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1. 发明专利

TWI569373B 半導體儲存裝置有权
简体标题：半导体存储设备
公开(公告)号：TWI569373B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW100145328
申请日：2011-12-08
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 高橋康之 , TAKAHASHI, YASUYUKI
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L21/8242 , H01L27/108 , G11C11/401 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C8/08 , G11C8/14
CPC分类号： G11C7/22 , G11C5/06 , G11C8/10 , G11C11/404 , G11C16/02 , H01L27/1052 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/7869

2. 发明专利

TWI605455B 記憶體裝置和半導體裝置有权
简体标题：内存设备和半导体设备
公开(公告)号：TWI605455B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW103102274
申请日：2014-01-22
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：加藤清 , KATO, KIYOSHI , 王丸拓郎 , OHMARU, TAKURO , 高橋康之 , TAKAHASHI, YASUYUKI
IPC分类号： G11C16/06
CPC分类号： G11C11/22 , G11C11/24

3. 发明专利

TWI540407B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI540407B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW100129563
申请日：2011-08-18
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：高橋康之 , TAKAHASHI, YASUYUKI
IPC分类号： G05F3/30
CPC分类号： G05F3/30

4. 发明专利

TWI538169B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI538169B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW100103115
申请日：2011-01-27
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：高橋康之 , TAKAHASHI, YASUYUKI , 齋藤利彥 , SAITO, TOSHIHIKO
IPC分类号： H01L27/112 , H01L21/77 , H01L21/8246
CPC分类号： G11C16/26 , G11C16/0433 , G11C2216/26 , H01L27/112 , H01L27/11206 , H01L27/1225

5. 发明专利

TW201438008A 記憶體裝置和半導體裝置审中-公开
简体标题：内存设备和半导体设备
公开(公告)号：TW201438008A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103102274
申请日：2014-01-22
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：加藤清 , KATO, KIYOSHI , 王丸拓郎 , OHMARU, TAKURO , 高橋康之 , TAKAHASHI, YASUYUKI
IPC分类号： G11C16/06
CPC分类号： G11C11/22 , G11C11/24
摘要：本發明提供一種能夠降低開銷電力的記憶體裝置。本發明的一個實施例的記憶體裝置包括：在供應有電源電壓的第一期間中保持資料的第一電路；在上述第一期間中儲存上述第一電路中保持的上述資料並在不供應上述電源電壓的第二期間中保持從上述第一電路儲存的上述資料的第二電路；以及在上述第二期間中儲存上述第二電路中保持的上述資料並在不供應上述電源電壓的第三期間中保持從上述第二電路儲存的上述資料的第三電路。上述第三電路包括通道形成區設置於氧化物半導體膜中的電晶體以及藉由上述電晶體被供應對應於上述資料的電位的電容器。
简体摘要：本发明提供一种能够降低开销电力的内存设备。本发明的一个实施例的内存设备包括：在供应有电源电压的第一期间中保持数据的第一电路；在上述第一期间中存储上述第一电路中保持的上述数据并在不供应上述电源电压的第二期间中保持从上述第一电路存储的上述数据的第二电路；以及在上述第二期间中存储上述第二电路中保持的上述数据并在不供应上述电源电压的第三期间中保持从上述第二电路存储的上述数据的第三电路。上述第三电路包括信道形成区设置于氧化物半导体膜中的晶体管以及借由上述晶体管被供应对应于上述数据的电位的电容器。

6. 发明专利

TWI474439B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI474439B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW098131932
申请日：2009-09-22
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：松本周子 , MATSUMOTO, CHIKAKO , 高橋康之 , TAKAHASHI, YASUYUKI
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/861
CPC分类号： G06K19/0723 , G06K19/0707 , H01L27/0207

7. 发明专利

TWI543187B 半導體記憶體裝置及半導體裝置有权
简体标题：半导体内存设备及半导体设备
公开(公告)号：TWI543187B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW100112041
申请日：2011-04-07
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：齋藤利彥 , SAITO, TOSHIHIKO , 高橋康之 , TAKAHASHI, YASUYUKI
IPC分类号： G11C7/12 , H01L21/8246 , H01L27/112 , H01L27/12
CPC分类号： G11C7/12 , H01L27/112 , H01L27/11206 , H01L27/1214

8. 发明专利

TWI496273B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI496273B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW098130922
申请日：2009-09-14
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：阿部貴征 , ABE, TAKAYUKI , 高橋康之 , TAKAHASHI, YASUYUKI
IPC分类号： H01L27/04 , H01L27/10
CPC分类号： H01L27/11206 , H01L23/49833 , H01L23/4985 , H01L23/49855 , H01L23/5227 , H01L23/5252 , H01L23/53257 , H01L23/53271 , H01L23/5329 , H01L23/66 , H01L24/24 , H01L27/0629 , H01L27/105 , H01L27/112 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L28/60 , H01L29/94 , H01L2223/6672 , H01L2223/6677 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00

9. 发明专利

TW201143032A 半導體記憶裝置 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体记忆设备 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
公开(公告)号：TW201143032A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW100103115
申请日：2011-01-27
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：高橋康之 , 齋藤利彥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C16/26 , G11C16/0433 , G11C2216/26 , H01L27/112 , H01L27/11206 , H01L27/1225
摘要：本發明的目的在於在不增加成本之下,提供半導體記憶裝置,在該半導體記憶裝置中,在寫入時不需要高電壓,缺陷不太可能發生,寫入時間短,及無法重寫資料。該半導體記憶裝置包括記憶體元件,該記憶體元件包括:二極體連接式第一電晶體;第二電晶體,其閘極係連接到該二極體連接式第一電晶體之源極電極和汲極電極的一端子;以及電容器,係連接到該二極體連接式第一電晶體之該源極電極和該汲極電極的該一端子及該第二電晶體的該閘極。
简体摘要：本发明的目的在于在不增加成本之下,提供半导体记忆设备,在该半导体记忆设备中,在写入时不需要高电压,缺陷不太可能发生,写入时间短,及无法重写数据。该半导体记忆设备包括内存组件,该内存组件包括:二极管连接式第一晶体管;第二晶体管,其闸极系连接到该二极管连接式第一晶体管之源极电极和汲极电极的一端子;以及电容器,系连接到该二极管连接式第一晶体管之该源极电极和该汲极电极的该一端子及该第二晶体管的该闸极。

10. 发明专利

TW201229714A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201229714A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100129563
申请日：2011-08-18
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：高橋康之
IPC分类号： G05F
CPC分类号： G05F3/30
摘要：本發明係關於一種半導體裝置。本發明所提供的啟動電路允許參考電壓生成電路在極短時間周期內啟動並達到穩定平衡狀態。該啟動電路配置成即使不向該啟動電路供電時也保持與處於穩定平衡狀態中的參考電壓生成電路的內部電壓基本相同的電壓。當參考電壓生成電路被啟動時，從啟動電路向參考電壓生成電路輸出電壓。
简体摘要：本发明系关于一种半导体设备。本发明所提供的启动电路允许参考电压生成电路在极短时间周期内启动并达到稳定平衡状态。该启动电路配置成即使不向该启动电路供电时也保持与处于稳定平衡状态中的参考电压生成电路的内部电压基本相同的电压。当参考电压生成电路被启动时，从启动电路向参考电压生成电路输出电压。

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