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1. 发明专利

TW201535693A 薄膜電晶體陣列及其製造方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管数组及其制造方法
公开(公告)号：TW201535693A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104105222
申请日：2015-02-16
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：松原亮平 , MATSUBARA, RYOHEI
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L27/3246 , G02F1/136209 , G02F1/136286 , H01L27/3262 , H01L27/3272 , H01L29/786 , H01L51/0004 , H01L51/0022 , H01L51/0516 , H01L51/102 , H01L51/107 , H01L51/56
摘要：提供一種即使受光照射亦具有良好電晶體特性之薄膜電晶體陣列及其製造方法。薄膜電晶體陣列具備：基板；複數之薄膜電晶體，係於基板上至少具有閘極電極、閘極絕緣膜、源極‧汲極電極、形成於源極‧汲極電極間之半導體層、層間絕緣膜以及上部像素電極；閘極配線，係連接著閘極電極；以及源極配線，係連接著源極電極，而且於互為相鄰之上部像素電極間，形成有具有遮光性之絕緣層。
简体摘要：提供一种即使受光照射亦具有良好晶体管特性之薄膜晶体管数组及其制造方法。薄膜晶体管数组具备：基板；复数之薄膜晶体管，系于基板上至少具有闸极电极、闸极绝缘膜、源极‧汲极电极、形成于源极‧汲极电极间之半导体层、层间绝缘膜以及上部像素电极；闸极配线，系连接着闸极电极；以及源极配线，系连接着源极电极，而且于互为相邻之上部像素电极间，形成有具有遮光性之绝缘层。

2. 发明专利

TWI646669B 薄膜電晶體陣列及其製造方法有权
简体标题：薄膜晶体管数组及其制造方法
公开(公告)号：TWI646669B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW104105222
申请日：2015-02-16
申请人：日商凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：松原亮平 , MATSUBARA, RYOHEI
IPC分类号： H01L27/12

3. 发明专利

TW201628200A 薄膜電晶體陣列及其製造方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管数组及其制造方法
公开(公告)号：TW201628200A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104135180
申请日：2015-10-27
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：松原亮平 , MATSUBARA, RYOHEI , 石崎守 , ISHIZAKI, MAMORU , 西澤誠 , NISHIZAWA, MAKOTO
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L51/05
CPC分类号： H01L27/283 , G02F1/1368 , H01L27/285 , H01L29/786 , H01L51/0004 , H01L51/0558 , H01L51/107
摘要：提供一種電晶體特性的均一性高的薄膜電晶體陣列。薄膜電晶體陣列係複數個薄膜電晶體在基板上配置成陣列狀而成，該複數個薄膜電晶體包含：形成於閘極絕緣層上的源極電極及汲極電極；及在閘極絕緣層上且在源極電極及汲極電極之間形成的半導體層，其中，半導體層係跨越複數個薄膜電晶體而形成為條帶狀，條帶的長軸方向與電晶體的通道寬度方向一致，其形狀為在條帶的短軸方向的剖面膜厚形狀中膜厚從半導體條帶的中央往外側逐漸變薄之形狀。
简体摘要：提供一种晶体管特性的均一性高的薄膜晶体管数组。薄膜晶体管数组系复数个薄膜晶体管在基板上配置成数组状而成，该复数个薄膜晶体管包含：形成于闸极绝缘层上的源极电极及汲极电极；及在闸极绝缘层上且在源极电极及汲极电极之间形成的半导体层，其中，半导体层系跨越复数个薄膜晶体管而形成为条带状，条带的长轴方向与晶体管的信道宽度方向一致，其形状为在条带的短轴方向的剖面膜厚形状中膜厚从半导体条带的中央往外侧逐渐变薄之形状。

