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1. 发明专利

TWI684060B 相位移光罩空白片、相位移光罩及相位移光罩空白片的製造方法有权
简体标题：相位移光罩空白片、相位移光罩及相位移光罩空白片的制造方法
公开(公告)号：TWI684060B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW105110130
申请日：2016-03-30
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 髙坂卓郎 , KOSAKA, TAKURO
IPC分类号： G03F1/32

2. 发明专利

TW201839498A 空白光罩及其製造方法审中-公开
简体标题：空白光罩及其制造方法
公开(公告)号：TW201839498A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106145473
申请日：2017-12-25
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：高坂卓郎 , KOSAKA, TAKURO , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO
IPC分类号： G03F1/32 , C23C14/06 , C23C14/34
摘要： [解決手段] 一種具有透明基板，與該透明基板上所形成的(A)膜與(B)膜各1層或2層以上，且(A)膜與(B)膜相接合而形成的空白光罩，其中，(A)膜為含有鉻，但不含有矽之膜，(B)膜為含有矽，與氧或氧及氮，但不含有過渡金屬之膜；　　使用飛行時間型二次離子質譜分析法(TOF-SIMS)，由膜的厚度方向測定二次離子強度時，於上述(A)膜與(B)膜之界面或界面附近，SiCrO5的二次離子強度成為極大值的深度位置中，Cr2O5之二次離子強度，較Cr之二次離子強度為更低。　　[效果] 可提供一種於空白光罩及光罩中，含有含有鉻之膜與含有矽之膜相接合的膜結構時，抑制因時間經過而變化所致之發生缺陷的空白光罩及光罩。
简体摘要： [解决手段] 一种具有透明基板，与该透明基板上所形成的(A)膜与(B)膜各1层或2层以上，且(A)膜与(B)膜相接合而形成的空白光罩，其中，(A)膜为含有铬，但不含有硅之膜，(B)膜为含有硅，与氧或氧及氮，但不含有过渡金属之膜；　　使用飞行时间型二次离子质谱分析法(TOF-SIMS)，由膜的厚度方向测定二次离子强度时，于上述(A)膜与(B)膜之界面或界面附近，SiCrO5的二次离子强度成为极大值的深度位置中，Cr2O5之二次离子强度，较Cr之二次离子强度为更低。　　[效果] 可提供一种于空白光罩及光罩中，含有含有铬之膜与含有硅之膜相接合的膜结构时，抑制因时间经过而变化所致之发生缺陷的空白光罩及光罩。

3. 发明专利

TW201839497A 空白光罩及其製造方法审中-公开
简体标题：空白光罩及其制造方法
公开(公告)号：TW201839497A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106145469
申请日：2017-12-25
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：高坂卓郎 , KOSAKA, TAKURO , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO
IPC分类号： G03F1/32 , C23C14/06 , C23C14/34
摘要： [解決手段]一種具有透明基板，與該透明基板上所形成的(A)膜與(B)膜各1層或2層以上，且(A)膜與(B)膜相接合而形成的空白光罩，其中，　　(A)膜為含有鉻與氮，但不含有矽之膜，　　(B)膜為含有矽與氧，但不含有過渡金屬之膜；　　使用飛行時間型二次離子質譜分析法(TOF-SIMS)，由膜的厚度方向測定二次離子強度時，於上述(A)膜與(B)膜之界面或界面附近，SiCrO5的二次離子強度成為極大值的深度位置中，Cr2O5的二次離子強度，較SiN的二次離子強度為更低。　　[效果]可提供一種於空白光罩及光罩中，含有含有鉻之膜與含有矽之膜相接合的膜結構時，抑制因時間經過而變化所致之發生缺陷的空白光罩及光罩。
简体摘要： [解决手段]一种具有透明基板，与该透明基板上所形成的(A)膜与(B)膜各1层或2层以上，且(A)膜与(B)膜相接合而形成的空白光罩，其中，　　(A)膜为含有铬与氮，但不含有硅之膜，　　(B)膜为含有硅与氧，但不含有过渡金属之膜；　　使用飞行时间型二次离子质谱分析法(TOF-SIMS)，由膜的厚度方向测定二次离子强度时，于上述(A)膜与(B)膜之界面或界面附近，SiCrO5的二次离子强度成为极大值的深度位置中，Cr2O5的二次离子强度，较SiN的二次离子强度为更低。　　[效果]可提供一种于空白光罩及光罩中，含有含有铬之膜与含有硅之膜相接合的膜结构时，抑制因时间经过而变化所致之发生缺陷的空白光罩及光罩。

