专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI613505B 空白光罩之製造方法有权
简体标题：空白光罩之制造方法
公开(公告)号：TWI613505B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW103133004
申请日：2014-09-24
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：吉井崇 , YOSHII, TAKASHI , 河合義夫 , KAWAI, YOSHIO , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 渡邉聡 , WATANABE, SATOSHI , 池田顕 , IKEDA, AKIRA , 桜田豊久 , SAKURADA, TOYOHISA , 金子英雄 , KANEKO, HIDEO
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/26 , G03F1/32 , G03F1/50
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/0046 , G03F1/0076 , G03F1/32 , G03F1/50

2. 发明专利

TW201802269A 光罩空白基板及光罩之製造方法审中-公开
简体标题：光罩空白基板及光罩之制造方法
公开(公告)号：TW201802269A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106106202
申请日：2017-02-23
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：髙坂卓郎 , KOSAKA, TAKURO , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 金子英雄 , KANEKO, HIDEO
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/34 , G03F1/46 , G03F1/50 , G03F1/54 , H01L21/027
摘要：本發明係一種光罩空白基板，其含有透明基板、與形成於透明基板上之含有矽及氮、不含過渡金屬的遮光膜，該遮光膜含有遮光層，該遮光層係以單層或多層所構成，該單層或構成多層之層，含有矽及氮、不含過渡金屬，相對於矽及氮之合計之氮的比率為3原子%以上50原子%以下。本發明可提供一種光罩空白基板，其具有含矽之遮光膜，該遮光膜之膜厚薄、且加工性佳。
简体摘要：本发明系一种光罩空白基板，其含有透明基板、与形成于透明基板上之含有硅及氮、不含过渡金属的遮光膜，该遮光膜含有遮光层，该遮光层系以单层或多层所构成，该单层或构成多层之层，含有硅及氮、不含过渡金属，相对于硅及氮之合计之氮的比率为3原子%以上50原子%以下。本发明可提供一种光罩空白基板，其具有含硅之遮光膜，该遮光膜之膜厚薄、且加工性佳。

3. 发明专利

TW201736943A 半色調相移位型空白光遮罩及其製造方法审中-公开
简体标题：半色调相移位型空白光遮罩及其制造方法
公开(公告)号：TW201736943A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106102198
申请日：2017-01-20
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：髙坂卓郎 , KOSAKA, TAKURO , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 金子英雄 , KANEKO, HIDEO
IPC分类号： G03F1/32
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/68
摘要： [解決手段]一種半色調相移位膜，其為以增加後減少導入於反應室內的反應性氣體流量之方式進行掃描時，於由反應性氣體流量，與經由掃描反應性氣體流量而測定的濺鍍電壓值或濺鍍電流值所形成之遲滯(Hysteresis)曲線中，於相當於超過顯示遲滯現象的反應性氣體流量之下限且未達上限之範圍的區域中的濺鍍狀態下，對標靶以連續性或階段性的增加或減少由施加電力、惰性氣體流量及反應性氣體流量所選出之1種或2種以上之方式而形成半色調相移位膜。 [效果]本發明為提供一種具有優良耐藥性、具有含有矽與氮之層的半色調相移位膜，其可改善光學特性的面內均勻性，確保特定的位相差及透過率，且具有具良好面內均勻性的半色調相移位膜之半色調相移位型空白光遮罩。
简体摘要： [解决手段]一种半色调相移位膜，其为以增加后减少导入于反应室内的反应性气体流量之方式进行扫描时，于由反应性气体流量，与经由扫描反应性气体流量而测定的溅镀电压值或溅镀电流值所形成之迟滞(Hysteresis)曲线中，于相当于超过显示迟滞现象的反应性气体流量之下限且未达上限之范围的区域中的溅镀状态下，对标靶以连续性或阶段性的增加或减少由施加电力、惰性气体流量及反应性气体流量所选出之1种或2种以上之方式而形成半色调相移位膜。 [效果]本发明为提供一种具有优良耐药性、具有含有硅与氮之层的半色调相移位膜，其可改善光学特性的面内均匀性，确保特定的位相差及透过率，且具有具良好面内均匀性的半色调相移位膜之半色调相移位型空白光遮罩。

