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1. 发明专利

TW319890B 半導體積體電路用之接觸窗的製造方法失效
简体标题：半导体集成电路用之接触窗的制造方法
公开(公告)号：TW319890B
公开(公告)日：1997-11-11
申请号：TW085109139
申请日：1996-07-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：林明毅 , 姜安民 , 喻紹宗 , 彭永松
IPC分类号： H01L
摘要：依據本發明之半導體積體電路用之接觸窗的製造方法，由於首先施行等向性乾蝕刻，然後施行濕蝕刻，以形成接觸窗，故蝕刻用的遮蔽層(光阻層)不會翹起來，且可使上述接觸窗的形狀平滑，而不會於後續的製程中產生空隙，進而提高積體電路的可靠性。
简体摘要：依据本发明之半导体集成电路用之接触窗的制造方法，由于首先施行等向性干蚀刻，然后施行湿蚀刻，以形成接触窗，故蚀刻用的屏蔽层(光阻层)不会翘起来，且可使上述接触窗的形状平滑，而不会于后续的制程中产生空隙，进而提高集成电路的可靠性。

2. 发明专利

TW302514B 積體電路之薄膜界面剝離的消弭方法失效
简体标题：集成电路之薄膜界面剥离的消弭方法
公开(公告)号：TW302514B
公开(公告)日：1997-04-11
申请号：TW085107229
申请日：1996-06-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：汪業傑 , 姜安民 , 陳培宏 , 喻紹宗
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露了一種消弭複晶矽閘極和介電層之間之界面剝離的方法。在積體電路的製造過程，離子佈植和化學氣相沉積等製程會產生氟元素（Fluorine），這些氟元素在薄膜不斷累積，然後在後續的高溫製程被釋放出來，造成薄膜之間發生界面剝離現象（Delamination）。藉著利用光罩將P 通道金氧半場效電晶體之複晶矽閘極遮住，本發明之方法避免了氟元素的累積，因此消弭了複晶矽閘極和介電層之間的界面剝離，提高積體電路可靠度。
简体摘要：本发明揭露了一种消弭复晶硅闸极和介电层之间之界面剥离的方法。在集成电路的制造过程，离子布植和化学气相沉积等制程会产生氟元素（Fluorine），这些氟元素在薄膜不断累积，然后在后续的高温制程被释放出来，造成薄膜之间发生界面剥离现象（Delamination）。借着利用光罩将P 信道金氧半场效应管之复晶硅闸极遮住，本发明之方法避免了氟元素的累积，因此消弭了复晶硅闸极和介电层之间的界面剥离，提高集成电路可靠度。

3. 发明专利

TW357422B 製程監控階段碼識別裝置失效
简体标题：制程监控阶段码识别设备
公开(公告)号：TW357422B
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：TW086117877
申请日：1997-11-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳莘白 , 喻紹宗 , 游志成 , 葉維焜
IPC分类号： H01L
摘要：一種製程監控階段碼識別裝置，係設置於電路小片間之切割道上。此製程監控階段碼識別裝置，係與該等電路小片內之罩幕式記憶單元同時形成，其係以複數互為並聯之金氧半場效電晶體建構而得。當藉由一編碼罩幕規畫罩幕式記憶單元時，同時規畫此編碼罩幕之編號所代表之二進位碼於此等金氧半場效電晶體內。因此，根據本發明，可在製程監控時，藉由讀出此等金氧半場效電晶體內儲之二進位碼，得即刻辨識出所規畫得之程式碼是否為客戶所需之程式碼。若所規畫得之程式碼非為符合客戶所需之程式碼，即毋需進行後段製程步驟，以減省實施時所需耗費的成本。
简体摘要：一种制程监控阶段码识别设备，系设置于电路小片间之切割道上。此制程监控阶段码识别设备，系与该等电路小片内之罩幕式记忆单元同时形成，其系以复数互为并联之金氧半场效应管建构而得。当借由一编码罩幕规画罩幕式记忆单元时，同时规画此编码罩幕之编号所代表之二进制码于此等金氧半场效应管内。因此，根据本发明，可在制程监控时，借由读出此等金氧半场效应管内储之二进制码，得即刻辨识出所规画得之代码是否为客户所需之代码。若所规画得之代码非为符合客户所需之代码，即毋需进行后段制程步骤，以减省实施时所需耗费的成本。

4. 发明专利

TW452888B 一種避免中間介電層剝落之製程方法失效
简体标题：一种避免中间介电层剥落之制程方法
公开(公告)号：TW452888B
公开(公告)日：2001-09-01
申请号：TW085109107
申请日：1996-07-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：汪業傑 , 姜安民 , 喻紹宗 , 陳培宏
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係提供了一種避免在複晶矽閘電極與中間介電層之間發生剝落之製程方法;此方法是在完成矽晶片之場氧化層隔離和界定複晶矽閘電極後，先在該矽基板、場氧化層和複晶矽閘電極上形成一厚約50~150埃左右的犧牲氧化層，再進行BF2之P+型離子佈植，其BF2之植入劑量為2E15～5E15原子/平方公分，植入能量為60~80KeV;之後，再去除所述犧牲氧化層，接下來，才在場氧化層與元件區域上，以化學氣相沈積法形成一中間介電層(ILD;Inter Layer Dielectric)。
简体摘要：本发明系提供了一种避免在复晶硅闸电极与中间介电层之间发生剥落之制程方法;此方法是在完成硅芯片之场氧化层隔离和界定复晶硅闸电极后，先在该硅基板、场氧化层和复晶硅闸电极上形成一厚约50~150埃左右的牺牲氧化层，再进行BF2之P+型离子布植，其BF2之植入剂量为2E15～5E15原子/平方公分，植入能量为60~80KeV;之后，再去除所述牺牲氧化层，接下来，才在场氧化层与组件区域上，以化学气相沉积法形成一中间介电层(ILD;Inter Layer Dielectric)。

5. 发明专利

TW364156B 金屬製程後植入罩幕式唯讀記憶體程式碼的方法失效
简体标题：金属制程后植入罩幕式唯读内存代码的方法
公开(公告)号：TW364156B
公开(公告)日：1999-07-11
申请号：TW086107812
申请日：1997-06-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：朱逸競 , 陳培宏 , 喻紹宗 , 游志成
IPC分类号： H01L
摘要：一種於金屬製程後植入罩幕式唯讀記憶體程式碼的方法：首先，如同傳統方法在半導體基板上形成字元線和位元線，接著，沈積一層第一介電層於整個半導體基板表面，再將晶粒上罩幕式唯讀記憶體區域內的第一介電層稍微蝕刻形成厚度約為2000到4000埃之間較薄的第一介電層，以利於後續離子佈植步驟的進行，然後於連續形成耐高溫的金屬層和保護層後，再以較高的能量將程式碼(code)植入表面沒有覆蓋金屬層的唯讀記憶體區域的半導體基板內，施以快速熱退火(RTA)活化離子。
简体摘要：一种于金属制程后植入罩幕式唯读内存代码的方法：首先，如同传统方法在半导体基板上形成字符线和比特线，接着，沉积一层第一介电层于整个半导体基板表面，再将晶粒上罩幕式唯读内存区域内的第一介电层稍微蚀刻形成厚度约为2000到4000埃之间较薄的第一介电层，以利于后续离子布植步骤的进行，然后于连续形成耐高温的金属层和保护层后，再以较高的能量将代码(code)植入表面没有覆盖金属层的唯读内存区域的半导体基板内，施以快速热退火(RTA)活化离子。

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