4. 发明专利

TWI634381B 半色調相位移型空白光罩之製造方法有权
简体标题：半色调相位移型空白光罩之制造方法
公开(公告)号：TWI634381B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW105110116
申请日：2016-03-30
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：髙坂卓郎 , KOSAKA, TAKURO , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO
IPC分类号： G03F1/26 , H01L21/027

5. 发明专利

TWI693464B 半色調相移位型空白光遮罩及其製造方法有权
简体标题：半色调相移位型空白光遮罩及其制造方法
公开(公告)号：TWI693464B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW106102198
申请日：2017-01-20
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：髙坂卓郎 , KOSAKA, TAKURO , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 金子英雄 , KANEKO, HIDEO
IPC分类号： G03F1/32

6. 发明专利

TWI663467B 半色調相位移空白光罩、半色調相位移光罩及圖型曝光方法有权
简体标题：半色调相位移空白光罩、半色调相位移光罩及图型曝光方法
公开(公告)号：TWI663467B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW105110126
申请日：2016-03-30
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：髙坂卓郎 , KOSAKA, TAKURO , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO
IPC分类号： G03F1/32 , G03F7/12

7. 发明专利

TWI684059B 半色調相位移光罩基板及半色調相位移光罩有权
简体标题：半色调相位移光罩基板及半色调相位移光罩
公开(公告)号：TWI684059B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW105110128
申请日：2016-03-30
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：笹本紘平 , SASAMOTO, KOUHEI , 髙坂卓郎 , KOSAKA, TAKURO , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 金子英雄 , KANEKO, HIDEO
IPC分类号： G03F1/32

8. 发明专利

TW201921097A 空白光罩及光罩审中-公开
公开(公告)号：TW201921097A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107122040
申请日：2018-06-27
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小澤良兼 , OZAWA, RYOKEN , 髙坂卓郎 , KOSAKA, TAKURO , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO
IPC分类号： G03F1/50 , G03F7/20
摘要： [解決手段] 一種空白光罩，其具有透明基板，與含有鉬、矽及氮之遮光膜，曝光光為ArF準分子雷射光，遮光膜係以由單一組成層及組成傾斜層中選出的1層所構成之單層或2層以上所構成之多層所形成，遮光膜之自基板遠離之側的反射率為40%以下，全部層的於基板側之面與自基板遠離之側之面的折射率n當中，最高之折射率n與最低之折射率n的差為0.2以下，且全部層的於基板側之面與自基板遠離之側之面的消光係數k當中，最高之消光係數k與最低之消光係數k的差為0.5以下。　　[效果] 可提供具有於光罩加工時及缺陷修正時之蝕刻步驟中，光罩圖型之截面形狀良好，又，光罩圖型之截面形狀不會惡化之遮光膜作為MoSi系遮光膜的空白光罩及光罩。
简体摘要： [解决手段] 一种空白光罩，其具有透明基板，与含有钼、硅及氮之遮光膜，曝光光为ArF准分子激光光，遮光膜系以由单一组成层及组成倾斜层中选出的1层所构成之单层或2层以上所构成之多层所形成，遮光膜之自基板远离之侧的反射率为40%以下，全部层的于基板侧之面与自基板远离之侧之面的折射率n当中，最高之折射率n与最低之折射率n的差为0.2以下，且全部层的于基板侧之面与自基板远离之侧之面的消光系数k当中，最高之消光系数k与最低之消光系数k的差为0.5以下。　　[效果] 可提供具有于光罩加工时及缺陷修正时之蚀刻步骤中，光罩图型之截面形状良好，又，光罩图型之截面形状不会恶化之遮光膜作为MoSi系遮光膜的空白光罩及光罩。

