专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI481896B 成像光學構件、具有其之微影投射曝光裝置與製造結構化組件之方法有权
简体标题：成像光学构件、具有其之微影投射曝光设备与制造结构化组件之方法
公开(公告)号：TWI481896B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW100113866
申请日：2011-04-21
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：曼漢斯喬爾根 , MANN, HANS-JUERGEN , 夏佛大衛 , SHAFER, DAVID
IPC分类号： G02B17/06 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/702 , G02B17/0657 , G02B17/0663 , G03F7/70233

2. 发明专利

TW201232187A 成像光學系統 IMAGING OPTICAL SYSTEM 审中-公开
简体标题：成像光学系统 IMAGING OPTICAL SYSTEM
公开(公告)号：TW201232187A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100130260
申请日：2011-08-24
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司
发明人：穆勒勞夫 , 曼漢斯喬根
IPC分类号： G03F , G02B
CPC分类号： G03F7/702 , G02B17/0657 , G03F7/70233 , G03F7/70275
摘要：一種用於EUV投射微影的成像光學系統,具有用以成像一物體平面中之一物體場於一影像平面中之一影像場中之複數個鏡。成像光學系統的影像側數値孔徑至少為0.3。成像光學系統具有大於0.40之瞳遮蔽。成像光學系統具有至少為1mm x 10mm的影像場尺寸。使用成像光學系統的結果,使得物體的成像有可能具有高成像品質。
简体摘要：一种用于EUV投射微影的成像光学系统,具有用以成像一物体平面中之一物体场于一影像平面中之一影像场中之复数个镜。成像光学系统的影像侧数値孔径至少为0.3。成像光学系统具有大于0.40之瞳屏蔽。成像光学系统具有至少为1mm x 10mm的影像场尺寸。使用成像光学系统的结果,使得物体的成像有可能具有高成像品质。

3. 发明专利

TW200632373A 投影光學系統、曝光裝置以及元件製造方法 OPTICAL PROJECTION SYSTEM, EXPOSURE APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING DEVICES 审中-公开
简体标题：投影光学系统、曝光设备以及组件制造方法 OPTICAL PROJECTION SYSTEM, EXPOSURE APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING DEVICES
公开(公告)号：TW200632373A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW095104830
申请日：2006-02-14
申请人：尼康股份有限公司 NIKON CORPORATION
发明人：高橋友刀 TAKAHASHI, TOMOWAKI
IPC分类号： G02B , G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/70233 , G02B17/0657 , G03F7/70275
摘要：一種投影光學系統，其為至少具有8片反射鏡之反射式光學系統，且於直徑方向上能小型化。此投影光學系統例如為具有8個反射鏡(M1～M8)，且於第2面(7)上形成第1面(4)之縮小像的投影光學系統。此投影光學系統包括：第1反射成像光學系統(G1)，其基於來自第1面之光而形成第1面之第1中間像(IMI1)；第2反射成像光學系統(G2)，其基於來自第1中間像之光而形成第1面之第2中間像(IMI2)；以及第3反射成像光學系統(G3)，其基於來自第2中間像之光而於第2面上形成縮小像。其中，構成第3反射成像光學系統(G3)之反射鏡(M6～M8)的數量多於構成上述第1反射成像光學系統(G1)之反射鏡(M1,M2)的數量。
简体摘要：一种投影光学系统，其为至少具有8片反射镜之反射式光学系统，且于直径方向上能小型化。此投影光学系统例如为具有8个反射镜(M1～M8)，且于第2面(7)上形成第1面(4)之缩小像的投影光学系统。此投影光学系统包括：第1反射成像光学系统(G1)，其基于来自第1面之光而形成第1面之第1中间像(IMI1)；第2反射成像光学系统(G2)，其基于来自第1中间像之光而形成第1面之第2中间像(IMI2)；以及第3反射成像光学系统(G3)，其基于来自第2中间像之光而于第2面上形成缩小像。其中，构成第3反射成像光学系统(G3)之反射镜(M6～M8)的数量多于构成上述第1反射成像光学系统(G1)之反射镜(M1,M2)的数量。

