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1. 发明专利

TW201404930A 基板處理設備以及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备以及基板处理方法
公开(公告)号：TW201404930A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102118994
申请日：2013-05-29
申请人：周星工程有限公司 , JUSUNG ENGINEERING CO., LTD.
发明人：黃喆周 , HWANG, CHUL JOO , 韓政勳 , HAN, JEUNG HOON , 金榮勳 , KIM, YOUNG HOON , 徐承勳 , SEO, SEUNG HOON
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C23C16/458 , C23C16/4584 , C23C16/509 , C23C16/5096 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/28556 , H01L21/32051
摘要：本揭露提供一種基板處理設備以及方法，此種基板處理設備以及方法有助於提高在一基板上沉積的一薄膜的沉積均勻性，並且有助於控制一薄膜的質量，其中此種基板處理設備包含：一處理腔室；一基板支撐件，用於支撐至少一個基板，其中基板支撐件提供於處理腔室的底部中；一腔室蓋，與基板支撐件相面對，腔室蓋用於覆蓋處理腔室的一頂部；以及一氣體分佈件，用於將激發的源氣體局部分佈於基板上，其中與基板支撐件局部面對的氣體分佈件提供於腔室蓋中，其中氣體分佈件利用電漿形成氣體形成電漿，並且透過將源氣體分佈於用於形成電漿的一些電漿區域而激發源氣體。
简体摘要：本揭露提供一种基板处理设备以及方法，此种基板处理设备以及方法有助于提高在一基板上沉积的一薄膜的沉积均匀性，并且有助于控制一薄膜的质量，其中此种基板处理设备包含：一处理腔室；一基板支撑件，用于支撑至少一个基板，其中基板支撑件提供于处理腔室的底部中；一腔室盖，与基板支撑件相面对，腔室盖用于覆盖处理腔室的一顶部；以及一气体分布件，用于将激发的源气体局部分布于基板上，其中与基板支撑件局部面对的气体分布件提供于腔室盖中，其中气体分布件利用等离子形成气体形成等离子，并且透过将源气体分布于用于形成等离子的一些等离子区域而激发源气体。

2. 发明专利

TWI623647B 基板處理設備以及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备以及基板处理方法
公开(公告)号：TWI623647B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW102118994
申请日：2013-05-29
申请人：周星工程有限公司 , JUSUNG ENGINEERING CO., LTD.
发明人：黃喆周 , HWANG, CHUL JOO , 韓政勳 , HAN, JEUNG HOON , 金榮勳 , KIM, YOUNG HOON , 徐承勳 , SEO, SEUNG HOON
IPC分类号： C23C16/54

3. 发明专利

TWI582265B 基板處理設備以及方法有权
简体标题：基板处理设备以及方法
公开(公告)号：TWI582265B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW102118993
申请日：2013-05-29
申请人：周星工程有限公司 , JUSUNG ENGINEERING CO., LTD.
发明人：韓政勳 , HAN, JEUNG HOON , 黃喆周 , HWANG, CHUL JOO , 徐承勳 , SEO, SEUNG HOON , 李相敦 , LEE, SANG DON
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455
CPC分类号： H01J37/32532 , C23C16/455 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , C23C16/458 , C23C16/4584 , C23C16/50 , C23C16/509 , H01L21/02532 , H01L21/0262

4. 发明专利

TWI594299B 基板處理設備有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI594299B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW102124265
申请日：2013-07-05
申请人：周星工程有限公司 , JUSUNG ENGINEERING CO., LTD.
发明人：韓政勳 , HAN, JEUNG HOON , 黃喆周 , HWANG, CHUL-JOO , 金度衡 , KIM, DO HYUNG , 徐承勳 , SEO, SEUNG HOON
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/509 , H01J37/32541 , H01J37/32568

5. 发明专利

TW201413785A 基板處理設備审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201413785A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102124265
申请日：2013-07-05
申请人：周星工程有限公司 , JUSUNG ENGINEERING CO., LTD.
发明人：韓政勳 , HAN, JEUNG HOON , 黃喆周 , HWANG, CHUL-JOO , 金度衡 , KIM, DO HYUNG , 徐承勳 , SEO, SEUNG HOON
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/509 , H01J37/32541 , H01J37/32568
摘要：一種基板處理設備包含：製程腔室；基板支架，用於支撐複數塊基板至少其一，其中基板支架被提供於製程腔室中，以及基板支架依照預定方向旋轉；面對基板支架的腔室蓋，用於覆蓋製程腔室之上側；以及氣體分配器，包含複數個氣體分配模組，用以在基板上分配氣體，其中這些氣體分配模組連接腔室蓋，其中這些氣體分配模組的每一個包含用於形成電漿反應空間的接地電極框以及形成於接地電極框中的電源電極，電源電極連同接地電極框產生電漿放電，其中電源電極的提供方式為鄰近基板支架的邊緣的第二側的高度大於鄰近基板支架的中央的第一側的高度。
简体摘要：一种基板处理设备包含：制程腔室；基板支架，用于支撑复数块基板至少其一，其中基板支架被提供于制程腔室中，以及基板支架依照预定方向旋转；面对基板支架的腔室盖，用于覆盖制程腔室之上侧；以及气体分配器，包含复数个气体分配模块，用以在基板上分配气体，其中这些气体分配模块连接腔室盖，其中这些气体分配模块的每一个包含用于形成等离子反应空间的接地电极框以及形成于接地电极框中的电源电极，电源电极连同接地电极框产生等离子放电，其中电源电极的提供方式为邻近基板支架的边缘的第二侧的高度大于邻近基板支架的中央的第一侧的高度。

