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1. 发明专利

TW201446705A 透光性金屬氧化物燒結體之製造方法及透光性金屬氧化物燒結體审中-公开
简体标题：透光性金属氧化物烧结体之制造方法及透光性金属氧化物烧结体
公开(公告)号：TW201446705A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103104082
申请日：2014-02-07
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：碇真憲 , IKARI, MASANORI , 島田忠克 , SHIMADA, TADAKATSU
IPC分类号： C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/50
CPC分类号： C01F17/0043 , C01P2006/60 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/661 , C04B2235/786 , C04B2235/9653
摘要：本發明之課題在於提供一種可改進透光性之透光性金屬氧化物燒結體的製造方法。又，本發明之解決手段為一種透光性金屬氧化物燒結體的製造方法，其係關於金屬氧化物為主要成分之燒結體，以在1000~2000℃的溫度範圍所設定之HIP熱處理溫度T進行熱間等熱均壓處理而得到透光性的燒結體，其特徵為上述熱間等熱均壓處理的升溫過程中，從室溫至HIP熱處理溫度T為止的溫度範圍S被分割成複數個階段，對每個分割階段控制升溫速率，至少包含HIP熱處理溫度T之最後階段(14)的升溫速率為10℃/h以上180℃/h以下。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种可改进透光性之透光性金属氧化物烧结体的制造方法。又，本发明之解决手段为一种透光性金属氧化物烧结体的制造方法，其系关于金属氧化物为主要成分之烧结体，以在1000~2000℃的温度范围所设置之HIP热处理温度T进行热间等热均压处理而得到透光性的烧结体，其特征为上述热间等热均压处理的升温过程中，从室温至HIP热处理温度T为止的温度范围S被分割成复数个阶段，对每个分割阶段控制升温速率，至少包含HIP热处理温度T之最后阶段(14)的升温速率为10℃/h以上180℃/h以下。

2. 发明专利

TW201708159A 磁性光學材料及其製造方法、與磁性光學裝置审中-公开
简体标题：磁性光学材料及其制造方法、与磁性光学设备
公开(公告)号：TW201708159A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105107417
申请日：2016-03-10
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：松本卓士 , MATSUMOTO, TAKUTO , 碇真憲 , IKARI, MASANORI
IPC分类号： C04B35/50 , C30B29/22 , G02B1/02 , G02B27/28
摘要：本發明係提供一種磁性光學材料，其係適用於構成因不會吸收波長範圍0.9~1.1μm之光纖雷射光而抑制了熱透鏡之發生的光隔離器等之磁性光學裝置之透明的磁性光學材料，該磁性光學材料方面，係由包含將以下述式(1)所表示的複合氧化物作為主成分之透明陶瓷或以下述式(1)所表示的複合氧化物之單晶構成的磁性光學材料，Tb2xR2(2-x)O8-x (1)(式中，0.800
简体摘要：本发明系提供一种磁性光学材料，其系适用于构成因不会吸收波长范围0.9~1.1μm之光纤激光光而抑制了热透镜之发生的光隔离器等之磁性光学设备之透明的磁性光学材料，该磁性光学材料方面，系由包含将以下述式(1)所表示的复合氧化物作为主成分之透明陶瓷或以下述式(1)所表示的复合氧化物之单晶构成的磁性光学材料，Tb2xR2(2-x)O8-x (1)(式中，0.800

3. 发明专利

TW201522274A 磁光材料以及磁光裝置审中-公开
简体标题：磁光材料以及磁光设备
公开(公告)号：TW201522274A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103128101
申请日：2014-08-15
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：碇真憲 , IKARI, MASANORI
IPC分类号： C04B35/50 , C30B29/22 , G02B1/02 , G02B27/28 , G02F1/09
CPC分类号： C30B29/22 , C04B35/01 , C04B35/16 , C04B35/457 , C04B35/462 , C04B35/486 , C04B35/495 , C04B35/6261 , C04B35/6455 , C04B2235/3218 , C04B2235/3224 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/6567 , C04B2235/661 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C04B2235/9646 , C04B2235/9653 , C30B1/12 , C30B29/30 , C30B29/32 , G02F1/0036 , G02F1/09 , G02F1/093
摘要：本發明之課題在於提供一種適合於構成不會吸收波長域0.9~1.1μm的光纖雷射光，亦不會引起熱透鏡產生，且伐得常數(Verdet Constant)大於TGG結晶之光隔離器等的磁光裝置之磁光材料。本發明之解決手段為一種磁光材料，其特徵為：由包含以下述式(1)所示之複合氧化物作為主成分之透光性陶瓷或以下述式(1)所示之複合氧化物的單晶所構成，且在波長1064nm下的伐得常數為0.14min/(Oe‧cm)以上。 Tb2R2O7 (1) (式中，R為選自由矽、鍺、鈦、鉭、錫、鉿、鋯所組成之群組的至少1種元素(惟關於矽、鍺、鋯及鉭，該元素為單獨時之情形除外))。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种适合于构成不会吸收波长域0.9~1.1μm的光纤激光光，亦不会引起热透镜产生，且伐得常数(Verdet Constant)大于TGG结晶之光隔离器等的磁光设备之磁光材料。本发明之解决手段为一种磁光材料，其特征为：由包含以下述式(1)所示之复合氧化物作为主成分之透光性陶瓷或以下述式(1)所示之复合氧化物的单晶所构成，且在波长1064nm下的伐得常数为0.14min/(Oe‧cm)以上。 Tb2R2O7 (1) (式中，R为选自由硅、锗、钛、钽、锡、铪、锆所组成之群组的至少1种元素(惟关于硅、锗、锆及钽，该元素为单独时之情形除外))。

