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1. 发明专利

TW201724212A 選擇性氧化之多高度鰭式場效應電晶體裝置审中-公开
简体标题：选择性氧化之多高度鳍式场效应晶体管设备
公开(公告)号：TW201724212A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105116135
申请日：2016-05-24
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：金世淵 , KIM, SEIYON , 哈瑪撒帝古賓納 , BHIMARASETTI, GOPINATH , 羅伊斯瑞菲爾 , RIOS, RAFAEL , 卡瓦萊羅斯傑克 , KAVALIEROS, JACK T. , 甘尼塔何 , GHANI, TAHIR , 穆爾蒂阿南德 , MURTHY, ANAND S. , 梅安卓里沙 , MEHANDRU, RISHABH
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/02233 , H01L21/02546 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/0847 , H01L29/1037 , H01L29/66545 , H01L29/78 , H01L29/785 , H01L29/7851
摘要：一方法，包括：將多閘極裝置的非平面裝置傳導通道形成在基板上，通道包括從基板的表面上之基層所定義的高度尺寸；進行修改，範圍小於通道的整個部位；以及將閘極堆疊形成在通道上，閘極堆疊包括介電材料及閘極電極。設備包括：基板上之非平面多閘極裝置，其包括通道，通道包括定義傳導部位及氧化部位的高度尺寸與配置在通道上的閘極堆疊，閘極堆疊包含介電材料及閘極電極。
简体摘要：一方法，包括：将多闸极设备的非平面设备传导信道形成在基板上，信道包括从基板的表面上之基层所定义的高度尺寸；进行修改，范围小于信道的整个部位；以及将闸极堆栈形成在信道上，闸极堆栈包括介电材料及闸极电极。设备包括：基板上之非平面多闸极设备，其包括信道，信道包括定义传导部位及氧化部位的高度尺寸与配置在信道上的闸极堆栈，闸极堆栈包含介电材料及闸极电极。

2. 发明专利

TWI579063B 利用含臭氧的流體處理半導體晶片表面的裝置及方法有权
简体标题：利用含臭氧的流体处理半导体芯片表面的设备及方法
公开(公告)号：TWI579063B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104125734
申请日：2015-08-07
申请人：無錫華瑛微電子技術有限公司 , WUXI HUAYING MICROELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：溫子瑛 , WEN, SOPHIA , 張倪濤 , ZHANG, NITAO
IPC分类号： B08B3/04 , H01L21/67 , B01F15/00
CPC分类号： H01L21/02052 , B08B3/08 , B08B3/14 , B08B2203/005 , H01L21/02233 , H01L21/205 , H01L21/67023 , H01L21/67051

4. 发明专利

TWI249794B 形成半導體裝置中裝置隔離膜之方法 METHOD OF FORMING DEVICE ISOLATION FILM IN SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：形成半导体设备中设备隔离膜之方法 METHOD OF FORMING DEVICE ISOLATION FILM IN SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI249794B
公开(公告)日：2006-02-21
申请号：TW092133177
申请日：2003-11-26
申请人：海力士半導體股份有限公司 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人：董且德 DONG, CHA DEOK
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02238 , H01L21/02233 , H01L21/02255 , H01L21/31662 , H01L21/76224 , H01L21/823481
摘要：本發明是有關於在半導體裝置中形成裝置隔離膜之方法。本發明包括以下步驟：實施離子植入，用於控制在半導體基板表面上之臨界電壓；藉由在半導體基板上實施微影術過程以形成溝渠，以界定活性區與裝置隔離區；實施氧化過程用於絕對防止此等被植入以控制臨界電壓之離子擴散至裝置隔離區，並且在溝渠側壁形成側壁氧化膜；在活性區上實施離子植入，以補償用於控制臨界電壓之離子，其藉由氧化過程從活性區擴散至側壁氧化膜；以及藉由將氧化膜埋入溝渠中而形成裝置隔離膜。
因此，藉由降低氧化過程之處理溫度，以形成至溝渠之側壁氧化膜，並且實施離子植入過程，用於補償在此氧化過程擴散至側壁氧化膜之離子。因此，此在其上植入用於控制臨界壓力離子之區域之離子濃度分佈可以為恆定，因此可以改善此裝置之性能表現。
简体摘要：本发明是有关于在半导体设备中形成设备隔离膜之方法。本发明包括以下步骤：实施离子植入，用于控制在半导体基板表面上之临界电压；借由在半导体基板上实施微影术过程以形成沟渠，以界定活性区与设备隔离区；实施氧化过程用于绝对防止此等被植入以控制临界电压之离子扩散至设备隔离区，并且在沟渠侧壁形成侧壁氧化膜；在活性区上实施离子植入，以补偿用于控制临界电压之离子，其借由氧化过程从活性区扩散至侧壁氧化膜；以及借由将氧化膜埋入沟渠中而形成设备隔离膜。因此，借由降低氧化过程之处理温度，以形成至沟渠之侧壁氧化膜，并且实施离子植入过程，用于补偿在此氧化过程扩散至侧壁氧化膜之离子。因此，此在其上植入用于控制临界压力离子之区域之离子浓度分布可以为恒定，因此可以改善此设备之性能表现。