4. 发明专利

TW201421698A 薄膜電晶體陣列审中-公开
简体标题：薄膜晶体管数组
公开(公告)号：TW201421698A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102134588
申请日：2013-09-25
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：松原亮平 , MATSUBARA, RYOHEI
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L27/283 , H01L51/0005 , H01L51/0022 , H01L51/0545
摘要：本發明提供一種薄膜電晶體陣列，其於半導體層的形成中，適用印刷法，而且產出量高、對準精度好、具有較高的開關比、且元件間的不均較小。本發明的薄膜電晶體陣列，其薄膜電晶體與電容器的組合，於第1方向和第2方向上配置複數個並呈矩陣狀，且具有：複數條源配線(28)，其連接已配置於第1方向上之薄膜電晶體的源極(27)彼此；複數條閘配線(22)，其連接已配置於第2方向上之薄膜電晶體的閘極(21)彼此；複數條電容器配線(24)，其連接已配置於第2方向上之電容器的電容器電極(23)彼此；及，複數條半導體層連接線(12)，其連接已配置於第1方向上之薄膜電晶體的半導體層(13)彼此；並且，半導體層連接線(12)的寬度比薄膜電晶體的半導體層(13)的寬度窄。
简体摘要：本发明提供一种薄膜晶体管数组，其于半导体层的形成中，适用印刷法，而且产出量高、对准精度好、具有较高的开关比、且组件间的不均较小。本发明的薄膜晶体管数组，其薄膜晶体管与电容器的组合，于第1方向和第2方向上配置复数个并呈矩阵状，且具有：复数条源配线(28)，其连接已配置于第1方向上之薄膜晶体管的源极(27)彼此；复数条闸配线(22)，其连接已配置于第2方向上之薄膜晶体管的闸极(21)彼此；复数条电容器配线(24)，其连接已配置于第2方向上之电容器的电容器电极(23)彼此；及，复数条半导体层连接线(12)，其连接已配置于第1方向上之薄膜晶体管的半导体层(13)彼此；并且，半导体层连接线(12)的宽度比薄膜晶体管的半导体层(13)的宽度窄。

5. 发明专利

TWI617030B 薄膜電晶體及其製造方法有权
简体标题：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI617030B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW102134429
申请日：2013-09-25
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：石崎守 , ISHIZAKI, MAMORU , 松原亮平 , MATSUBARA, RYOHEI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/41733

6. 发明专利

TWI591807B 薄膜電晶體陣列及影像顯示裝置有权
简体标题：薄膜晶体管数组及影像显示设备
公开(公告)号：TWI591807B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW102134434
申请日：2013-09-25
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：宮入由香里 , MIYAIRI, YUKARI , 松原亮平 , MATSUBARA, RYOHEI
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/167
CPC分类号： H01L51/0545 , H01L27/3223 , H01L27/3258 , H01L27/3274 , H01L51/0004 , H01L51/0097 , H01L2251/5338

7. 发明专利

TW201519417A 薄膜電晶體陣列及其製造方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管数组及其制造方法
公开(公告)号：TW201519417A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103133405
申请日：2014-09-26
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：松原亮平 , MATSUBARA, RYOHEI
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L51/0545 , G02F1/136227 , H01L27/1288 , H01L27/1292 , H01L27/3258 , H01L51/105 , H01L2227/323
摘要：提供在使用凹平版印刷(gravure-offset-printing)形成如層間絕緣膜圖案的通路開孔圖案的情況下，能不發生刮刀(blade)的彎曲或版的缺口地形成圖案的薄膜電晶體陣列。薄膜電晶體陣列係將薄膜電晶體配置成矩陣狀，該薄膜電晶體具有：形成在基板上的閘極電極；形成在閘極電極上的閘極絕緣層；形成在閘極絕緣層上的源極電極及連接於畫素電極的汲極電極；形成在源極電極及汲極電極之間的半導體層；以覆蓋源極電極、汲極電極、半導體層及畫素電極的一部分的方式所形成的層間絕緣膜；以及形成在層間絕緣膜上，連接於畫素電極的上部畫素電極，將閘極電極、源極電極分別連接於閘極配線、源極配線，層間絕緣膜具有凹部。
简体摘要：提供在使用凹平版印刷(gravure-offset-printing)形成如层间绝缘膜图案的通路开孔图案的情况下，能不发生刮刀(blade)的弯曲或版的缺口地形成图案的薄膜晶体管数组。薄膜晶体管数组系将薄膜晶体管配置成矩阵状，该薄膜晶体管具有：形成在基板上的闸极电极；形成在闸极电极上的闸极绝缘层；形成在闸极绝缘层上的源极电极及连接于像素电极的汲极电极；形成在源极电极及汲极电极之间的半导体层；以覆盖源极电极、汲极电极、半导体层及像素电极的一部分的方式所形成的层间绝缘膜；以及形成在层间绝缘膜上，连接于像素电极的上部像素电极，将闸极电极、源极电极分别连接于闸极配线、源极配线，层间绝缘膜具有凹部。