9. 发明专利

TW201826011A 半色調相移型空白光罩、其製造方法及半色調相移型光罩审中-公开
简体标题：半色调相移型空白光罩、其制造方法及半色调相移型光罩
公开(公告)号：TW201826011A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106133055
申请日：2017-09-27
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：髙坂卓郎 , KOSAKA, TAKURO , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 金子英雄 , KANEKO, HIDEO
IPC分类号： G03F1/32
摘要：本發明的解決手段為藉由使導入腔室內之反應性氣體流量增加後減少進行掃掠時，在藉由反應性氣體流量、與藉由反應性氣體流量的掃掠所測定之濺鍍電壓值或濺鍍電流值所形成之滯後曲線，係以在相當於超過表示滯後之反應性氣體流量的下限且未滿上限的範圍之區域的濺鍍狀態，連續性或階段性增加或減少選自施加在靶之電力、惰性氣體流量及反應性氣體流量中之1個或2個以上，成膜成半色調相移膜。　　本發明的效果為可提供一種耐藥品性優異，在具有含有過渡金屬與矽與氮之層的半色調相移膜，於可改善光學特性之面內均勻性，確保預定之相位差及透過率之外，且具有面內均勻性良好之半色調相移膜的半色調相移型空白光罩及光罩。
简体摘要：本发明的解决手段为借由使导入腔室内之反应性气体流量增加后减少进行扫掠时，在借由反应性气体流量、与借由反应性气体流量的扫掠所测定之溅镀电压值或溅镀电流值所形成之滞后曲线，系以在相当于超过表示滞后之反应性气体流量的下限且未满上限的范围之区域的溅镀状态，连续性或阶段性增加或减少选自施加在靶之电力、惰性气体流量及反应性气体流量中之1个或2个以上，成膜成半色调相移膜。　　本发明的效果为可提供一种耐药品性优异，在具有含有过渡金属与硅与氮之层的半色调相移膜，于可改善光学特性之面内均匀性，确保预定之相位差及透过率之外，且具有面内均匀性良好之半色调相移膜的半色调相移型空白光罩及光罩。

10. 发明专利

TW201823851A 半色調相移空白遮罩及半色調相移遮罩审中-公开
简体标题：半色调相移空白遮罩及半色调相移遮罩
公开(公告)号：TW201823851A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106133058
申请日：2017-09-27
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 坂卓郎 , KOSAKA, TAKURO , 笹本紘平 , SASAMOTO, KOUHEI , 金子英雄 , KANEKO, HIDEO
IPC分类号： G03F1/32
摘要：本發明的解決手段為一種半色調相移空白遮罩，其特徵為半色調相移膜係由含有過渡金屬、矽及氮作為必需成分、可含有氧作為任意成分之矽系材料所構成，係至少包含1層由過渡金屬的含有率為3原子%以下、矽、氮及氧的合計的含有率為90原子%以上、矽的含有率為30～70原子%、氮及氧的合計的含有率為30～60原子%，且氧的含有率為30原子%以下之矽系材料所構成，且片電阻為1013Ω/□以下之層。　　本發明的效果為可提供一種具有相對於波長200nm以下之光的照射，圖型尺寸變動劣化較小，具有良好之藥品耐性，並且與未含有過渡金屬之矽系材料的膜相比較，改善加工性之半色調相移膜的半色調相移空白遮罩及半色調相移遮罩。
简体摘要：本发明的解决手段为一种半色调相移空白遮罩，其特征为半色调相移膜系由含有过渡金属、硅及氮作为必需成分、可含有氧作为任意成分之硅系材料所构成，系至少包含1层由过渡金属的含有率为3原子%以下、硅、氮及氧的合计的含有率为90原子%以上、硅的含有率为30～70原子%、氮及氧的合计的含有率为30～60原子%，且氧的含有率为30原子%以下之硅系材料所构成，且片电阻为1013Ω/□以下之层。　　本发明的效果为可提供一种具有相对于波长200nm以下之光的照射，图型尺寸变动劣化较小，具有良好之药品耐性，并且与未含有过渡金属之硅系材料的膜相比较，改善加工性之半色调相移膜的半色调相移空白遮罩及半色调相移遮罩。

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