5. 发明专利

TWI248648B 形成半導體裝置中的氧化物層之方法 METHOD OF FORMING OXIDE LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：形成半导体设备中的氧化物层之方法 METHOD OF FORMING OXIDE LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI248648B
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW093119319
申请日：2004-06-30
申请人：海力士半導體股份有限公司 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人：孫鎬玟 SON, HO MIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823462 , H01L21/02052 , H01L21/02233 , H01L21/02255 , H01L21/02307 , H01L21/02332 , H01L21/02337 , H01L21/3143 , H01L21/31662 , Y10S438/906
摘要：本發明提供一種形成一半導體裝置之氧化物層之方法。在該方法中，在分隔成第一與第二區域之半導體基板上，以第一厚度形成一第一氧化物層，且接著在移除第一區域上之第一氧化物層之後，在該第一區域上以第二厚度形成一第二氧化物層，同時防止損壞半導體基板之表面。藉由該方法，不同厚度之氧化物層可在半導體基板上形成於分離的區域中，且不會發生由於蝕刻處理而導致之損壞，同時增強氧化物層之物理品質。
简体摘要：本发明提供一种形成一半导体设备之氧化物层之方法。在该方法中，在分隔成第一与第二区域之半导体基板上，以第一厚度形成一第一氧化物层，且接着在移除第一区域上之第一氧化物层之后，在该第一区域上以第二厚度形成一第二氧化物层，同时防止损坏半导体基板之表面。借由该方法，不同厚度之氧化物层可在半导体基板上形成于分离的区域中，且不会发生由于蚀刻处理而导致之损坏，同时增强氧化物层之物理品质。

6. 发明专利

TW200402790A 被處理體之氧化方法审中-公开
简体标题：被处理体之氧化方法
公开(公告)号：TW200402790A
公开(公告)日：2004-02-16
申请号：TW092118381
申请日：2003-07-04
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：西田辰夫 NISHITA, TATSUO , 米川司 YONEKAWA, TSUKASA , 鈴木啓介 SUZUKI, KEISUKE , 佐藤享 SATO, TORU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02238 , H01L21/02233 , H01L21/02255 , H01L21/31658
摘要：提供可利用熱氧化氮化膜的方法來獲得膜質良好的氧化膜及氮化膜與氧化膜的積層（laminating）結構之被處理體的氧化方法。有關在可一次收容數枚被處理體W的處理容器8內，氧化至少氮化膜露出於表面之被處理體表面的氧化方法，在真空氣壓下把氫氧根活性物種與氧活性物種當作主體來使用，同時設定反應壓力在133Pa以下，並且設定反應溫度在400℃以上來進行前述的氧化反應。藉由此方法，當氧化數枚被處理體表面的氮化膜時，就可以維持高度的薄膜厚度均勻度，並且也可得到膜質良好的氧化膜。
简体摘要：提供可利用热氧化氮化膜的方法来获得膜质良好的氧化膜及氮化膜与氧化膜的积层（laminating）结构之被处理体的氧化方法。有关在可一次收容数枚被处理体W的处理容器8内，氧化至少氮化膜露出于表面之被处理体表面的氧化方法，在真空气压下把氢氧根活性物种与氧活性物种当作主体来使用，同时设置反应压力在133Pa以下，并且设置反应温度在400℃以上来进行前述的氧化反应。借由此方法，当氧化数枚被处理体表面的氮化膜时，就可以维持高度的薄膜厚度均匀度，并且也可得到膜质良好的氧化膜。

