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2. 发明专利

TW201416723A ＥＵＶ投影曝光裝置及其操作方法與反射鏡安排审中-公开
简体标题：ＥＵＶ投影曝光设备及其操作方法与反射镜安排
公开(公告)号：TW201416723A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102126510
申请日：2013-07-24
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：畢特納鮑瑞斯 , BITTNER, BORIS , 瓦伯拉諾伯特 , WABRA, NORBERT , 舒納德桑賈 , SCHNEIDER, SONJA , 舒納德瑞卡達 , SCHNEIDER, RICARDA , 瓦格納漢立克 , WAGNER, HENDRIK , 艾柳魯門 , ILIEW, RUMEN , 包爾斯華特 , PAULS, WALTER
IPC分类号： G02B5/08 , G02B27/10
CPC分类号： G02B7/1815 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B7/008 , G02B17/0657 , G02B17/0663 , G02B27/0025 , G03F7/702 , G03F7/70216 , G03F7/70266 , G03F7/706 , G03F7/70891 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
摘要：本發明揭示一種用於微影之EUV投影曝光裝置的反射鏡安排，其包含各具有一層(32)及具有一主體(34)的複數個反射鏡，該層在EUV光譜範圍中為反射及可對該層施加EUV輻射。在此情況下，該複數個反射鏡的至少一個反射鏡(32)具有至少一層(36)包含具有負熱膨脹係數的材料。此外，本發明還揭示一種操作反射鏡安排及投影曝光裝置的方法。安排至少一個熱源，以便以有目標的方式局部施加熱至該至少一個反射鏡具有負熱膨脹係數的該至少一層。
简体摘要：本发明揭示一种用于微影之EUV投影曝光设备的反射镜安排，其包含各具有一层(32)及具有一主体(34)的复数个反射镜，该层在EUV光谱范围中为反射及可对该层施加EUV辐射。在此情况下，该复数个反射镜的至少一个反射镜(32)具有至少一层(36)包含具有负热膨胀系数的材料。此外，本发明还揭示一种操作反射镜安排及投影曝光设备的方法。安排至少一个热源，以便以有目标的方式局部施加热至该至少一个反射镜具有负热膨胀系数的该至少一层。

3. 发明专利

TW201337324A 用於ＥＵＶ微影的投影透鏡、膜構件及製造包含膜構件的投影透鏡的方法审中-公开
简体标题：用于ＥＵＶ微影的投影透镜、膜构件及制造包含膜构件的投影透镜的方法
公开(公告)号：TW201337324A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102105232
申请日：2013-02-08
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：畢特納鮑瑞斯 , BITTNER, BORIS , 瓦伯拉諾伯特 , WABRA, NORBERT , 舒納德桑賈 , SCHNEIDER, SONJA , 舒納德瑞卡達 , SCHNEIDER, RICARDA , 瓦格納漢立克 , WAGNER, HENDRIK , 沃德克里斯汀 , WALD, CHRISTIAN , 艾柳魯門 , ILIEW, RUMEN , 斯奇凱坦茲湯瑪士 , SCHICKETANZ, THOMAS , 葛納托拉夫 , GRUNER, TORALF , 包爾斯華特 , PAULS, WALTER , 舒密特霍格爾 , SCHMIDT, HOLGER
IPC分类号： G02B17/06
CPC分类号： G02B17/0892 , B82Y10/00 , G02B17/0896 , G03F7/70191 , G03F7/70233 , G03F7/70316 , G21K1/062 , Y10T29/49826
摘要：本發明揭示一種投影透鏡(PO)，該投影透鏡利用具有極紫外光範圍(EUV)中之一工作波長λ的電磁輻射，將配置在該投影透鏡之一物體平面(OS)中的一圖案成像於該投影透鏡之一影像平面(IS)中，該投影透鏡包含多個反射鏡(M1-M6)，該等反射鏡具有反射鏡表面以如此之一方式配置在該物體平面及該影像平面之間的投影光束路徑中，致使可利用該等反射鏡將配置在該物體平面中的一圖案成像於該影像平面中。一分配的波前校正裝置(WFC)包含一膜構件(FE)，該膜構件具有一膜，該膜在波前校正裝置的操作模式中配置在投影光束路徑中及在工作波長λ下傳輸EUV輻射撞擊在光學使用區中的主要部分。該膜構件包含：一第一層，其由具有第一複數折射率n1=(1-δ1)+iβ1的第一層材料組成及具有在使用區之上根據第一層厚度輪廓局部改變的一第一光學層厚度；及一第二層，其由具有第二複數折射率n2=(1-δ2)+iβ2的一第二層材料組成及具有在使用區之上根據第二層厚度輪廓局部改變的一第二光學層厚度，其中該第一層厚度輪廓及該第二層厚度輪廓不同。第一折射率之實部與1的偏差δ1相對於第一層材料的吸收係數β1為大，及第二折射率之實部與1的偏差δ2相對於第二層材料的吸收係數β2為小。
简体摘要：本发明揭示一种投影透镜(PO)，该投影透镜利用具有极紫外光范围(EUV)中之一工作波长λ的电磁辐射，将配置在该投影透镜之一物体平面(OS)中的一图案成像于该投影透镜之一影像平面(IS)中，该投影透镜包含多个反射镜(M1-M6)，该等反射镜具有反射镜表面以如此之一方式配置在该物体平面及该影像平面之间的投影光束路径中，致使可利用该等反射镜将配置在该物体平面中的一图案成像于该影像平面中。一分配的波前校正设备(WFC)包含一膜构件(FE)，该膜构件具有一膜，该膜在波前校正设备的操作模式中配置在投影光束路径中及在工作波长λ下传输EUV辐射撞击在光学使用区中的主要部分。该膜构件包含：一第一层，其由具有第一复数折射率n1=(1-δ1)+iβ1的第一层材料组成及具有在使用区之上根据第一层厚度轮廓局部改变的一第一光学层厚度；及一第二层，其由具有第二复数折射率n2=(1-δ2)+iβ2的一第二层材料组成及具有在使用区之上根据第二层厚度轮廓局部改变的一第二光学层厚度，其中该第一层厚度轮廓及该第二层厚度轮廓不同。第一折射率之实部与1的偏差δ1相对于第一层材料的吸收系数β1为大，及第二折射率之实部与1的偏差δ2相对于第二层材料的吸收系数β2为小。

4. 发明专利

TWI626478B ＥＵＶ投影曝光裝置及其操作方法與反射鏡安排有权
简体标题：ＥＵＶ投影曝光设备及其操作方法与反射镜安排
公开(公告)号：TWI626478B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW102126510
申请日：2013-07-24
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：畢特納鮑瑞斯 , BITTNER, BORIS , 瓦伯拉諾伯特 , WABRA, NORBERT , 舒納德桑賈 , SCHNEIDER, SONJA , 舒納德瑞卡達 , SCHNEIDER, RICARDA , 瓦格納漢立克 , WAGNER, HENDRIK , 艾柳魯門 , ILIEW, RUMEN , 包爾斯華特 , PAULS, WALTER
IPC分类号： G02B5/08 , G02B27/10

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