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1. 发明专利

TWI474512B ｐ型ＡｌＧａＮ層及其製造方法、以及ＩＩＩ族氮化物半導體發光元件有权
简体标题：ｐ型ＡｌＧａＮ层及其制造方法、以及ＩＩＩ族氮化物半导体发光组件
公开(公告)号：TWI474512B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW099143190
申请日：2010-12-10
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：大鹿嘉和 , OOSHIKA, YOSHIKAZU , 松浦哲也 , MATSUURA, TETSUYA
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L33/325 , C23C16/303 , C23C16/45523 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007

2. 发明专利

TWI502766B III族氮化物磊晶基板及使用該基板之深紫外發光元件有权
简体标题： III族氮化物磊晶基板及使用该基板之深紫外发光组件
公开(公告)号：TWI502766B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW102101082
申请日：2013-01-11
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：大鹿嘉和 , OOSHIKA, YOSHIKAZU
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L33/12 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254

3. 发明专利

TWI462287B 氮化物半導體元件及其製造方法有权
简体标题：氮化物半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI462287B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW099128159
申请日：2010-08-24
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：大鹿嘉和 , OOSHIKA, YOSHIKAZU , 松浦哲也 , MATSUURA, TETSUYA
IPC分类号： H01L29/15 , H01L33/04 , H01L33/12 , H01L21/20
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/04 , H01L33/12

4. 发明专利

TW201349560A ＩＩＩ族氮化物磊晶基板及使用該基板之深紫外發光元件审中-公开
简体标题：ＩＩＩ族氮化物磊晶基板及使用该基板之深紫外发光组件
公开(公告)号：TW201349560A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102101082
申请日：2013-01-11
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：大鹿嘉和 , OOSHIKA, YOSHIKAZU
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L33/12 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254
摘要：本發明提供可獲得發光輸出已提高之深紫外發光元件之III族氮化物磊晶基板。本發明之III族氮化物磊晶基板10依序包括：基板12、AlN緩衝層14、第1超晶格積層體16、第2超晶格積層體18及III族氮化物積層體20。III族氮化物積層體20包含活性層24，該活性層24包含AlαGa1-αN(0.03≦α)。第1超晶格積層體16交替地包含AlaGa1-aN層16A與AlbGa1-bN(0.9＜b≦1)層16B，且滿足α＜a及a＜b之條件。第2超晶格積層體18反覆地包含AlxGa1-xN層18A、AlyGa1-yN層18B及AlzGa1-zN(0.9＜z≦1)層18C，且滿足α＜x及x＜y＜z之條件。
简体摘要：本发明提供可获得发光输出已提高之深紫外发光组件之III族氮化物磊晶基板。本发明之III族氮化物磊晶基板10依序包括：基板12、AlN缓冲层14、第1超晶格积层体16、第2超晶格积层体18及III族氮化物积层体20。III族氮化物积层体20包含活性层24，该活性层24包含AlαGa1-αN(0.03≦α)。第1超晶格积层体16交替地包含AlaGa1-aN层16A与AlbGa1-bN(0.9＜b≦1)层16B，且满足α＜a及a＜b之条件。第2超晶格积层体18反复地包含AlxGa1-xN层18A、AlyGa1-yN层18B及AlzGa1-zN(0.9＜z≦1)层18C，且满足α＜x及x＜y＜z之条件。

5. 发明专利

TWI513044B 半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI513044B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW100106825
申请日：2011-03-01
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：大鹿嘉和 , OOSHIKA, YOSHIKAZU , 松浦哲也 , MATSUURA, TETSUYA
IPC分类号： H01L33/32 , H01L29/778
CPC分类号： H01L33/12 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L33/007 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01S5/32341 , H01S2301/173

