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1. 发明专利

TW495928B 一種製造唯讀記憶體之方法有权
简体标题：一种制造唯读内存之方法
公开(公告)号：TW495928B
公开(公告)日：2002-07-21
申请号：TW088110257
申请日：1999-06-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：朱政宇 , 許正東 , 林定一 , 朱逸競
IPC分类号： H01L
摘要：一種製造唯讀記憶體的方法包括下列步驟。首先，形成閘極氧化層於半導體底材上，其中該半導體底材上具有場氧化隔離區。接著，形成多晶矽層於該閘極氧化層上，以定義閘極結構。再形成邊牆側壁於該閘極結構之邊牆上，且形成遮蔽層於半導體底材上以覆蓋該閘極結構。隨後，使用閘極結構與邊牆側壁作為罩幕，進行第一次離子植入程序，以形成源極與汲極。然後，蝕刻位於所選定欲進行編程化之閘極結構上表面的遮蔽層，並對所選定之閘極結構進行編程化離子植入程序。接著，形成介電層於半導體底材上表面，以覆蓋該閘極結構，並形成導電插塞於第二介電層中，其中導電插塞電性連結至閘極結構。
简体摘要：一种制造唯读内存的方法包括下列步骤。首先，形成闸极氧化层于半导体底材上，其中该半导体底材上具有场氧化隔离区。接着，形成多晶硅层于该闸极氧化层上，以定义闸极结构。再形成边墙侧壁于该闸极结构之边墙上，且形成屏蔽层于半导体底材上以覆盖该闸极结构。随后，使用闸极结构与边墙侧壁作为罩幕，进行第一次离子植入进程，以形成源极与汲极。然后，蚀刻位于所选定欲进行编程化之闸极结构上表面的屏蔽层，并对所选定之闸极结构进行编程化离子植入进程。接着，形成介电层于半导体底材上表面，以覆盖该闸极结构，并形成导电插塞于第二介电层中，其中导电插塞电性链接至闸极结构。

2. 发明专利

TW417222B 防止銲墊在元件製作時被腐蝕的方法有权
简体标题：防止焊垫在组件制作时被腐蚀的方法
公开(公告)号：TW417222B
公开(公告)日：2001-01-01
申请号：TW088116229
申请日：1999-09-22
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：黃潔涓 , 朱政宇 , 許順良
IPC分类号： H01L
摘要：一種防止銲墊在護層上製作元件時腐蝕的方法，可改善銲墊形成後，因製程需要在形成銲墊後再進行其他的製程，而造成銲墊表面與後續製程的溶液多次接觸所導致的腐蝕現象，習知同業技術中多需增加步驟在銲墊表面形成一保護薄膜或除掉銲墊表面已被腐蝕處，本發明係提供一不需增加任何製程步驟且有效的防銲墊腐蝕方法，即找出銲墊腐蝕反應能夠持續進行的原因，進而阻止銲墊腐蝕反應產生來防止銲墊腐蝕。
简体摘要：一种防止焊垫在护层上制作组件时腐蚀的方法，可改善焊垫形成后，因制程需要在形成焊垫后再进行其他的制程，而造成焊垫表面与后续制程的溶液多次接触所导致的腐蚀现象，习知同业技术中多需增加步骤在焊垫表面形成一保护薄膜或除掉焊垫表面已被腐蚀处，本发明系提供一不需增加任何制程步骤且有效的防焊垫腐蚀方法，即找出焊垫腐蚀反应能够持续进行的原因，进而阻止焊垫腐蚀反应产生来防止焊垫腐蚀。

3. 发明专利

TW468266B 解決磊晶製程對準問題之方法有权
简体标题：解决磊晶制程对准问题之方法
公开(公告)号：TW468266B
公开(公告)日：2001-12-11
申请号：TW089118327
申请日：2000-09-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：王育溪 , 廖啓宏 , 林益安 , 潘昇良 , 朱政宇 , 呂國良
IPC分类号： H01L
摘要：一種解決磊晶製程對準問題之方法，藉由形成二維陣列配置之標記於半導體晶圓上，並適當地調整標記間之距離，使得在形成磊晶層之後，仍能夠呈現出條狀之標記區，以供後續光罩對準之用。本發明不僅解決磊晶製程上，由於磊晶層所造成之標記模糊失真的問題，也提供更穩定之對準方法，而且製程相當簡單，可大幅節省成本。
简体摘要：一种解决磊晶制程对准问题之方法，借由形成二维数组配置之标记于半导体晶圆上，并适当地调整标记间之距离，使得在形成磊晶层之后，仍能够呈现出条状之标记区，以供后续光罩对准之用。本发明不仅解决磊晶制程上，由于磊晶层所造成之标记模煳失真的问题，也提供更稳定之对准方法，而且制程相当简单，可大幅节省成本。

