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1. 发明专利

TW201716755A 整合電容之熱電堆感測結構审中-公开
简体标题：集成电容之热电堆传感结构
公开(公告)号：TW201716755A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW104137358
申请日：2015-11-12
申请人：原相科技股份有限公司 , PIXART IMAGING INCORPORATION
发明人：蔡明翰 , TSAI, MING-HAN , 王世霖 , WANG, SHIN-LIN
IPC分类号： G01J5/14 , H01L35/02
CPC分类号： G01J5/16 , G01J5/024 , G01J5/12
摘要：本發明提出一種整合電容之熱電堆感測結構。整合電容之熱電堆感測結構包含: 基板、紅外線感應單元及分隔 (partition)結構。紅外線感應單元位於基板上，紅外線感應單元具有第一感應結構及第二感應結構，其中第一感應結構及第二感應結構彼此相近之一端為熱端 (Hot junction)。分隔結構圍繞紅外線感應單元，其中分隔結構與第一感應結構彼此相近之一端為一冷端 (Cold junction)，分隔結構與該第二感應結構彼此相近之一端為另一冷端。其中，熱端與冷端間之溫度差產生電壓差訊號，且其中，分隔結構之一部分構成至少一電容。
简体摘要：本发明提出一种集成电容之热电堆传感结构。集成电容之热电堆传感结构包含: 基板、红外线感应单元及分隔 (partition)结构。红外线感应单元位于基板上，红外线感应单元具有第一感应结构及第二感应结构，其中第一感应结构及第二感应结构彼此相近之一端为热端 (Hot junction)。分隔结构围绕红外线感应单元，其中分隔结构与第一感应结构彼此相近之一端为一冷端 (Cold junction)，分隔结构与该第二感应结构彼此相近之一端为另一冷端。其中，热端与冷端间之温度差产生电压差信号，且其中，分隔结构之一部分构成至少一电容。

2. 发明专利

TW201634005A 具有複合感測功能的穿戴式裝置审中-公开
简体标题：具有复合传感功能的穿戴式设备
公开(公告)号：TW201634005A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104108897
申请日：2015-03-20
申请人：原相科技股份有限公司 , PIXART IMAGING INCORPORATION
发明人：孫志銘 , SUN, CHIH-MING , 蔡明翰 , TSAI, MING-HAN
IPC分类号： A61B5/04
CPC分类号： G01J5/0265 , B81B7/0025 , B81B7/0061 , B81B7/02 , B81B2201/0214 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0278 , G01J5/0025 , G01J5/027 , G01J5/04 , G01J5/046 , G01J5/14 , H01L2224/48091 , H01L2924/16151 , H01L2924/16153 , H01L2924/16235 , H04N5/2256 , H01L2924/00014
摘要：本發明提出一種具有複合感測功能的穿戴式裝置，包含:一穿戴組件，可供穿戴於一使用者的一身體部位上，該穿戴組件具有至少一透光口；至少一個複合感測晶片模組，設置於該穿戴組件內，用以執行影像感測與紅外線溫度感測之功能，該複合感測晶片模組包含一影像感測模組，用以經由該至少一透光口而以影像感測方式感測一待測物之物理或生理特徵；以及一紅外線溫度感測模組，用以經由該至少一透光口而以紅外線溫度感測方式感測溫度。
简体摘要：本发明提出一种具有复合传感功能的穿戴式设备，包含:一穿戴组件，可供穿戴于一用户的一身体部位上，该穿戴组件具有至少一透光口；至少一个复合传感芯片模块，设置于该穿戴组件内，用以运行影像传感与红外线温度传感之功能，该复合传感芯片模块包含一影像传感模块，用以经由该至少一透光口而以影像传感方式传感一待测物之物理或生理特征；以及一红外线温度传感模块，用以经由该至少一透光口而以红外线温度传感方式传感温度。

