基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体设备
- 申请号：TW104132024 申请日：2015-09-30
- 公开(公告)号：TW201613090A 公开(公告)日：2016-04-01
- 发明人： 戴爾茲 卡羅斯H , DIAZ, CARLOS H. , 柯林基 尙 皮耶 , COLINGE, JEAN-PIERRE
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 洪澄文; 顏錦順
- 优先权： 14/501,569 20140930
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/772
摘要：
本揭露提供之半導體裝置具有複合結構，其包括內部核心柱，實質上沿著半導體裝置的通道方向延伸；以及外部管層，位於內部核心柱上。內部核心柱在半導體裝置的通道長度上，機械性地支撐外部管層。
摘要（中）：
本揭露提供之半导体设备具有复合结构，其包括内部内核柱，实质上沿着半导体设备的信道方向延伸；以及外部管层，位于内部内核柱上。内部内核柱在半导体设备的信道长度上，机械性地支撑外部管层。
摘要（英）：
A semiconductor device having a composite structure is disclosed, which includes a channel structure having an inner core strut that extends substantially along a channel direction of the semiconductor device and an outer sleeve layer disposed on the inner core strut. The inner core strut mechanically supports the sleeve member across a channel length of the semiconductor device.
公开/授权文献:
- TWI590443B 半導體裝置 公开/授权日：2017-07-01