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1. 发明专利

TWI651853B 半導體元件結構及其製造方法及電晶體有权
简体标题：半导体组件结构及其制造方法及晶体管
公开(公告)号：TWI651853B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW103146471
申请日：2014-12-31
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：戴爾茲卡羅斯H , DIAZ, CARLOS H. , 林群雄 , LIN, CHUN HSIUNG , 張惠政 , CHANG, HUI CHENG , 章勳明 , JANG, SYUN MING , 王建勛 , WANG, CHIEN HSUN , 黃懋霖 , HUANG, MAO LIN
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/78 , B82Y10/00

2. 发明专利

TW201743068A 線内電性估測方法审中-公开
简体标题：线内电性估测方法
公开(公告)号：TW201743068A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW105126273
申请日：2016-08-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：王振翰 , WANG, CHEN HAN , 林群雄 , LIN, CHUN HSIUNG
IPC分类号： G01R31/265 , G01R31/307 , H01L21/66
CPC分类号： G01R31/2653 , G01R31/2601 , H01L22/14 , H01L22/30 , H01L22/34
摘要：提供一種用於估測半導體元件之至少一電性之方法。方法包含在基板上形成半導體元件及至少一測試單元。以至少一電子束照射測試單元，量測測試元件上由電子束所誘發之電子，並根據測試元件所估測之電子強度來估測半導體元件之電性。
简体摘要：提供一种用于估测半导体组件之至少一电性之方法。方法包含在基板上形成半导体组件及至少一测试单元。以至少一电子束照射测试单元，量测测试组件上由电子束所诱发之电子，并根据测试组件所估测之电子强度来估测半导体组件之电性。

3. 发明专利

TW201712757A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201712757A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104139341
申请日：2015-11-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：范純祥 , FAN, CHUN HSIANG , 李泳達 , LI, YUNG TA , 黃懋霖 , HUANG, MAO LIN , 林群雄 , LIN, CHUN HSIUNG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66818 , H01L21/30612 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0924 , H01L27/1211 , H01L29/1054 , H01L29/66545 , H01L29/66795
摘要：本揭露提供一種半導體裝置之製造方法實施例，其包括形成一磊晶部於一基底上方，磊晶部包括III-V族材料。一受損材料層位於磊晶部的至少一表面上。此方法更包括至少氧化受損材料層的外表面，以形成一氧化層、選擇性去除氧化層以及當至少一部份的受損層餘留於磊晶部上時，重複氧化及選擇性去除步驟。
简体摘要：本揭露提供一种半导体设备之制造方法实施例，其包括形成一磊晶部于一基底上方，磊晶部包括III-V族材料。一受损材料层位于磊晶部的至少一表面上。此方法更包括至少氧化受损材料层的外表面，以形成一氧化层、选择性去除氧化层以及当至少一部份的受损层余留于磊晶部上时，重复氧化及选择性去除步骤。

4. 发明专利

TWI699823B 半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI699823B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW106122735
申请日：2017-07-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：蘇煥傑 , SU, HUAN CHIEH , 王志豪 , WANG, CHIH HAO , 黃瑞乾 , HUANG, JUI CHIEN , 林群雄 , LIN, CHUN HSIUNG
IPC分类号： H01L21/20

5. 发明专利

TW201824358A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201824358A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106122735
申请日：2017-07-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：蘇煥傑 , SU, HUAN CHIEH , 王志豪 , WANG, CHIH HAO , 黃瑞乾 , HUANG, JUI CHIEN , 林群雄 , LIN, CHUN HSIUNG
IPC分类号： H01L21/20
摘要：一種半導體裝置的製造方法包含形成第一鰭片結構及第二鰭片結構在基材上，並形成圖案化多晶矽結構在第一鰭片結構及第二鰭片結構的第一部分上。方法更包含沉積絕緣層在第一鰭片結構及第二鰭片結構的第二部分上，以及在圖案化多晶矽結構上，接著，可選擇性地從第一鰭片結構及第二鰭片結構之第二部分中移除絕緣層，並圖案化在第二鰭片結構之第二部分上的第一硬遮罩層。方法也包含成長第一磊晶區域在第一鰭片結構之第二部分上、從第二鰭片結構之第二部分中移除被圖案化的第一硬遮罩層、圖案化在第一磊晶區域上的第二硬遮罩層，以及成長第二磊晶區域在第二鰭片結構之第二部分上。
简体摘要：一种半导体设备的制造方法包含形成第一鳍片结构及第二鳍片结构在基材上，并形成图案化多晶硅结构在第一鳍片结构及第二鳍片结构的第一部分上。方法更包含沉积绝缘层在第一鳍片结构及第二鳍片结构的第二部分上，以及在图案化多晶硅结构上，接着，可选择性地从第一鳍片结构及第二鳍片结构之第二部分中移除绝缘层，并图案化在第二鳍片结构之第二部分上的第一硬遮罩层。方法也包含成长第一磊晶区域在第一鳍片结构之第二部分上、从第二鳍片结构之第二部分中移除被图案化的第一硬遮罩层、图案化在第一磊晶区域上的第二硬遮罩层，以及成长第二磊晶区域在第二鳍片结构之第二部分上。