4. 发明专利

TWI260470B 反射型投影光學系統、曝光設備及裝置製造方法 CATAOPTRIC PROJECTION OPTICAL SYSTEM, EXPOSURE APPARATUS AND DEVICE FABRICATION METHOD 失效
简体标题：反射型投影光学系统、曝光设备及设备制造方法 CATAOPTRIC PROJECTION OPTICAL SYSTEM, EXPOSURE APPARATUS AND DEVICE FABRICATION METHOD
公开(公告)号：TWI260470B
公开(公告)日：2006-08-21
申请号：TW092136893
申请日：2003-12-25
申请人：佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：寺澤千明 TERASAWA, CHIAKI
IPC分类号： G03F , G02B
CPC分类号： G02B17/0657 , G03F7/70233 , G03F7/70275
摘要：將物體表面上之縮減尺寸圖案投射在一影像表面上之反射型投影光學系統包含八個鏡片，該等鏡片從物體表面側至影像表面側依序包含一第一鏡片、一第二鏡片、一第三鏡片、一第四鏡片、一第五鏡片、一第六鏡片、一第七鏡片、及一第八鏡片，並使第六鏡片與第七鏡片之間的中間影像形成在一光徑上，其中，一距各鏡片處一光軸之主要射線高度方向上的位置移位，且從第一鏡片至第四鏡片之位移方向與從第五鏡片至第八鏡片之位移方向相反，其中，第二鏡片至第五鏡片為凹面鏡，一凸面鏡，一凹面鏡及一凹面鏡，且第七鏡片至第八鏡片為一凸面鏡及一凹面鏡，且其中，第八個鏡片中之第二鏡片的位置最接近物體表面側。
简体摘要：将物体表面上之缩减尺寸图案投射在一影像表面上之反射型投影光学系统包含八个镜片，该等镜片从物体表面侧至影像表面侧依序包含一第一镜片、一第二镜片、一第三镜片、一第四镜片、一第五镜片、一第六镜片、一第七镜片、及一第八镜片，并使第六镜片与第七镜片之间的中间影像形成在一光径上，其中，一距各镜片处一光轴之主要射线高度方向上的位置移位，且从第一镜片至第四镜片之位移方向与从第五镜片至第八镜片之位移方向相反，其中，第二镜片至第五镜片为凹面镜，一凸面镜，一凹面镜及一凹面镜，且第七镜片至第八镜片为一凸面镜及一凹面镜，且其中，第八个镜片中之第二镜片的位置最接近物体表面侧。

5. 发明专利

TW200406593A 投影光學系統以及具備該投影光學系統之曝光裝置 PROJECTION OPTICAL SYSTEM AND EXPSURE DEVICE EQUIPED WITH THE PROJECTION OPTICAL SYSTEM 审中-公开
简体标题：投影光学系统以及具备该投影光学系统之曝光设备 PROJECTION OPTICAL SYSTEM AND EXPSURE DEVICE EQUIPED WITH THE PROJECTION OPTICAL SYSTEM
公开(公告)号：TW200406593A
公开(公告)日：2004-05-01
申请号：TW092123687
申请日：2003-08-28
申请人：尼康股份有限公司 NIKON CORPORATION
发明人：高橋友刀 TOMOWAKI TAKAHASHI
IPC分类号： G02B
CPC分类号： G03F7/70233 , G02B13/143 , G02B17/0657 , G03F7/70275
摘要：一種反射型投影光學系統，對X光有良的反射特性，能夠抑制反射鏡的大型化，共能進行良好的像差修正，該投影光學系統配備六個反射鏡，可在第二面(7)上形成第一面(4)的縮小像。該投影光學系統具備第一反射成像光學系統(G1)用以形成第一面的中間像，以及第二反射成像光學系統(G2)用以在第二面上形成中間像的像。第一反射成像光學系統，依第一面的來光之入射順序，設有第一反射鏡(M1)、開口光圈(AS)、第二反射鏡(M2)、第三反射鏡(M3)、及第四反射鏡(M4)。第二反射成像光學系統，依第一面來的光之入射順序，配有第五反射鏡(M5)及第六反射鏡(M6)。
简体摘要：一种反射型投影光学系统，对X光有良的反射特性，能够抑制反射镜的大型化，共能进行良好的像差修正，该投影光学系统配备六个反射镜，可在第二面(7)上形成第一面(4)的缩小像。该投影光学系统具备第一反射成像光学系统(G1)用以形成第一面的中间像，以及第二反射成像光学系统(G2)用以在第二面上形成中间像的像。第一反射成像光学系统，依第一面的来光之入射顺序，设有第一反射镜(M1)、开口光圈(AS)、第二反射镜(M2)、第三反射镜(M3)、及第四反射镜(M4)。第二反射成像光学系统，依第一面来的光之入射顺序，配有第五反射镜(M5)及第六反射镜(M6)。

