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1. 发明专利

TW495928B 一種製造唯讀記憶體之方法有权
简体标题：一种制造唯读内存之方法
公开(公告)号：TW495928B
公开(公告)日：2002-07-21
申请号：TW088110257
申请日：1999-06-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：朱政宇 , 許正東 , 林定一 , 朱逸競
IPC分类号： H01L
摘要：一種製造唯讀記憶體的方法包括下列步驟。首先，形成閘極氧化層於半導體底材上，其中該半導體底材上具有場氧化隔離區。接著，形成多晶矽層於該閘極氧化層上，以定義閘極結構。再形成邊牆側壁於該閘極結構之邊牆上，且形成遮蔽層於半導體底材上以覆蓋該閘極結構。隨後，使用閘極結構與邊牆側壁作為罩幕，進行第一次離子植入程序，以形成源極與汲極。然後，蝕刻位於所選定欲進行編程化之閘極結構上表面的遮蔽層，並對所選定之閘極結構進行編程化離子植入程序。接著，形成介電層於半導體底材上表面，以覆蓋該閘極結構，並形成導電插塞於第二介電層中，其中導電插塞電性連結至閘極結構。
简体摘要：一种制造唯读内存的方法包括下列步骤。首先，形成闸极氧化层于半导体底材上，其中该半导体底材上具有场氧化隔离区。接着，形成多晶硅层于该闸极氧化层上，以定义闸极结构。再形成边墙侧壁于该闸极结构之边墙上，且形成屏蔽层于半导体底材上以覆盖该闸极结构。随后，使用闸极结构与边墙侧壁作为罩幕，进行第一次离子植入进程，以形成源极与汲极。然后，蚀刻位于所选定欲进行编程化之闸极结构上表面的屏蔽层，并对所选定之闸极结构进行编程化离子植入进程。接着，形成介电层于半导体底材上表面，以覆盖该闸极结构，并形成导电插塞于第二介电层中，其中导电插塞电性链接至闸极结构。

2. 发明专利

TW364156B 金屬製程後植入罩幕式唯讀記憶體程式碼的方法失效
简体标题：金属制程后植入罩幕式唯读内存代码的方法
公开(公告)号：TW364156B
公开(公告)日：1999-07-11
申请号：TW086107812
申请日：1997-06-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：朱逸競 , 陳培宏 , 喻紹宗 , 游志成
IPC分类号： H01L
摘要：一種於金屬製程後植入罩幕式唯讀記憶體程式碼的方法：首先，如同傳統方法在半導體基板上形成字元線和位元線，接著，沈積一層第一介電層於整個半導體基板表面，再將晶粒上罩幕式唯讀記憶體區域內的第一介電層稍微蝕刻形成厚度約為2000到4000埃之間較薄的第一介電層，以利於後續離子佈植步驟的進行，然後於連續形成耐高溫的金屬層和保護層後，再以較高的能量將程式碼(code)植入表面沒有覆蓋金屬層的唯讀記憶體區域的半導體基板內，施以快速熱退火(RTA)活化離子。
简体摘要：一种于金属制程后植入罩幕式唯读内存代码的方法：首先，如同传统方法在半导体基板上形成字符线和比特线，接着，沉积一层第一介电层于整个半导体基板表面，再将晶粒上罩幕式唯读内存区域内的第一介电层稍微蚀刻形成厚度约为2000到4000埃之间较薄的第一介电层，以利于后续离子布植步骤的进行，然后于连续形成耐高温的金属层和保护层后，再以较高的能量将代码(code)植入表面没有覆盖金属层的唯读内存区域的半导体基板内，施以快速热退火(RTA)活化离子。

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