7. 发明专利

TWI701448B 估測半導體元件之電性的方法和機構有权
简体标题：估测半导体组件之电性的方法和机构
公开(公告)号：TWI701448B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW105126273
申请日：2016-08-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：王振翰 , WANG, CHEN HAN , 林群雄 , LIN, CHUN HSIUNG
IPC分类号： G01R31/265 , G01R31/307 , H01L21/66

8. 发明专利

TW201729348A 半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201729348A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105137305
申请日：2016-11-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林群雄 , LIN, CHUN HSIUNG , 吳忠政 , WU, CHUNG CHENG , 卡羅司迪亞茲 , DIAZ, CARLOS H. , 王志豪 , WANG, CHIH HAO , 謝文興 , HSIEH, WEN HSING , 許義明 , SHEU, YIMING
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/12
CPC分类号： H01L29/66545 , H01L21/823431 , H01L27/0886 , H01L29/41791 , H01L29/42392 , H01L29/66795 , H01L2029/7858
摘要：一種形成半導體元件之方法，包含形成從基板延伸之鰭，鰭具有源極/汲極區域及通道區域，其中鰭包括第一半導體層及在第一半導體層上的第二半導體層，第一半導體層具有第一組成，而第二半導體層具有與第一組成不同之第二組成。從鰭之源極/汲極區域移除第一半導體層使得在源極/汲極區域中第二半導體層之第一部分懸浮在空間中。在源極/汲極區域中磊晶生長第三半導體層，第三半導體層包覆第二半導體層之第一部分。
简体摘要：一种形成半导体组件之方法，包含形成从基板延伸之鳍，鳍具有源极/汲极区域及信道区域，其中鳍包括第一半导体层及在第一半导体层上的第二半导体层，第一半导体层具有第一组成，而第二半导体层具有与第一组成不同之第二组成。从鳍之源极/汲极区域移除第一半导体层使得在源极/汲极区域中第二半导体层之第一部分悬浮在空间中。在源极/汲极区域中磊晶生长第三半导体层，第三半导体层包覆第二半导体层之第一部分。

9. 发明专利

TW201709415A 半導體裝置及其形成方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其形成方法
公开(公告)号：TW201709415A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104140482
申请日：2015-12-03
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：王志豪 , WANG, CHIH HAO , 林群雄 , LIN, CHUN HSIUNG , 張家豪 , CHANG, CHIA HAO , 游家權 , YOU, JIA CHUAN , 吳偉豪 , WU, WEI HAO , 林義雄 , LIN, YI HSIUNG , 林志昌 , LIN, ZHI CHANG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L29/66
CPC分类号： H01L21/76897 , H01L21/76895 , H01L21/823425 , H01L21/823468 , H01L21/823475 , H01L27/088 , H01L29/0847
摘要：本揭露提供一種半導體裝置及其形成方法。此半導體裝置的形成方法包括形成第一閘極結構於基板上，形成源極/汲極特徵於基板中且鄰近第一閘極結構，形成介電層於第一閘極結構及源極/汲極特徵之上，移除介電層的一部分，以形成暴露出第一閘極結構及源極/汲極特徵的第一溝槽，形成第一導電特徵結構於第一溝槽中，移除第一閘極結構的第一部分，以形成第二溝槽，以及形成第二導電特徵結構於第二溝槽中。
简体摘要：本揭露提供一种半导体设备及其形成方法。此半导体设备的形成方法包括形成第一闸极结构于基板上，形成源极/汲极特征于基板中且邻近第一闸极结构，形成介电层于第一闸极结构及源极/汲极特征之上，移除介电层的一部分，以形成暴露出第一闸极结构及源极/汲极特征的第一沟槽，形成第一导电特征结构于第一沟槽中，移除第一闸极结构的第一部分，以形成第二沟槽，以及形成第二导电特征结构于第二沟槽中。

10. 发明专利

TWI562363B 高速電子遷移率場效電晶體（ＨＥＭＴ）及其製造方法有权
简体标题：高速电子迁移率场效应管（ＨＥＭＴ）及其制造方法
公开(公告)号：TWI562363B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW104138760
申请日：2015-11-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：范純祥 , FAN, CHUN HSIANG , 林群雄 , LIN, CHUN HSIUNG , 黃懋霖 , HUANG, MAO LIN
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/30617 , H01L29/0843 , H01L29/0891 , H01L29/205 , H01L29/267 , H01L29/41725 , H01L29/42316 , H01L29/7784

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