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2. 发明专利

TW201337324A 用於ＥＵＶ微影的投影透鏡、膜構件及製造包含膜構件的投影透鏡的方法审中-公开
简体标题：用于ＥＵＶ微影的投影透镜、膜构件及制造包含膜构件的投影透镜的方法
公开(公告)号：TW201337324A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102105232
申请日：2013-02-08
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：畢特納鮑瑞斯 , BITTNER, BORIS , 瓦伯拉諾伯特 , WABRA, NORBERT , 舒納德桑賈 , SCHNEIDER, SONJA , 舒納德瑞卡達 , SCHNEIDER, RICARDA , 瓦格納漢立克 , WAGNER, HENDRIK , 沃德克里斯汀 , WALD, CHRISTIAN , 艾柳魯門 , ILIEW, RUMEN , 斯奇凱坦茲湯瑪士 , SCHICKETANZ, THOMAS , 葛納托拉夫 , GRUNER, TORALF , 包爾斯華特 , PAULS, WALTER , 舒密特霍格爾 , SCHMIDT, HOLGER
IPC分类号： G02B17/06
CPC分类号： G02B17/0892 , B82Y10/00 , G02B17/0896 , G03F7/70191 , G03F7/70233 , G03F7/70316 , G21K1/062 , Y10T29/49826
摘要：本發明揭示一種投影透鏡(PO)，該投影透鏡利用具有極紫外光範圍(EUV)中之一工作波長λ的電磁輻射，將配置在該投影透鏡之一物體平面(OS)中的一圖案成像於該投影透鏡之一影像平面(IS)中，該投影透鏡包含多個反射鏡(M1-M6)，該等反射鏡具有反射鏡表面以如此之一方式配置在該物體平面及該影像平面之間的投影光束路徑中，致使可利用該等反射鏡將配置在該物體平面中的一圖案成像於該影像平面中。一分配的波前校正裝置(WFC)包含一膜構件(FE)，該膜構件具有一膜，該膜在波前校正裝置的操作模式中配置在投影光束路徑中及在工作波長λ下傳輸EUV輻射撞擊在光學使用區中的主要部分。該膜構件包含：一第一層，其由具有第一複數折射率n1=(1-δ1)+iβ1的第一層材料組成及具有在使用區之上根據第一層厚度輪廓局部改變的一第一光學層厚度；及一第二層，其由具有第二複數折射率n2=(1-δ2)+iβ2的一第二層材料組成及具有在使用區之上根據第二層厚度輪廓局部改變的一第二光學層厚度，其中該第一層厚度輪廓及該第二層厚度輪廓不同。第一折射率之實部與1的偏差δ1相對於第一層材料的吸收係數β1為大，及第二折射率之實部與1的偏差δ2相對於第二層材料的吸收係數β2為小。
简体摘要：本发明揭示一种投影透镜(PO)，该投影透镜利用具有极紫外光范围(EUV)中之一工作波长λ的电磁辐射，将配置在该投影透镜之一物体平面(OS)中的一图案成像于该投影透镜之一影像平面(IS)中，该投影透镜包含多个反射镜(M1-M6)，该等反射镜具有反射镜表面以如此之一方式配置在该物体平面及该影像平面之间的投影光束路径中，致使可利用该等反射镜将配置在该物体平面中的一图案成像于该影像平面中。一分配的波前校正设备(WFC)包含一膜构件(FE)，该膜构件具有一膜，该膜在波前校正设备的操作模式中配置在投影光束路径中及在工作波长λ下传输EUV辐射撞击在光学使用区中的主要部分。该膜构件包含：一第一层，其由具有第一复数折射率n1=(1-δ1)+iβ1的第一层材料组成及具有在使用区之上根据第一层厚度轮廓局部改变的一第一光学层厚度；及一第二层，其由具有第二复数折射率n2=(1-δ2)+iβ2的一第二层材料组成及具有在使用区之上根据第二层厚度轮廓局部改变的一第二光学层厚度，其中该第一层厚度轮廓及该第二层厚度轮廓不同。第一折射率之实部与1的偏差δ1相对于第一层材料的吸收系数β1为大，及第二折射率之实部与1的偏差δ2相对于第二层材料的吸收系数β2为小。

3. 发明专利

TWI550358B 微影製程之投影曝光工具的操作方法有权
简体标题：微影制程之投影曝光工具的操作方法
公开(公告)号：TWI550358B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW101102171
申请日：2012-01-19
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：康拉帝歐拉夫 , CONRADI, OLAF , 托查克邁可 , TOTZECK, MICHAEL , 羅瑞尤瑞奇 , 俊傑德克 , 穆勒勞夫 , 沃德克里斯汀 , WALD, CHRISTIAN
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70891 , G03F7/70141 , G03F7/70483 , G03F7/70516 , G03F7/708

4. 发明专利

TWI647540B 光學組件有权
简体标题：光学组件
公开(公告)号：TWI647540B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW103124502
申请日：2014-07-17
申请人：德商卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：包爾斯華特 , PAULS, WALTER , 瓦格納漢立克 , WAGNER, HENDRIK , 艾爾斯弗洛瑞恩 , AHLES, FLORIAN , 沃德克里斯汀 , WALD, CHRISTIAN , 費茲榭史蒂芬 , FRITZSCHE, STEFFEN , 瓦伯拉諾伯特 , WABRA, NORBERT , 畢特納鮑瑞斯 , BITTNER, BORIS , 舒納德桑賈 , SCHNEIDER, SONJA , 舒納德瑞卡達 , SCHNEIDER, RICARDA
IPC分类号： G03F7/20