8. 发明专利

TWI547979B 積層體之製造方法及積層體有权
简体标题：积层体之制造方法及积层体
公开(公告)号：TWI547979B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW100110250
申请日：2011-03-25
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：松原亮平 , MATSUBARA, RYOHEI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/283 , H01L51/0021 , H01L51/0545

9. 发明专利

TW201413921A 薄膜電晶體陣列及影像顯示裝置审中-公开
简体标题：薄膜晶体管数组及影像显示设备
公开(公告)号：TW201413921A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102134434
申请日：2013-09-25
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：宮入由香里 , MIYAIRI, YUKARI , 松原亮平 , MATSUBARA, RYOHEI
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/167
CPC分类号： H01L51/0545 , H01L27/3223 , H01L27/3258 , H01L27/3274 , H01L51/0004 , H01L51/0097 , H01L2251/5338
摘要：本發明之課題在於提供一種生產效率佳，而且可使在顯示有效區域之元件特性難劣化的薄膜電晶體陣列。薄膜電晶體陣列係具有顯示有效區域，該顯示有效區域至少具備絕緣基板、閘極電極、閘極絕緣層、源極電極、汲極電極、半導體層及第1保護層，複數個該第1保護層以跨在複數個薄膜電晶體之方式帶狀地形成於該絕緣基板上；包含設置於該顯示有效區域外之複數個第2保護層。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种生产效率佳，而且可使在显示有效区域之组件特性难劣化的薄膜晶体管数组。薄膜晶体管数组系具有显示有效区域，该显示有效区域至少具备绝缘基板、闸极电极、闸极绝缘层、源极电极、汲极电极、半导体层及第1保护层，复数个该第1保护层以跨在复数个薄膜晶体管之方式带状地形成于该绝缘基板上；包含设置于该显示有效区域外之复数个第2保护层。

10. 发明专利

TW201301355A 積層體之製造方法及積層體审中-公开
简体标题：积层体之制造方法及积层体
公开(公告)号：TW201301355A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW100110250
申请日：2011-03-25
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：松原亮平 , MATSUBARA, RYOHEI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/283 , H01L51/0021 , H01L51/0545
摘要：本發明之課題係提供一種積層體之製造方法及積層體，其能夠抑制在下部電極與上部電極之間所發生的短路或漏電。解決手段係提供一種積層體1，其具備在基板2所形成的下部電極4、與在基板2上且在下部電極4上所形成而被覆下部電極4之基礎絕緣膜6的積層體1；與以基礎絕緣膜6所被覆之部分中之下部電極4之膜厚作一比較，下部電極4係在下部電極4之中，在未以基礎絕緣膜6所未被覆之部分中之下部電極4之膜厚具有更薄的膜厚減少部8。
简体摘要：本发明之课题系提供一种积层体之制造方法及积层体，其能够抑制在下部电极与上部电极之间所发生的短路或漏电。解决手段系提供一种积层体1，其具备在基板2所形成的下部电极4、与在基板2上且在下部电极4上所形成而被覆下部电极4之基础绝缘膜6的积层体1；与以基础绝缘膜6所被覆之部分中之下部电极4之膜厚作一比较，下部电极4系在下部电极4之中，在未以基础绝缘膜6所未被覆之部分中之下部电极4之膜厚具有更薄的膜厚减少部8。

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