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1. 发明专利

TWI587515B 積層構造體、薄膜電晶體陣列及其等之製造方法有权
简体标题：积层构造体、薄膜晶体管数组及其等之制造方法
公开(公告)号：TWI587515B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW102134433
申请日：2013-09-25
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：石崎守 , ISHIZAKI, MAMORU , 八田薰 , HATTA, KAORU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/1292 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L29/66825 , H01L29/788 , H01L2224/11

2. 发明专利

TWI617030B 薄膜電晶體及其製造方法有权
简体标题：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI617030B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW102134429
申请日：2013-09-25
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：石崎守 , ISHIZAKI, MAMORU , 松原亮平 , MATSUBARA, RYOHEI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/41733

3. 发明专利

TW201506871A 薄膜電晶體陣列、其製造方法、影像顯示裝置及顯示方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管数组、其制造方法、影像显示设备及显示方法
公开(公告)号：TW201506871A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103122018
申请日：2014-06-26
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：石崎守 , ISHIZAKI, MAMORU
IPC分类号： G09G3/00 , H01L27/12 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L27/1244 , G02F1/136213 , G02F1/13624 , G02F1/136259 , G02F2001/136263 , G02F2001/136272 , G02F2201/50 , G09G3/344 , G09G3/3688 , G09G2300/0426 , G09G2300/0819 , G09G2320/0204 , G09G2320/0233 , G09G2330/08 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1259
摘要：提供一種能一面抑制斷線的影響一面適合於各種短路的修補，且可降低修補後的顯示差異之薄膜電晶體陣列、其製造方法、影像顯示裝置及顯示方法。薄膜電晶體陣列具有薄膜電晶體(TFT)，該薄膜電晶體(TFT)係以在與形成有閘極電極、閘極配線、電容器電極、電容器配線之絕緣基板上的閘極電極重疊的區域，隔著閘極絕緣膜形成具有包含半導體圖案的間隙之源極電極及汲極電極，半導體圖案被保護層所覆蓋；該TFT係依每1像素獨立形成有兩個，各像素的兩個源極電極分別與兩條源極配線連接，兩個汲極電極經由個別的汲極連接電極連接於各像素的電極；其中該薄膜電晶體陣列具有將形成於每1像素之兩個TFT的源極電極彼此連接之源極連接電極，於兩條源極配線施加同一驅動波形。
简体摘要：提供一种能一面抑制断线的影响一面适合于各种短路的修补，且可降低修补后的显示差异之薄膜晶体管数组、其制造方法、影像显示设备及显示方法。薄膜晶体管数组具有薄膜晶体管(TFT)，该薄膜晶体管(TFT)系以在与形成有闸极电极、闸极配线、电容器电极、电容器配线之绝缘基板上的闸极电极重叠的区域，隔着闸极绝缘膜形成具有包含半导体图案的间隙之源极电极及汲极电极，半导体图案被保护层所覆盖；该TFT系依每1像素独立形成有两个，各像素的两个源极电极分别与两条源极配线连接，两个汲极电极经由个别的汲极连接电极连接于各像素的电极；其中该薄膜晶体管数组具有将形成于每1像素之两个TFT的源极电极彼此连接之源极连接电极，于两条源极配线施加同一驱动波形。

4. 发明专利

TW201448232A 薄膜電晶體陣列审中-公开
简体标题：薄膜晶体管数组
公开(公告)号：TW201448232A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103110220
申请日：2014-03-19
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：石崎守 , ISHIZAKI, MAMORU
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L29/0847 , H01L29/41733
摘要：本發明提供一種薄膜電晶體陣列，該薄膜電晶體陣列係閘極、源極間電容或源極、像素間電容小，難劣化，缺陷少之薄膜電晶體陣列。該薄膜電晶體陣列係在絕緣基板上，具有：閘極、閘極配線、電容電極、電容配線、閘極絕緣膜、以及以俯視觀之在與閘極重疊之區域具有彼此之間隙的源極及汲極，至少在該間隙具有半導體圖案，又具有：源極配線、與汲極連接並以俯視觀之與電容電極重疊的像素電極、及覆蓋在半導體圖案之上的保護層，以俯視觀之，汲極係一條等寬之線狀，源極係線狀且與汲極隔著固定間隔包圍汲極的鞘狀，源極配線形成為連接複數個源極之間，而且使半導體圖案中位於該間隙的部分比在與閘極配線之延伸方向垂直的方向所延長之區域的寬度更細。
简体摘要：本发明提供一种薄膜晶体管数组，该薄膜晶体管数组系闸极、源极间电容或源极、像素间电容小，难劣化，缺陷少之薄膜晶体管数组。该薄膜晶体管数组系在绝缘基板上，具有：闸极、闸极配线、电容电极、电容配线、闸极绝缘膜、以及以俯视观之在与闸极重叠之区域具有彼此之间隙的源极及汲极，至少在该间隙具有半导体图案，又具有：源极配线、与汲极连接并以俯视观之与电容电极重叠的像素电极、及覆盖在半导体图案之上的保护层，以俯视观之，汲极系一条等宽之线状，源极系线状且与汲极隔着固定间隔包围汲极的鞘状，源极配线形成为连接复数个源极之间，而且使半导体图案中位于该间隙的部分比在与闸极配线之延伸方向垂直的方向所延长之区域的宽度更细。