5. 发明专利

TW201642048A 微影製程之投影曝光工具的操作方法审中-公开
简体标题：微影制程之投影曝光工具的操作方法
公开(公告)号：TW201642048A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105124960
申请日：2012-01-19
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：康拉帝歐拉夫 , CONRADI, OLAF , 托查克邁可 , TOTZECK, MICHAEL , 羅瑞尤瑞奇 , LOERING, ULRICH , 俊傑德克 , JUERGENS, DIRK , 穆勒勞夫 , MUELLER, RALF , 沃德克里斯汀 , WALD, CHRISTIAN
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70891 , G03F7/70141 , G03F7/70483 , G03F7/70516 , G03F7/708
摘要：本發明揭示一種操作微影製程之投影曝光工具(10)的方法。投影曝光工具(10)具有使用電磁輻射(13、13a、13b)將遮罩(20)上的物體結構成像於影像平面(28)中的投影物鏡(26)，在此期間，成像該電磁輻射(13b)造成投影物鏡(26)的光學性質變更。該方法包含以下步驟：提供遮罩(20)上要成像之物體結構的布局及根據物體結構之結構類型對該等物體結構進行分類；基於該等物體結構之分類，計算投影物鏡(26)在成像製程期間產生的光學性質變更；及使用投影曝光工具(10)將物體結構成像於影像平面(28)中，其中基於所計算光學性質變更，調整投影曝光工具(10)的成像行為，以至少部分補償投影物鏡(26)在成像製程期間因電磁輻射(13、13a、13b)所造成的光學性質變更。
简体摘要：本发明揭示一种操作微影制程之投影曝光工具(10)的方法。投影曝光工具(10)具有使用电磁辐射(13、13a、13b)将遮罩(20)上的物体结构成像于影像平面(28)中的投影物镜(26)，在此期间，成像该电磁辐射(13b)造成投影物镜(26)的光学性质变更。该方法包含以下步骤：提供遮罩(20)上要成像之物体结构的布局及根据物体结构之结构类型对该等物体结构进行分类；基于该等物体结构之分类，计算投影物镜(26)在成像制程期间产生的光学性质变更；及使用投影曝光工具(10)将物体结构成像于影像平面(28)中，其中基于所计算光学性质变更，调整投影曝光工具(10)的成像行为，以至少部分补偿投影物镜(26)在成像制程期间因电磁辐射(13、13a、13b)所造成的光学性质变更。

6. 发明专利

TW201516577A 光學組件审中-公开
简体标题：光学组件
公开(公告)号：TW201516577A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103124502
申请日：2014-07-17
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：包爾斯華特 , PAULS, WALTER , 瓦格納漢立克 , WAGNER, HENDRIK , 艾爾斯弗洛瑞恩 , AHLES, FLORIAN , 沃德克里斯汀 , WALD, CHRISTIAN , 費茲榭史蒂芬 , FRITZSCHE, STEFFEN , 瓦伯拉諾伯特 , WABRA, NORBERT , 畢特納鮑瑞斯 , BITTNER, BORIS , 舒納德桑賈 , SCHNEIDER, SONJA , 舒納德瑞卡達 , SCHNEIDER, RICARDA
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70058 , G03F7/70258 , G03F7/7085
摘要：本發明揭示一種光學組件(100)，尤其是用於成像微影微結構或奈米結構之微影系統，其包含：至少兩個光學元件(101、103)，其連續配置在該光學組件(100)之一光束路徑中；一獲取裝置(110)，其經設計以自至少兩個光學元件(101、103)處之標記元件(414、424、720、721、722、723)獲取輻射信號(131)，該等標記元件(414、424)裝配在該至少兩個光學元件(101、103)的光學作用區(102、104)外，其中該獲取裝置(110)配置在該至少兩個光學元件(101、103)的一第一光學元件(101)及一最後光學元件(103)之間的一光束路徑(132)外，其中該等輻射信號(131)含有關於該至少兩個光學元件(101、103)之一光學作用表面(102、104)的一或複數個性質的資訊；及一控制裝置(120)，其耦合至該獲取裝置(110)，且其經設計以依據源自該等標記元件之該等輻射信號(131)中含有的資訊，決定該至少兩個光學元件(101、103)之該光學作用表面(102、104)的該複數個性質。本發明另外揭示一種用於操作光學組件(100)的方法。
简体摘要：本发明揭示一种光学组件(100)，尤其是用于成像微影微结构或奈米结构之微影系统，其包含：至少两个光学组件(101、103)，其连续配置在该光学组件(100)之一光束路径中；一获取设备(110)，其经设计以自至少两个光学组件(101、103)处之标记组件(414、424、720、721、722、723)获取辐射信号(131)，该等标记组件(414、424)装配在该至少两个光学组件(101、103)的光学作用区(102、104)外，其中该获取设备(110)配置在该至少两个光学组件(101、103)的一第一光学组件(101)及一最后光学组件(103)之间的一光束路径(132)外，其中该等辐射信号(131)含有关于该至少两个光学组件(101、103)之一光学作用表面(102、104)的一或复数个性质的信息；及一控制设备(120)，其耦合至该获取设备(110)，且其经设计以依据源自该等标记组件之该等辐射信号(131)中含有的信息，决定该至少两个光学组件(101、103)之该光学作用表面(102、104)的该复数个性质。本发明另外揭示一种用于操作光学组件(100)的方法。

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