7. 发明专利

TWI611568B 絕緣體上矽晶圓的製造方法有权
简体标题：绝缘体上硅晶圆的制造方法
公开(公告)号：TWI611568B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW104112236
申请日：2015-04-16
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：阿賀浩司 , AGA, HIROJI
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/84
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02 , H01L21/0206 , H01L21/02233 , H01L21/84 , H01L22/26 , H01L27/12

8. 发明专利

TW201606991A 半導體裝置及其製造方法及積體電路裝置审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法及集成电路设备
公开(公告)号：TW201606991A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104111743
申请日：2015-04-13
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：江國誠 , CHING, KUO CHENG , 馮家馨 , FUNG, KA-HING , 吳志強 , WU, ZHIQIANG
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/78 , H01L21/335
CPC分类号： H01L21/823821 , H01L21/02233 , H01L21/02532 , H01L21/31055 , H01L21/76224 , H01L21/823814 , H01L21/823878 , H01L29/0649 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/7846 , H01L29/7848 , H01L29/7849 , H01L29/785
摘要：本揭露提供一非平面電路裝置，其包含設置於通道區底下的應變產生結構。在一實施例中，一積體電路裝置包括一基板及形成於其上的第一鰭結構與第二鰭結構。一隔離特徵部件溝槽定義於第一鰭結構與第二鰭結構之間。上述電路裝置也包括一應變特徵部件形成於隔離特徵部件溝槽內的基底的水平表面上。應變特徵部件的配置係用於在第一鰭結構上形成的電晶體的通道區產生應變。上述電路也包括一填充介電質，設置於隔離特徵部件溝槽內的應變特徵部件之上。在某些實施例中，應變特徵部件更設置於第一鰭結構與第二鰭結構的垂直表面上。
简体摘要：本揭露提供一非平面电路设备，其包含设置于信道区底下的应变产生结构。在一实施例中，一集成电路设备包括一基板及形成于其上的第一鳍结构与第二鳍结构。一隔离特征部件沟槽定义于第一鳍结构与第二鳍结构之间。上述电路设备也包括一应变特征部件形成于隔离特征部件沟槽内的基底的水平表面上。应变特征部件的配置系用于在第一鳍结构上形成的晶体管的信道区产生应变。上述电路也包括一填充介电质，设置于隔离特征部件沟槽内的应变特征部件之上。在某些实施例中，应变特征部件更设置于第一鳍结构与第二鳍结构的垂直表面上。