5. 发明专利

TW201413971A 積層構造體、薄膜電晶體陣列及其等之製造方法审中-公开
简体标题：积层构造体、薄膜晶体管数组及其等之制造方法
公开(公告)号：TW201413971A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102134433
申请日：2013-09-25
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：石崎守 , ISHIZAKI, MAMORU , 八田薰 , HATTA, KAORU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/1292 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L29/66825 , H01L29/788 , H01L2224/11
摘要：本發明之課題在於提供消除第1電極與第2電極之連接不穩定性，而確實地連接第1電極與第2電極之積層構造體、薄膜電晶體陣列及其等之製造方法。發明之積層構造體係在絕緣基板上具有第1電極層，在第1電極層上具有第1絕緣膜，在第1絕緣膜上具有第2電極層，在第2電極層上具有第2絕緣膜，在第2絕緣膜上具有第3電極層之構造體，其具有連接第1電極層與第2電極層之部分，該部分係第1電極層、第1絕緣膜之開口、第2電極層、第2絕緣膜之開口及第3電極層的積層構造，在第2絕緣膜之開口內，第3電極層對第1電極層與第1絕緣膜上之第2電極層的連接中繼或補強。
简体摘要：本发明之课题在于提供消除第1电极与第2电极之连接不稳定性，而确实地连接第1电极与第2电极之积层构造体、薄膜晶体管数组及其等之制造方法。发明之积层构造体系在绝缘基板上具有第1电极层，在第1电极层上具有第1绝缘膜，在第1绝缘膜上具有第2电极层，在第2电极层上具有第2绝缘膜，在第2绝缘膜上具有第3电极层之构造体，其具有连接第1电极层与第2电极层之部分，该部分系第1电极层、第1绝缘膜之开口、第2电极层、第2绝缘膜之开口及第3电极层的积层构造，在第2绝缘膜之开口内，第3电极层对第1电极层与第1绝缘膜上之第2电极层的连接中继或补强。

6. 发明专利

TWI686652B 薄膜電晶體陣列、影像顯示裝置及薄膜電晶體陣列的製造方法有权
简体标题：薄膜晶体管数组、影像显示设备及薄膜晶体管数组的制造方法
公开(公告)号：TWI686652B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW105108259
申请日：2016-03-17
申请人：日商凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：石崎守 , ISHIZAKI, MAMORU
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786

7. 发明专利

TW201704830A 薄膜電晶體陣列、影像顯示裝置及薄膜電晶體陣列的製造方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管数组、影像显示设备及薄膜晶体管数组的制造方法
公开(公告)号：TW201704830A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105108259
申请日：2016-03-17
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：石崎守 , ISHIZAKI, MAMORU
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786
CPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/136204 , G03F7/00 , G09F9/30 , G09F9/35 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/1255 , H01L27/1292 , H01L29/786
摘要：提供一種即便在閘極配線-電容配線間有短路，也能防止閘極驅動器或電源的故障之薄膜電晶體陣列及其製造方法。薄膜電晶體陣列具有：絕緣基板；閘極絕緣膜；閘極電極、連接於閘極電極的閘極配線、電容電極、及連接於電容電極的電容配線；以及在與其等之間夾著閘極絕緣膜之源極電極、連接於源極電極之源極配線、汲極電極、及連接於汲極電極之像素電極；像素電極具有隔著閘極絕緣膜與電容電極重疊的儲存電容，源極電極和汲極電極係隔著閘極絕緣膜與閘極電極重疊，在源極電極和汲極電極之間具有半導體層，在電容配線的中途具有電阻。
简体摘要：提供一种即便在闸极配线-电容配线间有短路，也能防止闸极驱动器或电源的故障之薄膜晶体管数组及其制造方法。薄膜晶体管数组具有：绝缘基板；闸极绝缘膜；闸极电极、连接于闸极电极的闸极配线、电容电极、及连接于电容电极的电容配线；以及在与其等之间夹着闸极绝缘膜之源极电极、连接于源极电极之源极配线、汲极电极、及连接于汲极电极之像素电极；像素电极具有隔着闸极绝缘膜与电容电极重叠的存储电容，源极电极和汲极电极系隔着闸极绝缘膜与闸极电极重叠，在源极电极和汲极电极之间具有半导体层，在电容配线的中途具有电阻。