4. 发明专利

TW201521685A 閃爍體材料、放射線檢測器以及放射線檢查裝置审中-公开
简体标题：闪烁体材料、放射线检测器以及放射线检查设备
公开(公告)号：TW201521685A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103130565
申请日：2014-09-04
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：碇真憲 , IKARI, MASANORI
IPC分类号： A61B6/03 , C09K11/00 , C09K11/78 , G01T1/20 , G21K4/00
CPC分类号： C09K11/778 , G21K2004/06
摘要：本發明提供一種閃爍體材料，其係由包含以下述式(1)表示之複合氧化物作為主成分之透光性陶瓷或以下述式(1)表示之複合氧化物之單結晶所成，且藉由X射線及/或伽瑪射線之激發而發出於比以往更為長波長側之可見光區域中具有發光峰值波長之閃爍光，且該閃爍光之透過率高，且衰減時間亦短，可藉由1800℃以下之熱處理製造較單純組成之複合氧化物而可抑制製造成本。 (TbxR1-x-yCey)2B2O7 (1) (式中，x為0.2以上且未達1之範圍，y為0.00001以上且0.01以下之範圍，x+y≦1，R係選自由Y、Gd、Lu、La、Ho、Tm、Eu、Dy、Pr所組成之群之至少1種稀土類元素，B係選自由Ti、Sn、Hf、Si、Ge、Zr所組成之群之至少1種元素(但，關於Si及Ge為該元素單獨之情況除外))。
简体摘要：本发明提供一种闪烁体材料，其系由包含以下述式(1)表示之复合氧化物作为主成分之透光性陶瓷或以下述式(1)表示之复合氧化物之单结晶所成，且借由X射线及/或伽玛射线之激发而发出于比以往更为长波长侧之可见光区域中具有发光峰值波长之闪烁光，且该闪烁光之透过率高，且衰减时间亦短，可借由1800℃以下之热处理制造较单纯组成之复合氧化物而可抑制制造成本。 (TbxR1-x-yCey)2B2O7 (1) (式中，x为0.2以上且未达1之范围，y为0.00001以上且0.01以下之范围，x+y≦1，R系选自由Y、Gd、Lu、La、Ho、Tm、Eu、Dy、Pr所组成之群之至少1种稀土类元素，B系选自由Ti、Sn、Hf、Si、Ge、Zr所组成之群之至少1种元素(但，关于Si及Ge为该元素单独之情况除外))。

5. 发明专利

TWI673249B 磁性光學材料及其製造方法、與磁性光學裝置有权
简体标题：磁性光学材料及其制造方法、与磁性光学设备
公开(公告)号：TWI673249B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW105107417
申请日：2016-03-10
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：松本卓士 , MATSUMOTO, TAKUTO , 碇真憲 , IKARI, MASANORI
IPC分类号： C04B35/50 , C30B29/22 , G02B1/02 , G02B27/28

6. 发明专利

TW201902829A 順磁性石榴石型透明陶瓷、磁光學材料及磁光學裝置审中-公开
简体标题：顺磁性石榴石型透明陶瓷、磁光学材料及磁光学设备
公开(公告)号：TW201902829A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107112846
申请日：2018-04-16
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：碇真憲 , IKARI, MASANORI
IPC分类号： C01F17/00 , C04B35/50
摘要：一種順磁性石榴石型透明陶瓷，其特徵為以下述式(1)所示之含有鋱的複合氧化物之燒結體，光路徑長度15mm的波長1064nm之直線穿透率為83%以上。(式中，0＜x＜0.08，0≦y≦0.01，0.004＜z＜0.16)。
简体摘要：一种顺磁性石榴石型透明陶瓷，其特征为以下述式(1)所示之含有铽的复合氧化物之烧结体，光路径长度15mm的波长1064nm之直线穿透率为83%以上。(式中，0＜x＜0.08，0≦y≦0.01，0.004＜z＜0.16)。

7. 发明专利

TWI634093B 磁光材料以及磁光裝置有权
简体标题：磁光材料以及磁光设备
公开(公告)号：TWI634093B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW103128101
申请日：2014-08-15
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：碇真憲 , IKARI, MASANORI
IPC分类号： C04B35/50 , C30B29/22 , G02B1/02 , G02B27/28 , G02F1/09

8. 发明专利

TWI616426B 透光性金屬氧化物燒結體之製造方法及透光性金屬氧化物燒結體有权
简体标题：透光性金属氧化物烧结体之制造方法及透光性金属氧化物烧结体
公开(公告)号：TWI616426B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW103104082
申请日：2014-02-07
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：碇真憲 , IKARI, MASANORI , 島田忠克 , SHIMADA, TADAKATSU
IPC分类号： C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/50
CPC分类号： C01F17/0043 , C01P2006/60 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/661 , C04B2235/786 , C04B2235/9653

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