4. 发明专利

TW201727353A 空白光罩审中-公开
公开(公告)号：TW201727353A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105128488
申请日：2016-09-02
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：笹本紘平 , SASAMOTO, KOUHEI , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/26 , G03F1/22 , G03F1/80 , H01L21/467
CPC分类号： G03F1/20 , G03F1/26 , G03F1/32 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/80
摘要：本發明之解決手段為一種空白光罩，其係包含透明基板、與薄片電阻為10,000Ω/□以下之含鉻膜，含鉻膜係由含有鉻及氮或者鉻、氮及氧之鉻化合物所構成，鉻、氮及氧之合計的含有率為93原子%以上，且滿足3Cr≦2O+3N(Cr係鉻含有率，O係氧含有率，N係氮含有率(皆為原子%))，且該空白光罩包含超過含鉻膜全體之厚度的70%、100%以下並滿足下述組成之層，該組成係氮相對於鉻之原子比為0.95以上，鉻含有率為40原子%以上，鉻及氮之合計的含有率為80原子%以上，且氧含有率為10原子%以下。本發明之效果為，若使用本發明之空白光罩，則可高精度地形成微細的光罩圖型，而達成兼具光罩之生產性的提昇、與藉由使用光罩的圖型轉印而形成於被轉印物之圖型的細線化。
简体摘要：本发明之解决手段为一种空白光罩，其系包含透明基板、与薄片电阻为10,000Ω/□以下之含铬膜，含铬膜系由含有铬及氮或者铬、氮及氧之铬化合物所构成，铬、氮及氧之合计的含有率为93原子%以上，且满足3Cr≦2O+3N(Cr系铬含有率，O系氧含有率，N系氮含有率(皆为原子%))，且该空白光罩包含超过含铬膜全体之厚度的70%、100%以下并满足下述组成之层，该组成系氮相对于铬之原子比为0.95以上，铬含有率为40原子%以上，铬及氮之合计的含有率为80原子%以上，且氧含有率为10原子%以下。本发明之效果为，若使用本发明之空白光罩，则可高精度地形成微细的光罩图型，而达成兼具光罩之生产性的提升、与借由使用光罩的图型转印而形成于被转印物之图型的细线化。

5. 发明专利

TW201621456A 半色調相位移型空白光罩及其製造方法审中-公开
简体标题：半色调相位移型空白光罩及其制造方法
公开(公告)号：TW201621456A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104125110
申请日：2015-08-03
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：髙坂卓郎 , KOSAKA, TAKURO , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 金子英雄 , KANEKO, HIDEO , 桜田豊久 , SAKURADA, TOYOHISA
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/60
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/26 , G03F1/60
摘要：本發明之解決手段為一種半色調相位移型空白光罩，其係在透明基板上具有由矽及氮或由矽、氮及氧所成的半色調相位移膜，半色調相位移膜係對於波長200nm以下的光之相位差為150~200°，而且以滿足下述式(1)2×O/Si+3×N/Si≧3.5 (1)(式中，Si表示矽之含有率(原子%)，N表示氮之含有率(原子%)，O表示氧之含有率(原子%))之單層或包含1層以上之滿足上述式(1)的層之多層所構成。本發明之效果在於提供一種具有半色調相位移膜之半色調相位移型空白光罩，該半色調相位移膜係耐藥品性優異之含有矽與由氮及氧所選出的一者或兩者，且不含過渡金屬之半色調相位移膜，其可改善光學特性的面內均勻性，確保指定的相位差，而且面內均勻性良好。
简体摘要：本发明之解决手段为一种半色调相位移型空白光罩，其系在透明基板上具有由硅及氮或由硅、氮及氧所成的半色调相位移膜，半色调相位移膜系对于波长200nm以下的光之相位差为150~200°，而且以满足下述式(1)2×O/Si+3×N/Si≧3.5 (1)(式中，Si表示硅之含有率(原子%)，N表示氮之含有率(原子%)，O表示氧之含有率(原子%))之单层或包含1层以上之满足上述式(1)的层之多层所构成。本发明之效果在于提供一种具有半色调相位移膜之半色调相位移型空白光罩，该半色调相位移膜系耐药品性优异之含有硅与由氮及氧所选出的一者或两者，且不含过渡金属之半色调相位移膜，其可改善光学特性的面内均匀性，确保指定的相位差，而且面内均匀性良好。