6. 发明专利

TW573234B 微影投影裝置及積體電路元件製造方法有权
简体标题：微影投影设备及集成电路组件制造方法
公开(公告)号：TW573234B
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：TW090125915
申请日：2001-10-19
申请人： ASML荷蘭公司 ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：馬修佛瑞德力克巴爾 MATTHIEU FREDERIC BAL , 佛羅利恩巴西爾特 FLORIAN BOCIORT , 喬瑟夫强納斯馬力亞布拉特 JOSEPHUS JOHANNES MARIA BRAAT
IPC分类号： G03F , G02B
CPC分类号： G02B17/0657 , G02B17/0663 , G03F7/70233
摘要：一種分級系統用於n個反射鏡的系統，因此反射鏡的系統藉由一數目C來分級，定義如下：其中：ai=1如果在反射鏡i處之主光線的入射角是負的，
Hi=0如果在反射鏡i處之主光線的入射角是正的，
M是此投射系統的放大率
指標i按照順序地計數此系統的反射鏡。
四反射鏡系統在等級2(-)，6(-)，或9(-)中，六反射鏡系統在等級5(+)，6(-)，9(+)，13(+)，18(-)，21(+)，22(-)，25(+)，29(+)，34(-)，37(+)，38(-)，42(-)，和54(-)中，其中(+)和(-)個別地顯示此系統的整體放大率是正或負，而八反射鏡系統在等級2(+)，5(+)，9(+)，12(+)，13(+)，18(+)，18(-)，19(+)，20(+)，21(+)，22(+)，23(+)，25(+)，26(+)，34(-)，36(+)，37(+)，38(-)，45(+)，46(+)，49(+)，52(+)，53(+)，54(+)，54(-)，55(-)，58(-)，68(+)，69(+)，73(+)，74(+)，77(+)，82(+)，82(-)，85(+)，88(+)，89(+)，90(-)，92(+)，93(+)，97(+)，100(-)，101(+)，102(-)，104(+)，105(+)，106(+)，106(-)，107(+)，108(+)，109(+)，109(-)，110(+)，110(-)，111(+)，113(+)，116(+)，117(+)，118(+)，118(-)，120(+)，121(+)，122(-)，123(-)，132(+)，133(+)，134(-)，137(+)，138(+)，141(+)，145(+)，145(-)，146(+)，146(-)，147(+)，148(+)，148(-)，149(+)，150(+)，150(-)，151(+)，151(-)，152(-)，153(+)，154(+)，154(-)，155(+)，155(-)，156(+)，157(+)，159(+)，161(+)，162(-)，163(-)，164(+)，165(+)，166(+)，166(-)，167(+)，168(+)，169(+)，170(+)，170(-)，171(+)，172(+)，173(+)，174(+)，175(+)，176(+)，177(+)，178(-)，179(+)，180(+)，180(-)，181(+)，181(-)，182(+)，182(-)，183(+)，183(-)，184(+)，185(+)，185(-)，186(-)，187(+)，187(-)，188(-)，189(+)，196(+)，197(+)，201(+)，203(+)，205(+)，209(+)，214(-)，216(+)，217(+)，218(+)，218(-)，225(+)，228(+)，229(+)，230(+)，232(+)，233(+)，235(+)，236(+)，237(+)，238(-)，243(+)，246(+)，247(+)，248(+)，250(-)，在EUV微影投影系統中是有用的。
简体摘要：一种分级系统用于n个反射镜的系统，因此反射镜的系统借由一数目C来分级，定义如下：其中：ai=1如果在反射镜i处之主光线的入射角是负的， Hi=0如果在反射镜i处之主光线的入射角是正的， M是此投射系统的放大率指针i按照顺序地计数此系统的反射镜。四反射镜系统在等级2(-)，6(-)，或9(-)中，六反射镜系统在等级5(+)，6(-)，9(+)，13(+)，18(-)，21(+)，22(-)，25(+)，29(+)，34(-)，37(+)，38(-)，42(-)，和54(-)中，其中(+)和(-)个别地显示此系统的整体放大率是正或负，而八反射镜系统在等级2(+)，5(+)，9(+)，12(+)，13(+)，18(+)，18(-)，19(+)，20(+)，21(+)，22(+)，23(+)，25(+)，26(+)，34(-)，36(+)，37(+)，38(-)，45(+)，46(+)，49(+)，52(+)，53(+)，54(+)，54(-)，55(-)，58(-)，68(+)，69(+)，73(+)，74(+)，77(+)，82(+)，82(-)，85(+)，88(+)，89(+)，90(-)，92(+)，93(+)，97(+)，100(-)，101(+)，102(-)，104(+)，105(+)，106(+)，106(-)，107(+)，108(+)，109(+)，109(-)，110(+)，110(-)，111(+)，113(+)，116(+)，117(+)，118(+)，118(-)，120(+)，121(+)，122(-)，123(-)，132(+)，133(+)，134(-)，137(+)，138(+)，141(+)，145(+)，145(-)，146(+)，146(-)，147(+)，148(+)，148(-)，149(+)，150(+)，150(-)，151(+)，151(-)，152(-)，153(+)，154(+)，154(-)，155(+)，155(-)，156(+)，157(+)，159(+)，161(+)，162(-)，163(-)，164(+)，165(+)，166(+)，166(-)，167(+)，168(+)，169(+)，170(+)，170(-)，171(+)，172(+)，173(+)，174(+)，175(+)，176(+)，177(+)，178(-)，179(+)，180(+)，180(-)，181(+)，181(-)，182(+)，182(-)，183(+)，183(-)，184(+)，185(+)，185(-)，186(-)，187(+)，187(-)，188(-)，189(+)，196(+)，197(+)，201(+)，203(+)，205(+)，209(+)，214(-)，216(+)，217(+)，218(+)，218(-)，225(+)，228(+)，229(+)，230(+)，232(+)，233(+)，235(+)，236(+)，237(+)，238(-)，243(+)，246(+)，247(+)，248(+)，250(-)，在EUV微影投影系统中是有用的。

