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1. 发明专利

TW201824522A 非揮發性記憶體审中-公开
简体标题：非挥发性内存
公开(公告)号：TW201824522A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106112112
申请日：2017-04-12
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：李翊宏 , LI, YI-HUNG , 羅明山 , LO, MING-SHAN , 黃正達 , HUANG, CHENG-DA
IPC分类号： H01L27/11524
摘要：一種非揮發性記憶體，包括多個記憶胞。各個記憶胞包括基底、浮置閘極結構、選擇閘極結構與第一摻雜區。浮置閘極結構設置於基底上。選擇閘極結構設置於基底上，且位於浮置閘極結構的一側。第一摻雜區設置於浮置閘極結構的另一側的基底中。相鄰兩個記憶胞之間的第一摻雜區相鄰且彼此分離。
简体摘要：一种非挥发性内存，包括多个记忆胞。各个记忆胞包括基底、浮置闸极结构、选择闸极结构与第一掺杂区。浮置闸极结构设置于基底上。选择闸极结构设置于基底上，且位于浮置闸极结构的一侧。第一掺杂区设置于浮置闸极结构的另一侧的基底中。相邻两个记忆胞之间的第一掺杂区相邻且彼此分离。

2. 发明专利

TW201728082A 具有高可靠度的電源切換裝置审中-公开
简体标题：具有高可靠度的电源切换设备
公开(公告)号：TW201728082A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW106100948
申请日：2017-01-12
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：蔡侑霖 , TSAI, YU-LIN , 黃正達 , HUANG, CHENG-DA , 林俊宏 , LIN, CHUN-HUNG , 黃玉萍 , HUANG, YU-PING
IPC分类号： H03K5/003 , G11C16/12
CPC分类号： G11C16/0408 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0673 , G06F11/1076 , G06F12/1408 , G06F21/72 , G06F21/73 , G06F2212/1052 , G06F2212/402 , G11C5/063 , G11C7/10 , G11C7/22 , G11C7/24 , G11C16/08 , G11C16/22 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/785 , H01L27/11206 , H03K3/356113 , H04L9/3278
摘要：電源切換裝置包含第一位準移位電路、第一電晶體、第二電晶體、第二位準移位電路、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體及第六電晶體。第一電晶體耦接於第一位準移位電路。第二電晶體耦接於第二位準移位電路。第一電晶體耦接於第二電晶體，用以輸出一個輸出電壓。第五電晶體及第六電晶體組成電壓選擇器。第三電晶體及第四電晶體耦接於第二電晶體，用以控制電壓選擇器輸出至第一位準移位電路及第二位準移位電路的驅動電壓。電源切換裝置中，輸入至第一位準移位電路及第二位準移位電路的驅動電壓在寫入模式或是在讀取模式下都能保持穩定。
简体摘要：电源切换设备包含第一位准移位电路、第一晶体管、第二晶体管、第二位准移位电路、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管及第六晶体管。第一晶体管耦接于第一位准移位电路。第二晶体管耦接于第二位准移位电路。第一晶体管耦接于第二晶体管，用以输出一个输出电压。第五晶体管及第六晶体管组成电压选择器。第三晶体管及第四晶体管耦接于第二晶体管，用以控制电压选择器输出至第一位准移位电路及第二位准移位电路的驱动电压。电源切换设备中，输入至第一位准移位电路及第二位准移位电路的驱动电压在写入模式或是在读取模式下都能保持稳定。

3. 发明专利

TWI701676B 記憶體系統及記憶體系統的操作方法有权
简体标题：内存系统及内存系统的操作方法
公开(公告)号：TWI701676B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW108135840
申请日：2019-10-03
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：李玠澤 , LEE, CHIEH-TSE , 林俊宏 , LIN, CHUN-HUNG , 黃正達 , HUANG, CHENG-DA
IPC分类号： G11C7/18 , G11C17/16