4. 发明专利

TW452853B 可調整光學微透鏡形狀之彩色濾光片製程有权
简体标题：可调整光学微透镜形状之彩色滤光片制程
公开(公告)号：TW452853B
公开(公告)日：2001-09-01
申请号：TW089123567
申请日：2000-11-08
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：范揚通 , 朱政宇 , 彭秋憲 , 林士禎 , 陳燕銘 , 范富傑 , 林國偉
IPC分类号： H01L
摘要：一種在彩色濾光片製程中調整微透鏡形狀之方法於此處揭露。首先，提供一半導體底材。其中，在此半導體底材上具有光二極體與導電結構，用以作為光感應元件使用。並且，在光二極體的上方並具有彩色濾光片，用以將入射光線過濾為三原色光，再投射於光感應元件上。至於，在彩色濾光片上表面，則具有透光性的間隙層。接著，可塗佈光阻層於間隙層上表面，並以微影程序移除部份光阻層以形成複數個光阻區塊於間隙層上。隨後，先以紫外線照射複數個光阻區塊，來達到控制後續微透鏡型狀之目的。隨後，可對複數個光阻區塊進行熱熔程序，而製作出所需的微透鏡。
简体摘要：一种在彩色滤光片制程中调整微透镜形状之方法于此处揭露。首先，提供一半导体底材。其中，在此半导体底材上具有光二极管与导电结构，用以作为光感应组件使用。并且，在光二极管的上方并具有彩色滤光片，用以将入射光线过滤为三原色光，再投射于光感应组件上。至于，在彩色滤光片上表面，则具有透光性的间隙层。接着，可涂布光阻层于间隙层上表面，并以微影进程移除部份光阻层以形成复数个光阻区块于间隙层上。随后，先以紫外线照射复数个光阻区块，来达到控制后续微透镜型状之目的。随后，可对复数个光阻区块进行热熔进程，而制作出所需的微透镜。

5. 发明专利

TW464962B 長凸塊製程之平坦化方法有权
简体标题：长凸块制程之平坦化方法
公开(公告)号：TW464962B
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：TW089109883
申请日：2000-05-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：范富傑 , 林國偉 , 陳燕銘 , 朱政宇 , 彭秋憲 , 范揚通 , 林士禎
IPC分类号： H01L
摘要：本發明包含形成第一層聚醯亞胺( polyimide)於一基板之上，負光阻形成於該第一層聚醯亞胺( polyimide)之上，同時曝光、顯影負光阻以及第一層聚體亞胺，以形成穿孔暴露導電焊墊，接著同時固化負光阻以及第一層聚醯亞胺( polyimide)，用以提供平坦化之表面，然後重新分佈電路於第一層聚醯亞胺( polyimide)之上，以及形成第二層聚醯亞胺( polyimide)於負光阻及重新分佈之電路上，之後導體凸塊形成於第二層聚醯亞胺( polyimide)之上與上述之重新分佈電路連接。
简体摘要：本发明包含形成第一层聚酰亚胺( polyimide)于一基板之上，负光阻形成于该第一层聚酰亚胺( polyimide)之上，同时曝光、显影负光阻以及第一层聚体亚胺，以形成穿孔暴露导电焊垫，接着同时固化负光阻以及第一层聚酰亚胺( polyimide)，用以提供平坦化之表面，然后重新分布电路于第一层聚酰亚胺( polyimide)之上，以及形成第二层聚酰亚胺( polyimide)于负光阻及重新分布之电路上，之后导体凸块形成于第二层聚酰亚胺( polyimide)之上与上述之重新分布电路连接。

