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    • 2. 发明专利
    • 運用於非揮發性記憶體的感測電路
    • 运用于非挥发性内存的传感电路
    • TW201839771A
    • 2018-11-01
    • TW107111702
    • 2018-04-02
    • 力旺電子股份有限公司EMEMORY TECHNOLOGY INC.
    • 陳致均CHEN, CHIH-CHUN林俊宏LIN, CHUN-HUNG黃正達HUANG, CHENG-DA
    • G11C16/26G11C16/02
    • 一種感測電路包括:一感測級。該感測級包括一降壓電路、一P型電晶體以及一N型電晶體。該降壓電路接收一第一電源電壓並產生一第二電源電壓。該P型電晶體的一源極端接收該第二電源電壓。該P型電晶體的一閘極端接收一非揮發性記憶體中一選定記憶胞所產生的一記憶胞電流。該N型電晶體的一汲極端連接至該P型電晶體的一汲極端。該N型電晶體的一閘極端接收一偏壓電壓。以及該N型電晶體的一源極端接收一接地電壓。於一感測期間,該降壓電路產生固定的該第二電源電壓,且該第二電源電壓小於該第一電源電壓。
    • 一种传感电路包括:一传感级。该传感级包括一降压电路、一P型晶体管以及一N型晶体管。该降压电路接收一第一电源电压并产生一第二电源电压。该P型晶体管的一源极端接收该第二电源电压。该P型晶体管的一闸极端接收一非挥发性内存中一选定记忆胞所产生的一记忆胞电流。该N型晶体管的一汲极端连接至该P型晶体管的一汲极端。该N型晶体管的一闸极端接收一偏压电压。以及该N型晶体管的一源极端接收一接地电压。于一传感期间,该降压电路产生固定的该第二电源电压,且该第二电源电压小于该第一电源电压。