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1. 发明专利

TW430989B 形成平面罩幕唯讀記憶體之位元絕緣區域的方法有权
简体标题：形成平面罩幕唯读内存之比特绝缘区域的方法
公开(公告)号：TW430989B
公开(公告)日：2001-04-21
申请号：TW088113417
申请日：1999-08-05
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：游志成 , 吳林峻
IPC分类号： H01L
摘要：一種形成平面罩幕唯讀記憶體之位元絕緣區域的方法，首先提供半導體基材；形成氧化層在半導體基材表面；定義光阻罩幕，覆蓋在氧化層的表面，以定義罩幕唯讀記憶體的源汲極區域；進行第一次離子佈植製程，在半導體基材的源汲極區域之中，形成埋藏式Ｎ型區域；最後，進行第二次離子佈植製程，利用光阻罩幕為離子佈植罩幕，摻雜導電性雜質至半導體基材之中，在埋藏式Ｎ型區域下方的半導體基材之中，形成平面罩幕唯讀記憶體的絕緣區域。
简体摘要：一种形成平面罩幕唯读内存之比特绝缘区域的方法，首先提供半导体基材；形成氧化层在半导体基材表面；定义光阻罩幕，覆盖在氧化层的表面，以定义罩幕唯读内存的源汲极区域；进行第一次离子布植制程，在半导体基材的源汲极区域之中，形成埋藏式Ｎ型区域；最后，进行第二次离子布植制程，利用光阻罩幕为离子布植罩幕，掺杂导电性杂质至半导体基材之中，在埋藏式Ｎ型区域下方的半导体基材之中，形成平面罩幕唯读内存的绝缘区域。

2. 发明专利

TW414973B 板狀幕罩式唯讀記憶體之元件絕緣方法有权
简体标题：板状幕罩式唯读内存之组件绝缘方法
公开(公告)号：TW414973B
公开(公告)日：2000-12-11
申请号：TW088107494
申请日：1999-05-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：游志成 , 吳林峻
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露了一種可於板狀幕罩式唯讀記憶體中,同時形成P型輕摻雜區域以及表面植入絕緣區域的方法。首先提供一個半導體結構，其中含有欲形成MOS電晶體的區域，以及由交錯排列之字元線與位元線所形成的板狀記憶胞。接著以光阻覆蓋於該半導體結構之上，並僅僅曝露出 PMOS區域與板狀記憶胞區域。再以P型雜質植入該PMOS區域以及該板狀記憶胞之區域，而形成P型輕摻雜區域以及表面植入絕緣區域。
简体摘要：本发明揭露了一种可于板状幕罩式唯读内存中,同时形成P型轻掺杂区域以及表面植入绝缘区域的方法。首先提供一个半导体结构，其中含有欲形成MOS晶体管的区域，以及由交错排列之字符线与比特线所形成的板状记忆胞。接着以光阻覆盖于该半导体结构之上，并仅仅曝露出 PMOS区域与板状记忆胞区域。再以P型杂质植入该PMOS区域以及该板状记忆胞之区域，而形成P型轻掺杂区域以及表面植入绝缘区域。

3. 发明专利

TW357422B 製程監控階段碼識別裝置失效
简体标题：制程监控阶段码识别设备
公开(公告)号：TW357422B
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：TW086117877
申请日：1997-11-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳莘白 , 喻紹宗 , 游志成 , 葉維焜
IPC分类号： H01L
摘要：一種製程監控階段碼識別裝置，係設置於電路小片間之切割道上。此製程監控階段碼識別裝置，係與該等電路小片內之罩幕式記憶單元同時形成，其係以複數互為並聯之金氧半場效電晶體建構而得。當藉由一編碼罩幕規畫罩幕式記憶單元時，同時規畫此編碼罩幕之編號所代表之二進位碼於此等金氧半場效電晶體內。因此，根據本發明，可在製程監控時，藉由讀出此等金氧半場效電晶體內儲之二進位碼，得即刻辨識出所規畫得之程式碼是否為客戶所需之程式碼。若所規畫得之程式碼非為符合客戶所需之程式碼，即毋需進行後段製程步驟，以減省實施時所需耗費的成本。
简体摘要：一种制程监控阶段码识别设备，系设置于电路小片间之切割道上。此制程监控阶段码识别设备，系与该等电路小片内之罩幕式记忆单元同时形成，其系以复数互为并联之金氧半场效应管建构而得。当借由一编码罩幕规画罩幕式记忆单元时，同时规画此编码罩幕之编号所代表之二进制码于此等金氧半场效应管内。因此，根据本发明，可在制程监控时，借由读出此等金氧半场效应管内储之二进制码，得即刻辨识出所规画得之代码是否为客户所需之代码。若所规画得之代码非为符合客户所需之代码，即毋需进行后段制程步骤，以减省实施时所需耗费的成本。

4. 发明专利

TW364156B 金屬製程後植入罩幕式唯讀記憶體程式碼的方法失效
简体标题：金属制程后植入罩幕式唯读内存代码的方法
公开(公告)号：TW364156B
公开(公告)日：1999-07-11
申请号：TW086107812
申请日：1997-06-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：朱逸競 , 陳培宏 , 喻紹宗 , 游志成
IPC分类号： H01L
摘要：一種於金屬製程後植入罩幕式唯讀記憶體程式碼的方法：首先，如同傳統方法在半導體基板上形成字元線和位元線，接著，沈積一層第一介電層於整個半導體基板表面，再將晶粒上罩幕式唯讀記憶體區域內的第一介電層稍微蝕刻形成厚度約為2000到4000埃之間較薄的第一介電層，以利於後續離子佈植步驟的進行，然後於連續形成耐高溫的金屬層和保護層後，再以較高的能量將程式碼(code)植入表面沒有覆蓋金屬層的唯讀記憶體區域的半導體基板內，施以快速熱退火(RTA)活化離子。
简体摘要：一种于金属制程后植入罩幕式唯读内存代码的方法：首先，如同传统方法在半导体基板上形成字符线和比特线，接着，沉积一层第一介电层于整个半导体基板表面，再将晶粒上罩幕式唯读内存区域内的第一介电层稍微蚀刻形成厚度约为2000到4000埃之间较薄的第一介电层，以利于后续离子布植步骤的进行，然后于连续形成耐高温的金属层和保护层后，再以较高的能量将代码(code)植入表面没有覆盖金属层的唯读内存区域的半导体基板内，施以快速热退火(RTA)活化离子。

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