8. 发明专利

TW201628200A 薄膜電晶體陣列及其製造方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管数组及其制造方法
公开(公告)号：TW201628200A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104135180
申请日：2015-10-27
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：松原亮平 , MATSUBARA, RYOHEI , 石崎守 , ISHIZAKI, MAMORU , 西澤誠 , NISHIZAWA, MAKOTO
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L51/05
CPC分类号： H01L27/283 , G02F1/1368 , H01L27/285 , H01L29/786 , H01L51/0004 , H01L51/0558 , H01L51/107
摘要：提供一種電晶體特性的均一性高的薄膜電晶體陣列。薄膜電晶體陣列係複數個薄膜電晶體在基板上配置成陣列狀而成，該複數個薄膜電晶體包含：形成於閘極絕緣層上的源極電極及汲極電極；及在閘極絕緣層上且在源極電極及汲極電極之間形成的半導體層，其中，半導體層係跨越複數個薄膜電晶體而形成為條帶狀，條帶的長軸方向與電晶體的通道寬度方向一致，其形狀為在條帶的短軸方向的剖面膜厚形狀中膜厚從半導體條帶的中央往外側逐漸變薄之形狀。
简体摘要：提供一种晶体管特性的均一性高的薄膜晶体管数组。薄膜晶体管数组系复数个薄膜晶体管在基板上配置成数组状而成，该复数个薄膜晶体管包含：形成于闸极绝缘层上的源极电极及汲极电极；及在闸极绝缘层上且在源极电极及汲极电极之间形成的半导体层，其中，半导体层系跨越复数个薄膜晶体管而形成为条带状，条带的长轴方向与晶体管的信道宽度方向一致，其形状为在条带的短轴方向的剖面膜厚形状中膜厚从半导体条带的中央往外侧逐渐变薄之形状。

9. 发明专利

TW202018956A 薄膜電晶體陣列审中-公开
简体标题：薄膜晶体管数组
公开(公告)号：TW202018956A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108131201
申请日：2019-08-30
申请人：日商凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO.,LTD.
发明人：石崎守 , ISHIZAKI, MAMORU , 兩澤克彥 , MOROSAWA, KATSUHIKO
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12
摘要：本發明提供一種耗電量小的薄膜電晶體陣列。薄膜電晶體陣列係包含：列配線、行配線、電容器配線；及沿著第1方向及第2方向排列設成矩陣狀的具有薄膜電晶體等之複數個畫素，複數個畫素係形成M列N行的有效區域，薄膜電晶體的源極電極連接於列配線，閘極電極連接於行配線，汲極電極連接於畫素電極，電容器電極連接於電容器配線，行配線係橫亙在第2方向連接的M個畫素之長度，列配線係橫亙在第1方向排列的N/2個畫素之長度，電容器配線係橫亙在第1方向排列的N個畫素之長度。
简体摘要：本发明提供一种耗电量小的薄膜晶体管数组。薄膜晶体管数组系包含：列配线、行配线、电容器配线；及沿着第1方向及第2方向排列设成矩阵状的具有薄膜晶体管等之复数个像素，复数个像素系形成M列N行的有效区域，薄膜晶体管的源极电极连接于列配线，闸极电极连接于行配线，汲极电极连接于像素电极，电容器电极连接于电容器配线，行配线系横亘在第2方向连接的M个像素之长度，列配线系横亘在第1方向排列的N/2个像素之长度，电容器配线系横亘在第1方向排列的N个像素之长度。

10. 发明专利

TWI612507B 薄膜電晶體陣列、其製造方法、影像顯示裝置及顯示方法有权
简体标题：薄膜晶体管数组、其制造方法、影像显示设备及显示方法
公开(公告)号：TWI612507B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW103122018
申请日：2014-06-26
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：石崎守 , ISHIZAKI, MAMORU
IPC分类号： G09G3/00 , H01L27/12 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L27/1244 , G02F1/136213 , G02F1/13624 , G02F1/136259 , G02F2001/136263 , G02F2001/136272 , G02F2201/50 , G09G3/344 , G09G3/3688 , G09G2300/0426 , G09G2300/0819 , G09G2320/0204 , G09G2320/0233 , G09G2330/08 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1259

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