3. 发明专利

TW201510531A 具有對稱差分電容的微機電元件审中-公开
简体标题：具有对称差分电容的微机电组件
公开(公告)号：TW201510531A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW102132809
申请日：2013-09-11
申请人：原相科技股份有限公司 , PIXART IMAGING INCORPORATION
发明人：蔡明翰 , TSAI, MING HAN
IPC分类号： G01P13/00 , B81B7/02
CPC分类号： B81B3/0086 , B81B3/0021
摘要：本發明提供一種具有對稱差分電容的微機電元件，包含：一基板；一上相對電極；一下相對電極；一質量結構，具有一上電極與一下電極，分別與該上相對電極和該下相對電極形成一上電容結構與一下電容結構；一上相對電極延伸壁，其上端連接該上相對電極，下端與該基板連接；以及一下相對電極延伸壁，其下端經由該下相對電極連接該基板；其中該下相對電極延伸壁的上端不與該上相對電極連接，且該上相對電極延伸壁和該上相對電極面向於該質量結構之總表面積和、與該下相對電極延伸壁和該下相對電極面向於該質量結構之總表面積和，為彼此相當。
简体摘要：本发明提供一种具有对称差分电容的微机电组件，包含：一基板；一上相对电极；一下相对电极；一质量结构，具有一上电极与一下电极，分别与该上相对电极和该下相对电极形成一上电容结构与一下电容结构；一上相对电极延伸壁，其上端连接该上相对电极，下端与该基板连接；以及一下相对电极延伸壁，其下端经由该下相对电极连接该基板；其中该下相对电极延伸壁的上端不与该上相对电极连接，且该上相对电极延伸壁和该上相对电极面向于该质量结构之总表面积和、与该下相对电极延伸壁和该下相对电极面向于该质量结构之总表面积和，为彼此相当。

4. 发明专利

TW201644057A 半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201644057A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW104119183
申请日：2015-06-12
申请人：原相科技股份有限公司 , PIXART IMAGING INCORPORATION
发明人：孫志銘 , SUN, CHIH-MING , 徐新惠 , HSU, HSIN-HUI , 蔡明翰 , TSAI, MING-HAN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/518 , H01L21/3086 , H01L21/76224 , H01L29/401 , H01L29/42324
摘要：本發明提出一種半導體元件的製造方法。半導體元件的製造方法包括：提供基板；於基板上形成半導體堆疊結構；於半導體堆疊結構上形成堆疊覆蓋層之至少一部分，其中堆疊覆蓋層之至少一部分包括氮化層；移除氮化層的一部分；完成堆疊覆蓋層之所有部分；於堆疊覆蓋層上形成保護層，並蝕刻保護層，以形成至少一開孔，其中氮化層未被開孔所曝露；以及從開孔通入一蝕刻材料，以蝕刻基板。本發明另提出一種採用上述方法形成的半導體元件。
简体摘要：本发明提出一种半导体组件的制造方法。半导体组件的制造方法包括：提供基板；于基板上形成半导体堆栈结构；于半导体堆栈结构上形成堆栈覆盖层之至少一部分，其中堆栈覆盖层之至少一部分包括氮化层；移除氮化层的一部分；完成堆栈覆盖层之所有部分；于堆栈覆盖层上形成保护层，并蚀刻保护层，以形成至少一开孔，其中氮化层未被开孔所曝露；以及从开孔通入一蚀刻材料，以蚀刻基板。本发明另提出一种采用上述方法形成的半导体组件。

5. 发明专利

TWI546054B 具有複合感測功能的穿戴式裝置有权
简体标题：具有复合传感功能的穿戴式设备
公开(公告)号：TWI546054B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW104108897
申请日：2015-03-20
申请人：原相科技股份有限公司 , PIXART IMAGING INCORPORATION
发明人：孫志銘 , SUN, CHIH-MING , 蔡明翰 , TSAI, MING-HAN
IPC分类号： A61B5/04
CPC分类号： G01J5/0265 , B81B7/0025 , B81B7/0061 , B81B7/02 , B81B2201/0214 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0278 , G01J5/0025 , G01J5/027 , G01J5/04 , G01J5/046 , G01J5/14 , H01L2224/48091 , H01L2924/16151 , H01L2924/16153 , H01L2924/16235 , H04N5/2256 , H01L2924/00014

6. 发明专利

TW201612097A 具有低基板電耦合效應之微機電元件审中-公开
简体标题：具有低基板电耦合效应之微机电组件
公开(公告)号：TW201612097A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW103133402
申请日：2014-09-26
申请人：原相科技股份有限公司 , PIXART IMAGING INCORPORATION
发明人：蔡明翰 , TSAI, MING HAN , 徐新惠 , HSU, HSIN HUI
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B3/0086 , B81C2203/0742
摘要：本發明提供一種具有低基板電耦合效應之微機電元件，藉由一CMOS半導體製程所製作，其中包含：一基板；至少一錨部，包含一氧化層、以及位於該氧化層上方之連接結構，該氧化層與該基板連接；以及至少一微機電結構，連接於該連接結構。該氧化層之製作步驟與厚度對應於CMOS半導體製程中定義電晶體元件區之場氧化區。該連接結構至少其中一層的出平面投影面積小於該氧化層的出平面投影面積。該基板面向該微機電結構之一側設有複數個凹狀結構。
简体摘要：本发明提供一种具有低基板电耦合效应之微机电组件，借由一CMOS半导体制程所制作，其中包含：一基板；至少一锚部，包含一氧化层、以及位于该氧化层上方之连接结构，该氧化层与该基板连接；以及至少一微机电结构，连接于该连接结构。该氧化层之制作步骤与厚度对应于CMOS半导体制程中定义晶体管组件区之场氧化区。该连接结构至少其中一层的出平面投影面积小于该氧化层的出平面投影面积。该基板面向该微机电结构之一侧设有复数个凹状结构。