6. 发明专利

TW201404929A 基板處理設備以及方法审中-公开
简体标题：基板处理设备以及方法
公开(公告)号：TW201404929A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102118993
申请日：2013-05-29
申请人：周星工程有限公司 , JUSUNG ENGINEERING CO., LTD.
发明人：韓政勳 , HAN, JEUNG HOON , 黃喆周 , HWANG, CHUL JOO , 徐承勳 , SEO, SEUNG HOON , 李相敦 , LEE, SANG DON
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455
CPC分类号： H01J37/32532 , C23C16/455 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , C23C16/458 , C23C16/4584 , C23C16/50 , C23C16/509 , H01L21/02532 , H01L21/0262
摘要：本揭露提供一種基板處理設備以及方法，其中此種基板處理設備包含：一處理腔室；一基板支撐件，用於支撐至少一個基板，其中基板支撐件提供於處理腔室中，以及基板支撐件在一預定方向旋轉；一腔室蓋，與基板支撐件相面對，腔室蓋用於覆蓋處理腔室的一頂部；以及一氣體分佈件，具有用於將氣體分佈於基板的複數個氣體分佈模組，其中氣體分佈模組與腔室蓋相連接，其中每一氣體分佈模組包含彼此面對的一電源電極以及一接地電極，一電漿放電空間形成於電源電極與接地電極之間，以及電漿放電空間不與透過基板支撐件支撐的基板的一薄膜形成區相重疊。
简体摘要：本揭露提供一种基板处理设备以及方法，其中此种基板处理设备包含：一处理腔室；一基板支撑件，用于支撑至少一个基板，其中基板支撑件提供于处理腔室中，以及基板支撑件在一预定方向旋转；一腔室盖，与基板支撑件相面对，腔室盖用于覆盖处理腔室的一顶部；以及一气体分布件，具有用于将气体分布于基板的复数个气体分布模块，其中气体分布模块与腔室盖相连接，其中每一气体分布模块包含彼此面对的一电源电极以及一接地电极，一等离子放电空间形成于电源电极与接地电极之间，以及等离子放电空间不与透过基板支撑件支撑的基板的一薄膜形成区相重叠。

7. 发明专利

TWI623648B 基板處理方法有权
简体标题：基板处理方法
公开(公告)号：TWI623648B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW106107958
申请日：2013-05-29
申请人：周星工程股份有限公司 , JUSUNG ENGINEERING CO., LTD.
发明人：韓政勳 , HAN,JEUNG HOON , 黃喆周 , HWANG,CHUL-JOO , 徐承勳 , SEO,SEUNG HOON , 李相敦 , LEE,SANG DON
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455

8. 发明专利

TW201718936A 基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理方法
公开(公告)号：TW201718936A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW106107958
申请日：2013-05-29
申请人：周星工程股份有限公司 , JUSUNG ENGINEERING CO., LTD.
发明人：韓政勳 , HAN,JEUNG HOON , 黃喆周 , HWANG,CHUL-JOO , 徐承勳 , SEO,SEUNG HOON , 李相敦 , LEE,SANG DON
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455
CPC分类号： H01J37/32532 , C23C16/455 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , C23C16/458 , C23C16/4584 , C23C16/50 , C23C16/509 , H01L21/02532 , H01L21/0262
摘要：本揭露提供一種基板處理設備以及方法，其中此種基板處理設備包含：一處理腔室；一基板支撐件，用於支撐至少一個基板，其中基板支撐件提供於處理腔室中，以及基板支撐件在一預定方向旋轉；一腔室蓋，與基板支撐件相面對，腔室蓋用於覆蓋處理腔室的一頂部；以及一氣體分佈件，具有用於將氣體分佈於基板的複數個氣體分佈模組，其中氣體分佈模組與腔室蓋相連接，其中每一氣體分佈模組包含彼此面對的一電源電極以及一接地電極，一電漿放電空間形成於電源電極與接地電極之間，以及電漿放電空間不與透過基板支撐件支撐的基板的一薄膜形成區相重疊。
简体摘要：本揭露提供一种基板处理设备以及方法，其中此种基板处理设备包含：一处理腔室；一基板支撑件，用于支撑至少一个基板，其中基板支撑件提供于处理腔室中，以及基板支撑件在一预定方向旋转；一腔室盖，与基板支撑件相面对，腔室盖用于覆盖处理腔室的一顶部；以及一气体分布件，具有用于将气体分布于基板的复数个气体分布模块，其中气体分布模块与腔室盖相连接，其中每一气体分布模块包含彼此面对的一电源电极以及一接地电极，一等离子放电空间形成于电源电极与接地电极之间，以及等离子放电空间不与透过基板支撑件支撑的基板的一薄膜形成区相重叠。

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