7. 发明专利

TW493109B 微顯影投影物鏡裝置及投影照明設備失效
简体标题：微显影投影物镜设备及投影照明设备
公开(公告)号：TW493109B
公开(公告)日：2002-07-01
申请号：TW089104421
申请日：2000-03-10
申请人：卡爾蔡司公司
发明人：丁格烏德
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/70233 , G02B17/0657
摘要：本發明為一種用於低波長，尤其低於100nm之波長的微顯影投影物鏡裝置，具有第一面反射鏡(S1)、第二面反射鏡(S2)、第三面反射鏡(S3)、第四面反射鏡(S4)、以及第五面反射鏡(S5)。本發明之特徵為：成像側的數值孔徑NA≧0.10，且最靠近受曝光之物體的反射鏡，最子是最靠近晶圓的反射鏡，其配置方式能夠滿足以下的要求：成像側的光學自由工作間距至少和最靠近晶圓的反射鏡的有效直徑D一樣大。及/或成像側的光學自由工作間距至少和最靠近晶圓的反射鏡的有直徑D的三分之一加上一段長度20mm至30mm的和一樣大。及/或成像側的光學自由工作間距至少有50mm，最好是60mm。
简体摘要：本发明为一种用于低波长，尤其低于100nm之波长的微显影投影物镜设备，具有第一面反射镜(S1)、第二面反射镜(S2)、第三面反射镜(S3)、第四面反射镜(S4)、以及第五面反射镜(S5)。本发明之特征为：成像侧的数值孔径NA≧0.10，且最靠近受曝光之物体的反射镜，最子是最靠近晶圆的反射镜，其配置方式能够满足以下的要求：成像侧的光学自由工作间距至少和最靠近晶圆的反射镜的有效直径D一样大。及/或成像侧的光学自由工作间距至少和最靠近晶圆的反射镜的有直径D的三分之一加上一段长度20mm至30mm的和一样大。及/或成像侧的光学自由工作间距至少有50mm，最好是60mm。

8. 发明专利

TWI519828B 於微影投射曝光裝置中的光學配置有权
简体标题：于微影投射曝光设备中的光学配置
公开(公告)号：TWI519828B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW099133064
申请日：2010-09-29
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：斯可派克阿民 , 曼漢斯喬根 , 艾塞特法蘭克 , EISERT, FRANK , 寬印布派崔克 , KWAN, YIM-BUN-PATRICK
IPC分类号： G02B5/08 , G02B5/10 , G02B7/182 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70825 , G02B17/0657

9. 发明专利

TWI413852B 投影光學系統、曝光裝置以及元件製造方法有权
简体标题：投影光学系统、曝光设备以及组件制造方法
公开(公告)号：TWI413852B
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW096110068
申请日：2007-03-23
申请人：尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人：高橋友刀 , TAKAHASHI, TOMOWAKI
IPC分类号： G03B27/52 , G03B17/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G02B27/0043 , G02B17/0657 , G03F7/70233

10. 发明专利

TWI399569B 投影光學系統、曝光裝置以及元件製造方法有权
简体标题：投影光学系统、曝光设备以及组件制造方法
公开(公告)号：TWI399569B
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：TW095104830
申请日：2006-02-14
申请人：尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人：高橋友刀 , TAKAHASHI, TOMOWAKI
IPC分类号： G02B27/18 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70233 , G02B17/0657 , G03F7/70275

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式