4. 发明专利

TW201839771A 運用於非揮發性記憶體的感測電路审中-公开
简体标题：运用于非挥发性内存的传感电路
公开(公告)号：TW201839771A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107111702
申请日：2018-04-02
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：陳致均 , CHEN, CHIH-CHUN , 林俊宏 , LIN, CHUN-HUNG , 黃正達 , HUANG, CHENG-DA
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/02
摘要：一種感測電路包括：一感測級。該感測級包括一降壓電路、一P型電晶體以及一N型電晶體。該降壓電路接收一第一電源電壓並產生一第二電源電壓。該P型電晶體的一源極端接收該第二電源電壓。該P型電晶體的一閘極端接收一非揮發性記憶體中一選定記憶胞所產生的一記憶胞電流。該N型電晶體的一汲極端連接至該P型電晶體的一汲極端。該N型電晶體的一閘極端接收一偏壓電壓。以及該N型電晶體的一源極端接收一接地電壓。於一感測期間，該降壓電路產生固定的該第二電源電壓，且該第二電源電壓小於該第一電源電壓。
简体摘要：一种传感电路包括：一传感级。该传感级包括一降压电路、一P型晶体管以及一N型晶体管。该降压电路接收一第一电源电压并产生一第二电源电压。该P型晶体管的一源极端接收该第二电源电压。该P型晶体管的一闸极端接收一非挥发性内存中一选定记忆胞所产生的一记忆胞电流。该N型晶体管的一汲极端连接至该P型晶体管的一汲极端。该N型晶体管的一闸极端接收一偏压电压。以及该N型晶体管的一源极端接收一接地电压。于一传感期间，该降压电路产生固定的该第二电源电压，且该第二电源电压小于该第一电源电压。

5. 发明专利

TWI574353B 非揮發性記憶胞結構及其裝置有权
简体标题：非挥发性记忆胞结构及其设备
公开(公告)号：TWI574353B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW104107595
申请日：2015-03-10
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：陳致均 , CHEN, CHIH CHUN , 林俊宏 , LIN, CHUN HUNG , 黃正達 , HUANG, CHENG DA
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： G11C16/14 , G11C5/063 , G11C16/0433 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/30 , H01L27/092 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L29/0642 , H01L29/1095 , H02M1/14 , H02M3/07

6. 发明专利

TW201614774A 非揮發性記憶胞結構及其裝置审中-公开
简体标题：非挥发性记忆胞结构及其设备
公开(公告)号：TW201614774A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104107595
申请日：2015-03-10
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：陳致均 , CHEN, CHIH CHUN , 林俊宏 , LIN, CHUN HUNG , 黃正達 , HUANG, CHENG DA
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： G11C16/14 , G11C5/063 , G11C16/0433 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/30 , H01L27/092 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L29/0642 , H01L29/1095 , H02M1/14 , H02M3/07
摘要：本發明提供非揮發性記憶胞結構及其非揮發性記憶裝置。非揮發性記憶胞結構包括基板、第一井區、第二井區、第三井區、至少一第一電晶體、第二電晶體以及第三電晶體。第一至第三井區配置於基板上。第一至第三電晶體依序形成於第一至該第三井區上。該第一至該第三電晶體串聯耦接。其中，第一電晶體控制端為浮接，第二電晶體控制端接收偏壓電壓，第三電晶體控制端耦接至字線信號。另外，第三井區及第二井區為相同形式，且第一井區形式與第三井區的形式互補。
简体摘要：本发明提供非挥发性记忆胞结构及其非挥发性记忆设备。非挥发性记忆胞结构包括基板、第一井区、第二井区、第三井区、至少一第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管。第一至第三井区配置于基板上。第一至第三晶体管依序形成于第一至该第三井区上。该第一至该第三晶体管串联耦接。其中，第一晶体管控制端为浮接，第二晶体管控制端接收偏压电压，第三晶体管控制端耦接至字线信号。另外，第三井区及第二井区为相同形式，且第一井区形式与第三井区的形式互补。