6. 发明专利

TW452902B 覆晶封裝晶片之背向研磨問題的解決方法有权
简体标题：覆晶封装芯片之背向研磨问题的解决方法
公开(公告)号：TW452902B
公开(公告)日：2001-09-01
申请号：TW089112786
申请日：2000-06-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳燕銘 , 林國偉 , 朱政宇 , 范富傑 , 范揚通 , 彭秋憲 , 林士禎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2924/00012
摘要：一種具導電錫球覆晶封裝晶片之背向研磨問題的解決方法，至少包含以下步驟:提供一等待進行覆晶封裝晶片，晶片上具有一護層覆蓋，並露出複數個金屬焊墊;接著，再再形成凸塊下金屬(UBM);在施以乾膜披覆及曝光顯影定義凸塊位置後，由於晶片背面仍未研磨，因此，對於乾膜披覆這種需要加壓的製程，以本發明的方法，就沒有破片的風險。隨後，施以電鍍處理，以形成焊錫層，此時，以乾膜為電鍍防止層。接著，於貼附膠帶後施以背向研磨,以研磨晶片背面至預定厚度。去膠帶之後，再剝除晶片上的乾膜。隨後，以焊錫層為硬式罩幕，對凸塊下金屬施以蝕刻;最後施以熱回流製程以形成錫球。
简体摘要：一种具导电锡球覆晶封装芯片之背向研磨问题的解决方法，至少包含以下步骤:提供一等待进行覆晶封装芯片，芯片上具有一护层覆盖，并露出复数个金属焊垫;接着，再再形成凸块下金属(UBM);在施以干膜披覆及曝光显影定义凸块位置后，由于芯片背面仍未研磨，因此，对于干膜披覆这种需要加压的制程，以本发明的方法，就没有破片的风险。随后，施以电镀处理，以形成焊锡层，此时，以干膜为电镀防止层。接着，于贴附胶带后施以背向研磨,以研磨芯片背面至预定厚度。去胶带之后，再剥除芯片上的干膜。随后，以焊锡层为硬式罩幕，对凸块下金属施以蚀刻;最后施以热回流制程以形成锡球。

7. 发明专利

TW445583B 降低接觸窗阻値之方法有权
简体标题：降低接触窗阻値之方法
公开(公告)号：TW445583B
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：TW088108580
申请日：1999-05-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：朱政宇 , 曾德富 , 張嘉德 , 廖啓宏
IPC分类号： H01L
摘要：一種降低接觸窗阻值(contact resistance)之方法，該方法至少包含下列步驟:首先提供一半導體基材，該基材上方已形成複數個電晶體，再形成一介電層於該半導體基材上方，作為各導線層間之介電層，接著定義一光阻層於該介電層上方，用以定義接觸窗之臨界尺寸與相對位置，然後執行蝕刻製程以形成接觸窗於該介電層中，蝕刻製程完成之後，利用過氧化氫溶液浸泡該半導體基材，以清除殘留於基材表面及接觸窗中之殘餘物，避免其造成接觸窗之阻值升高，而影響製程良率。
简体摘要：一种降低接触窗阻值(contact resistance)之方法，该方法至少包含下列步骤:首先提供一半导体基材，该基材上方已形成复数个晶体管，再形成一介电层于该半导体基材上方，作为各导线层间之介电层，接着定义一光阻层于该介电层上方，用以定义接触窗之临界尺寸与相对位置，然后运行蚀刻制程以形成接触窗于该介电层中，蚀刻制程完成之后，利用过氧化氢溶液浸泡该半导体基材，以清除残留于基材表面及接触窗中之残余物，避免其造成接触窗之阻值升高，而影响制程良率。