7. 发明专利

TW201420489A 具有低膨脹係數差異之微機電裝置审中-公开
简体标题：具有低膨胀系数差异之微机电设备
公开(公告)号：TW201420489A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW101144092
申请日：2012-11-26
申请人：原相科技股份有限公司 , PIXART IMAGING INCORPORATION
发明人：蔡明翰 , TSAI, MING HAN , 劉育嘉 , LIU, YU CHIA , 方維倫 , FANG, WEI LEUN
IPC分类号： B81B7/02 , H01L23/00
CPC分类号： B81B3/0081
摘要：本發明提供一種具有低膨脹係數差異之微機電裝置，係採用互補式金氧半導體製程所製作，其包含一固定單元、一活動單元、及一連接結構。固定單元包括一第一電容感應區和一固定結構區。活動單元包括一第二電容感應區和一質量塊區，其中該第一電容感應區可和第二電容感應區構成電容，且該質量塊區為單一材料結構。連接結構用以連接固定該活動單元，此連接結構容許該活動單元可相對於該固定單元而移動。
简体摘要：本发明提供一种具有低膨胀系数差异之微机电设备，系采用互补式金属氧化物半导体制程所制作，其包含一固定单元、一活动单元、及一连接结构。固定单元包括一第一电容感应区和一固定结构区。活动单元包括一第二电容感应区和一质量块区，其中该第一电容感应区可和第二电容感应区构成电容，且该质量块区为单一材料结构。连接结构用以连接固定该活动单元，此连接结构容许该活动单元可相对于该固定单元而移动。

8. 发明专利

TW201716756A 整合電容之熱電堆感測結構审中-公开
简体标题：集成电容之热电堆传感结构
公开(公告)号：TW201716756A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105132814
申请日：2015-11-12
申请人：原相科技股份有限公司 , PIXART IMAGING INCORPORATION
发明人：蔡明翰 , TSAI,MING-HAN , 王世霖 , WANG,SHIN-LIN
IPC分类号： G01J5/14 , H01L35/02
摘要：本發明提出一種整合電容之熱電堆感測結構。整合電容之熱電堆感測結構包含: 基板、紅外線感應單元及分隔 (partition)結構。紅外線感應單元位於基板上，紅外線感應單元具有第一感應結構及第二感應結構，其中第一感應結構及第二感應結構彼此相近之一端為熱端 (Hot junction)。分隔結構圍繞紅外線感應單元，其中分隔結構與第一感應結構彼此相近之一端為一冷端 (Cold junction)，分隔結構與該第二感應結構彼此相近之一端為另一冷端。其中，熱端與冷端間之溫度差產生電壓差訊號，且其中，分隔結構之一部分構成至少一電容。
简体摘要：本发明提出一种集成电容之热电堆传感结构。集成电容之热电堆传感结构包含: 基板、红外线感应单元及分隔 (partition)结构。红外线感应单元位于基板上，红外线感应单元具有第一感应结构及第二感应结构，其中第一感应结构及第二感应结构彼此相近之一端为热端 (Hot junction)。分隔结构围绕红外线感应单元，其中分隔结构与第一感应结构彼此相近之一端为一冷端 (Cold junction)，分隔结构与该第二感应结构彼此相近之一端为另一冷端。其中，热端与冷端间之温度差产生电压差信号，且其中，分隔结构之一部分构成至少一电容。

9. 发明专利

TWI511917B 具有低膨脹係數差異之微機電裝置有权
简体标题：具有低膨胀系数差异之微机电设备
公开(公告)号：TWI511917B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW101144092
申请日：2012-11-26
申请人：原相科技股份有限公司 , PIXART IMAGING INCORPORATION
发明人：蔡明翰 , TSAI, MING HAN , 劉育嘉 , LIU, YU CHIA , 方維倫 , FANG, WEI LEUN
IPC分类号： B81B7/02 , H01L23/00
CPC分类号： B81B3/0081

10. 发明专利

TWI467179B 三維微機電感測器有权
简体标题：三维微机电传感器
公开(公告)号：TWI467179B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW100144294
申请日：2011-12-02
申请人：原相科技股份有限公司 , PIXART IMAGING INCORPORATION
发明人：蔡明翰 , TSAI, MING HAN , 孫志銘 , SUN, CHIH MING
IPC分类号： G01P15/125 , H01L21/28
CPC分类号： G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/082 , G01P2015/084 , G01P2015/0845

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