6. 发明专利

TW201533523A 半色調相位移型光罩毛胚、半色調相位移型光罩及圖型曝光方法审中-公开
简体标题：半色调相位移型光罩毛胚、半色调相位移型光罩及图型曝光方法
公开(公告)号：TW201533523A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103138347
申请日：2014-11-05
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 桜田豊久 , SAKURADA, TOYOHISA , 金子英雄 , KANEKO, HIDEO , 髙坂卓郎 , KOSAKA, TAKURO , 笹本紘平 , SASAMOTO, KOUHEI
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/26 , G03F1/32 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/0046 , G03F1/0076 , G03F1/32 , G03F7/2002
摘要：本發明提供一種半色調相位移型光罩毛胚，其係於透明基板上具有半色調相位移膜，該半色調相位移膜包含對於波長200nm以下之光，透過率為10%以上，相位差為150~200°，且膜厚為70nm以下，同時由矽及氮、或由矽、氮及氧所成之氧含量為氮含量之1/3(原子比)以下，折射率為2.4以上，吸收係數為0.22以上且0.54以下之層。本發明可提供具備半色調相位移膜之半色調相位移型光罩毛胚及半色調相位移型光罩，該半色調相位移膜係除了確保特定之相位差以外，為高透過率且光罩圖型之加工有利之較薄的膜，對於化學洗淨之耐藥品性亦優異，而可進行微影蝕刻中適於更要求圖型之微細化與高精度化之圖型曝光。
简体摘要：本发明提供一种半色调相位移型光罩毛胚，其系于透明基板上具有半色调相位移膜，该半色调相位移膜包含对于波长200nm以下之光，透过率为10%以上，相位差为150~200°，且膜厚为70nm以下，同时由硅及氮、或由硅、氮及氧所成之氧含量为氮含量之1/3(原子比)以下，折射率为2.4以上，吸收系数为0.22以上且0.54以下之层。本发明可提供具备半色调相位移膜之半色调相位移型光罩毛胚及半色调相位移型光罩，该半色调相位移膜系除了确保特定之相位差以外，为高透过率且光罩图型之加工有利之较薄的膜，对于化学洗净之耐药品性亦优异，而可进行微影蚀刻中适于更要求图型之微细化与高精度化之图型曝光。

7. 发明专利

TWI494999B 蝕刻方法及光罩基板之加工方法有权
简体标题：蚀刻方法及光罩基板之加工方法
公开(公告)号：TWI494999B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW099115294
申请日：2010-05-13
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：五十嵐慎一 , IGARASHI, SHINICHI , 稻月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 金子英雄 , KANEKO, HIDEO , 吉川博樹 , YOSHIKAWA, HIROKI , 木名瀨良紀 , KINASE, YOSHINORI
IPC分类号： H01L21/3065 , G03F1/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/14 , G03F1/30 , G03F1/32 , G03F1/80 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138

8. 发明专利

TWI480676B 半色調相移空白光罩，半色調相移光罩，以及圖案轉移方法有权
简体标题：半色调相移空白光罩，半色调相移光罩，以及图案转移方法
公开(公告)号：TWI480676B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW100104735
申请日：2005-03-30
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：吉川博樹 , YOSHIKAWA, HIROKI , 石原俊信 , ISHIHARA, TOSHINOBU , 岡崎智 , OKAZAKI, SATOSHI , 稻月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 佐賀匡 , SAGA, TADASHI , 岡田公宏 , OKADA, KIMIHIRO , 岩片政秀 , IWAKATA, MASAHIDE , 原口崇 , HARAGUCHI, TAKASHI , 高木幹夫 , TAKAGI, MIKIO , 福島祐一 , FUKUSHIMA, YUICHI
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/32 , Y10T428/31616

9. 发明专利

TWI480675B 半色調相移空白光罩，半色調相移光罩，以及圖案轉移方法有权
简体标题：半色调相移空白光罩，半色调相移光罩，以及图案转移方法
公开(公告)号：TWI480675B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW100104734
申请日：2005-03-30
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：吉川博樹 , YOSHIKAWA, HIROKI , 石原俊信 , ISHIHARA, TOSHINOBU , 岡崎智 , OKAZAKI, SATOSHI , 稻月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 佐賀匡 , SAGA, TADASHI , 岡田公宏 , OKADA, KIMIHIRO , 岩片政秀 , IWAKATA, MASAHIDE , 原口崇 , HARAGUCHI, TAKASHI , 高木幹夫 , TAKAGI, MIKIO , 福島祐一 , FUKUSHIMA, YUICHI
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/32 , Y10T428/31616

10. 发明专利

TWI452420B 光罩基板及光罩有权
公开(公告)号：TWI452420B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW099109636
申请日：2010-03-30
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：稻月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 金子英雄 , KANEKO, HIDEO , 吉川博樹 , YOSHIKAWA, HIROKI
IPC分类号： G03F1/64
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/58 , G03F1/80

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式