7. 发明专利

TWI640990B 升壓保護電路有权
简体标题：升压保护电路
公开(公告)号：TWI640990B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW106107166
申请日：2017-03-06
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：李玠澤 , LEE, CHIEH-TSE , 陳致均 , CHEN, CHIH-CHUN , 黃正達 , HUANG, CHENG-DA , 林俊宏 , LIN, CHUN-HUNG
IPC分类号： G11C16/06

8. 发明专利

TW201830389A 自動設時重置脈衝產生器及具有脈衝產生器的記憶體裝置审中-公开
简体标题：自动设时重置脉冲产生器及具有脉冲产生器的内存设备
公开(公告)号：TW201830389A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106106342
申请日：2017-02-24
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：陳致均 , CHEN, CHIH-CHUN , 林俊宏 , LIN, CHUN-HUNG , 黃正達 , HUANG, CHENG-DA
IPC分类号： G11C7/22
摘要：一種自動設時重置脈衝產生器，包含正反器、追蹤區塊和追蹤電路。正反器接收輸入訊號和回饋訊號，並輸出重置訊號。追蹤區塊具有串聯耦合的複製胞以複製在外部裝置的結構。追蹤區塊具有第一端和第二端。第一端和第二端位在追蹤區塊在相同位置或兩個不同位置處。追蹤電路單元接收重置訊號，並接收第一端和第二端，以分別對在第一端處的追蹤區塊進行放電，以及感測在第二端處由重置訊號觸發的電壓準位。當電壓準位小於或等於閾值時，作為回饋訊號的追蹤訊號被輸出到正反器。
简体摘要：一种自动设时重置脉冲产生器，包含正反器、追踪区块和追踪电路。正反器接收输入信号和回馈信号，并输出重置信号。追踪区块具有串联耦合的复制胞以复制在外部设备的结构。追踪区块具有第一端和第二端。第一端和第二端位在追踪区块在相同位置或两个不同位置处。追踪电路单元接收重置信号，并接收第一端和第二端，以分别对在第一端处的追踪区块进行放电，以及传感在第二端处由重置信号触发的电压准位。当电压准位小于或等于阈值时，作为回馈信号的追踪信号被输出到正反器。

9. 发明专利

TW201826277A 升壓保護電路审中-公开
简体标题：升压保护电路
公开(公告)号：TW201826277A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106107166
申请日：2017-03-06
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：李玠澤 , LEE, CHIEH-TSE , 陳致均 , CHEN, CHIH-CHUN , 黃正達 , HUANG, CHENG-DA , 林俊宏 , LIN, CHUN-HUNG
IPC分类号： G11C16/06
摘要：升壓保護電路包含第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體及第四電晶體。第一電晶體、第二電晶體及第四電晶體的第一端耦接，用以接收寫入電壓。第三電晶體的控制端用以接收工作電壓。第四電晶體的第二端用以在第四電晶體導通時輸出寫入電壓。當寫入電壓非預期地升壓且工作電壓未升壓時，第一電晶體為導通，第二電晶體為截止，及該第四電晶體為截止，以避免第四電晶體之第二端輸出寫入電壓。
简体摘要：升压保护电路包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管。第一晶体管、第二晶体管及第四晶体管的第一端耦接，用以接收写入电压。第三晶体管的控制端用以接收工作电压。第四晶体管的第二端用以在第四晶体管导通时输出写入电压。当写入电压非预期地升压且工作电压未升压时，第一晶体管为导通，第二晶体管为截止，及该第四晶体管为截止，以避免第四晶体管之第二端输出写入电压。

10. 发明专利

TWI627833B 具有高可靠度的電源切換裝置有权
简体标题：具有高可靠度的电源切换设备
公开(公告)号：TWI627833B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW106100948
申请日：2017-01-12
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：蔡侑霖 , TSAI, YU-LIN , 黃正達 , HUANG, CHENG-DA , 林俊宏 , LIN, CHUN-HUNG , 黃玉萍 , HUANG, YU-PING
IPC分类号： H03K5/003 , G11C16/12

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