6. 发明专利

TW201128804A ｐ型ＡｌＧａＮ層及其製造方法、以及ＩＩＩ族氮化物半導體發光元件审中-公开
简体标题：ｐ型ＡｌＧａＮ层及其制造方法、以及ＩＩＩ族氮化物半导体发光组件
公开(公告)号：TW201128804A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099143190
申请日：2010-12-10
申请人：同和電子科技股份有限公司
发明人：大鹿嘉和 , 松浦哲也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/325 , C23C16/303 , C23C16/45523 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007
摘要：本發明提供一種使載子濃度及發光輸出提高之p型AlGaN層及其製造方法、以及III族氮化物半導體發光元件。該製造方法之特徵在於,反覆執行數次如下第1步驟與第2步驟,以形成該p型AlxGa1-xN層:第1步驟,其係以III族原料氣體流量A1(0≦A1)供給III族原料氣體,且以V族原料氣體流量B1(0
简体摘要：本发明提供一种使载子浓度及发光输出提高之p型AlGaN层及其制造方法、以及III族氮化物半导体发光组件。该制造方法之特征在于,反复运行数次如下第1步骤与第2步骤,以形成该p型AlxGa1-xN层:第1步骤,其系以III族原料气体流量A1(0≦A1)供给III族原料气体,且以V族原料气体流量B1(0

8. 发明专利

TW201201408A 半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201201408A
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW100106825
申请日：2011-03-01
申请人：同和電子科技股份有限公司
发明人：大鹿嘉和 , 松浦哲也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/12 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L33/007 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01S5/32341 , H01S2301/173
摘要：本發明提供一種藉由使經緩衝層改善之結晶性及平坦性有效地移至功能積層體而提高功能積層體之平坦性及結晶性之半導體元件及其製造方法。本發明之半導體元件係於基板上具備緩衝層、與含有複數個氮化物半導體層之功能積層體,上述功能積層體於上述緩衝層側具有n型或i型之第1之AlxGa1-xN層(0≦x
简体摘要：本发明提供一种借由使经缓冲层改善之结晶性及平坦性有效地移至功能积层体而提高功能积层体之平坦性及结晶性之半导体组件及其制造方法。本发明之半导体组件系于基板上具备缓冲层、与含有复数个氮化物半导体层之功能积层体,上述功能积层体于上述缓冲层侧具有n型或i型之第1之AlxGa1-xN层(0≦x<1),且于上述缓冲层与上述功能积层体之间具备Al组成与上述第1之AlxGa1-xN层大致相等之含有p型杂质之AlzGa1-zN调整层(x-0.05≦z≦x+0.05、0≦z<1)。

9. 发明专利

TW201133833A 氮化物半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：氮化物半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201133833A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099128159
申请日：2010-08-24
申请人：同和電子科技股份有限公司
发明人：大鹿嘉和 , 松浦哲也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/04 , H01L33/12
摘要：提供一種氮化物半導體元件,其以良好平坦性形成一使用有Al含有率較低之AlGaN層或GaN層之超晶格應變緩衝層,並且於該超晶格應變緩衝層上形成有平坦性及結晶性良好之氮化物半導體層。一種氮化物半導體元件,具備:基板、形成於基板上之由AlN所構成之AlN應變緩衝層、形成於AlN應變緩衝層上之超晶格應變緩衝層、及形成於超晶格應變緩衝層上之氮化物半導體層;其特徵在於:超晶格應變緩衝層係將由AlxGa1-xN(0≦x≦0.25)所構成且含有p型雜質之第1層、及由AlN所構成之第2層交替積層而形成超晶格結構者。
简体摘要：提供一种氮化物半导体组件,其以良好平坦性形成一使用有Al含有率较低之AlGaN层或GaN层之超晶格应变缓冲层,并且于该超晶格应变缓冲层上形成有平坦性及结晶性良好之氮化物半导体层。一种氮化物半导体组件,具备:基板、形成于基板上之由AlN所构成之AlN应变缓冲层、形成于AlN应变缓冲层上之超晶格应变缓冲层、及形成于超晶格应变缓冲层上之氮化物半导体层;其特征在于:超晶格应变缓冲层系将由AlxGa1-xN(0≦x≦0.25)所构成且含有p型杂质之第1层、及由AlN所构成之第2层交替积层而形成超晶格结构者。

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