8. 发明专利

TW523871B 利用鈍氣電漿施行凸塊迴焊之方法失效
简体标题：利用钝气等离子施行凸块回焊之方法
公开(公告)号：TW523871B
公开(公告)日：2003-03-11
申请号：TW090129961
申请日：2001-12-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：郭文章 , 林家富 , 潘昇良 , 王思堯 , 朱政宇
IPC分类号： H01L
摘要：一種利用鈍氣電漿施行凸塊迴焊之方法，包括下列步驟：提供一基板，上述基板表面形成有複數凸塊，上述凸塊具有一頂部及一側邊周圍部，且在上述凸塊的表面形成有一氧化物層。藉由施加一鈍氣電漿以去除上述凸塊頂部之氧化物層。施行一加熱步驟，以令上述凸塊熔化。以及，施行一冷卻步驟。藉由上述方法，可大幅簡化凸塊迴焊之步驟，而有效地降低生產成本，同時並能增加凸塊高度、減少凸塊直徑。此外，由於上述方法並不需要使用到助熔劑(flux)，故還能進一步降低製程中所造成的環境污染。
简体摘要：一种利用钝气等离子施行凸块回焊之方法，包括下列步骤：提供一基板，上述基板表面形成有复数凸块，上述凸块具有一顶部及一侧边周围部，且在上述凸块的表面形成有一氧化物层。借由施加一钝气等离子以去除上述凸块顶部之氧化物层。施行一加热步骤，以令上述凸块熔化。以及，施行一冷却步骤。借由上述方法，可大幅简化凸块回焊之步骤，而有效地降低生产成本，同时并能增加凸块高度、减少凸块直径。此外，由于上述方法并不需要使用到助熔剂(flux)，故还能进一步降低制程中所造成的环境污染。

9. 发明专利

TW489588B 使用雙層光阻於蕈狀凸塊電鍍結構的凸塊形成方法有权
简体标题：使用双层光阻于蕈状凸块电镀结构的凸块形成方法
公开(公告)号：TW489588B
公开(公告)日：2002-06-01
申请号：TW090105645
申请日：2001-03-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳燕銘 , 朱政宇 , 林國偉 , 彭秋憲 , 范揚通 , 范富傑 , 林士禎
IPC分类号： H05K
摘要：本發明提出一種使用雙層光阻於蕈狀凸塊電鍍結構的凸塊形成方法，其包括了下列步驟：首先於晶片上依序形成金屬焊墊、護層、晶種層、乾膜、液態光阻，然後除去部份乾膜及液態光阻，以定義出凸塊下金屬的位置，接著依序形成凸塊下金屬與蕈狀焊錫層於凸塊下金屬的位置上，隨後依序除去液態光阻及乾膜、部份晶種層，最後熱回流蕈狀焊錫層，以形成錫球。
简体摘要：本发明提出一种使用双层光阻于蕈状凸块电镀结构的凸块形成方法，其包括了下列步骤：首先于芯片上依序形成金属焊垫、护层、晶种层、干膜、液态光阻，然后除去部份干膜及液态光阻，以定义出凸块下金属的位置，接着依序形成凸块下金属与蕈状焊锡层于凸块下金属的位置上，随后依序除去液态光阻及干膜、部份晶种层，最后热回流蕈状焊锡层，以形成锡球。

10. 发明专利

TW480644B 提升接合墊測試良率之方法失效
简体标题：提升接合垫测试良率之方法
公开(公告)号：TW480644B
公开(公告)日：2002-03-21
申请号：TW090113738
申请日：2001-06-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳燕銘 , 林家富 , 范揚通 , 黃虹雯 , 朱政宇
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露一種提升金屬接合墊測試良率之方法，該方法包含提供一具有光二極體形成於其中之基板，基板具有複數個做為輸入輸出之金屬接合墊位於基板之上。之後形成護層於上述金屬接合墊及基板之上並暴露出部分之金屬接合墊，續以無罩幕電鍍方式形成金屬層於金屬接合墊之上。形成平坦化層於護層之上，暴露出製作金屬接合墊之區域，形成色彩濾光片於平坦化層之上。接著形成 spacer於色彩濾光片之上及形成微透鏡陣列於該spacers之上並個別對應於該光二極體。
简体摘要：本发明揭露一种提升金属接合垫测试良率之方法，该方法包含提供一具有光二极管形成于其中之基板，基板具有复数个做为输入输出之金属接合垫位于基板之上。之后形成护层于上述金属接合垫及基板之上并暴露出部分之金属接合垫，续以无罩幕电镀方式形成金属层于金属接合垫之上。形成平坦化层于护层之上，暴露出制作金属接合垫之区域，形成色彩滤光片于平坦化层之上。接着形成 spacer于色彩滤光片之上及形成微透镜数组于该spacers之上并个别对应于该光二极管。

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