9. 发明专利

TW201601296A 絕緣體上矽晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：绝缘体上硅晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW201601296A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104112236
申请日：2015-04-16
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：阿賀浩司 , AGA, HIROJI
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/84
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02 , H01L21/0206 , H01L21/02233 , H01L21/84 , H01L22/26 , H01L27/12
摘要：本發明係提供一SOI晶圓的製造方法，包含（a）在氧化性氣體氛圍下進行熱處理，於SOI層表面形成熱氧化膜；（b）測定熱氧化膜形成後SOI的膜厚度；（c）對該SOI層進行批次式洗淨，藉由因應於步驟（b）測定SOI層的膜厚度而將經該批次式洗淨後SOI層的膜厚度調整成比目標值較厚；（d）測定經批次洗淨後SOI層的膜厚度；以及（e）對SOI層進行單片式洗淨，藉由因應於步驟（d）測定SOI層的膜厚度而將經單片式洗淨後SOI層的膜厚度調整成目標值；其中，於步驟（a）之後且於步驟（b）之前，或於步驟（b）之後且於步驟（c）之前，去除在步驟（a）所形成的熱氧化膜。藉此製造有良好均一性SOI層膜厚度的SOI晶圓。
简体摘要：本发明系提供一SOI晶圆的制造方法，包含（a）在氧化性气体氛围下进行热处理，于SOI层表面形成热氧化膜；（b）测定热氧化膜形成后SOI的膜厚度；（c）对该SOI层进行批次式洗净，借由因应于步骤（b）测定SOI层的膜厚度而将经该批次式洗净后SOI层的膜厚度调整成比目标值较厚；（d）测定经批次洗净后SOI层的膜厚度；以及（e）对SOI层进行单片式洗净，借由因应于步骤（d）测定SOI层的膜厚度而将经单片式洗净后SOI层的膜厚度调整成目标值；其中，于步骤（a）之后且于步骤（b）之前，或于步骤（b）之后且于步骤（c）之前，去除在步骤（a）所形成的热氧化膜。借此制造有良好均一性SOI层膜厚度的SOI晶圆。

10. 发明专利

TW201351647A 將應變誘導緩衝器轉換為電絕緣體之技術审中-公开
简体标题：将应变诱导缓冲器转换为电绝缘体之技术
公开(公告)号：TW201351647A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102112854
申请日：2013-04-11
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：卡佩拉尼安娜麗莎 , CAPPELLANI, ANNALISA , 李凡H , LE, VAN H. , 葛拉斯葛林A , GLASS, GLENN A. , 庫恩科林J , KUHN, KELIN J. , 席史蒂芬M , CEA, STEPHEN M.
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/02233 , H01L21/02236 , H01L21/02238 , H01L21/02241 , H01L21/02255 , H01L21/02304 , H01L21/02439 , H01L21/0245 , H01L21/02455 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/306 , H01L21/76 , H01L21/7624 , H01L21/76283 , H01L29/0603 , H01L29/0642 , H01L29/0653 , H01L29/0657 , H01L29/1054 , H01L29/7378 , H01L29/785 , H01L33/12 , H05K1/18
摘要：揭示用於在緩衝層之一或多個位置處將一應變誘導半導體緩衝層轉換為一電絕緣體之技術，藉此允許上方裝置層具有許多益處，在一些實施例中，該等益處包括由於在一應變誘導緩衝器上生長且具有一內埋式電絕緣體層而產生之益處。舉例來說，在非平坦之整合式電晶體電路之鰭狀物與基板之間具有一內埋式電絕緣體層(在製造上方主動裝置層期間最初被用作為一應變誘導緩衝器)可同時使低摻雜之鰭狀物具有高遷移率、合乎需要的裝置靜電學及基板接面漏電之消除或以其他方式減少。又，在源極區及汲極區下存在此電絕緣體可進一步顯著減少接面漏電。在一些實施例中，實質上該整個緩衝層經轉換為一電絕緣體。
简体摘要：揭示用于在缓冲层之一或多个位置处将一应变诱导半导体缓冲层转换为一电绝缘体之技术，借此允许上方设备层具有许多益处，在一些实施例中，该等益处包括由于在一应变诱导缓冲器上生长且具有一内埋式电绝缘体层而产生之益处。举例来说，在非平坦之集成式晶体管电路之鳍状物与基板之间具有一内埋式电绝缘体层(在制造上方主动设备层期间最初被用作为一应变诱导缓冲器)可同时使低掺杂之鳍状物具有高迁移率、合乎需要的设备静电学及基板接面漏电之消除或以其他方式减少。又，在源极区及汲极区下存在此电绝缘体可进一步显着减少接面漏电。在一些实施例中，实质上该整个缓冲层经转换为一电绝缘体。

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