法，除了能夠避免太陽能電池內使用劇毒物質外，亦能減少電池內部膜層之間的晶格不匹配，並且使n型半導體層與p型之CIGS吸收層間建立良好之p-n接面，以減少復合速率並提高光電轉換效率。
简体摘要：本发明提供一种薄膜型太阳能电池，其包括：一基板、一背电极层、一光学吸收层、一第一透明导电薄膜、一第二透明导电薄膜及一上电极层。该第一透明导电薄膜之成分系具有ZnO、MgO和Al2O3，该第二透明导电薄膜之成分系具有ZnO、MgO和Al2O3。如此一来，透过分别将该第一透明导电薄膜与该第二透明导电薄膜作为缓冲层与光窗层之作法，除了能够避免太阳能电池内使用剧毒物质外，亦能减少电池内部膜层之间的晶格不匹配，并且使n型半导体层与p型之CIGS吸收层间创建良好之p-n接面，以减少复合速率并提高光电转换效率。

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