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1. 发明专利

TWI435175B 光阻組成物用高分子化合物的合成方法有权
简体标题：光阻组成物用高分子化合物的合成方法
公开(公告)号：TWI435175B
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：TW097127796
申请日：2008-07-22
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：武田隆信 , TAKEDA, TAKANOBU , 渡邊保 , WATANABE, TAMOTSU
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , C08F6/04
CPC分类号： C08F6/04

2. 发明专利

TWI375865B 負型光阻材料及圖型之形成方法 NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 有权
简体标题：负型光阻材料及图型之形成方法 NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TWI375865B
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW095102321
申请日：2006-01-20
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：小板橋龍二 , 渡邊保 , 武田隆信 , 渡邊聰
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0382 , C08L25/18 , C08L2666/04
摘要：本發明提供一種曝光前後之鹼溶解速度對比高，具有高感度、高解像性、顯示優異之蝕刻耐性的負型光阻材料。其特徵為含有：含式(1)所示之重覆單位的高分子化合物、與光酸產生劑、及交聯劑。
〔化1〕
(1)
(X為烷基或烷氧基；R1、R2為H、OH、烷基、可取代之烷氧基或鹵原子；R3、R4為H或CH3；n為1~4之正整數；m、k為1~5之正整數；p、q、r為正數)。
简体摘要：本发明提供一种曝光前后之碱溶解速度对比高，具有高感度、高解像性、显示优异之蚀刻耐性的负型光阻材料。其特征为含有：含式(1)所示之重复单位的高分子化合物、与光酸产生剂、及交联剂。〔化1〕 (1) (X为烷基或烷氧基；R1、R2为H、OH、烷基、可取代之烷氧基或卤原子；R3、R4为H或CH3；n为1~4之正整数；m、k为1~5之正整数；p、q、r为正数)。

3. 发明专利

TWI385183B 高分子化合物、光阻材料及使用其之圖型形成方法有权
简体标题：高分子化合物、光阻材料及使用其之图型形成方法
公开(公告)号：TWI385183B
公开(公告)日：2013-02-11
申请号：TW096138258
申请日：2007-10-12
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：武田隆信 , TAKEDA, TAKANOBU , 渡邊修 , WATANABE, OSAMU , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 小板橋龍二 , KOITABASHI, RYUJI , 增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 渡邊保 , WATANABE, TAMOTSU
IPC分类号： C08F212/14 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , Y10S430/106

4. 发明专利

TW201015218A 光阻圖型之形成方法及光罩之製造方法 RESIST PATTERNING PROCESS AND MANUFACTURING PHOTO MASK 审中-公开
简体标题：光阻图型之形成方法及光罩之制造方法 RESIST PATTERNING PROCESS AND MANUFACTURING PHOTO MASK
公开(公告)号：TW201015218A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：TW098123529
申请日：2009-07-10
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：武田隆信 , 渡邊聰 , 渡邊保 , 田中啟順 , 增永惠一 , 小板橋龍二
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0392
摘要： ﹝課題﹞現在所欲解決之課題之一有線邊緣粗糙度(line edge roughness)，然而經由酸發生劑或鹼性化合物之解決，則會引起與解像性之間的權衡取捨。本發明係提供關於以藉由具有高解像性之酸不安定基而受保護之羥基苯乙烯等作為基質聚合物之光阻組成物，其線邊緣粗糙度受到抑制，65nm以下之圖型規則(Pattern Rule)所成之光阻圖型之形成方法作為目的。﹝解決手段﹞作為化學增幅型光阻組成物之基質聚合物，具有將羥基以酸分解性基保護之苯乙烯單位、與茚單位或苊烯單位之聚合物之中，使用已使用重量平均分子量為4000至7000、特別係4500至5500之聚合物的光阻組成物，形成最少線寬為65nm以下之圖型為其特徵的光阻圖型形成方法。
简体摘要： ﹝课题﹞现在所欲解决之课题之一有线边缘粗糙度(line edge roughness)，然而经由酸发生剂或碱性化合物之解决，则会引起与解像性之间的权衡取舍。本发明系提供关于以借由具有高解像性之酸不安定基而受保护之羟基苯乙烯等作为基质聚合物之光阻组成物，其线边缘粗糙度受到抑制，65nm以下之图型守则(Pattern Rule)所成之光阻图型之形成方法作为目的。﹝解决手段﹞作为化学增幅型光阻组成物之基质聚合物，具有将羟基以酸分解性基保护之苯乙烯单位、与茚单位或苊烯单位之聚合物之中，使用已使用重量平均分子量为4000至7000、特别系4500至5500之聚合物的光阻组成物，形成最少线宽为65nm以下之图型为其特征的光阻图型形成方法。

5. 发明专利

TWI452431B 增強化學性型光阻組成物之製造方法有权
简体标题：增强化学性型光阻组成物之制造方法
公开(公告)号：TWI452431B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW097116270
申请日：2008-05-02
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 武田隆信 , TAKEDA, TAKANOBU , 渡邊保 , WATANABE, TAMOTSU , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 小板橋龍二 , KOITABASHI, RYUJI , 渡邊修 , WATANABE, OSAMU
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0048 , G03F7/0382 , G03F7/0397

6. 发明专利

TWI416259B 化學增幅型負型光阻組成物及圖型之形成方法有权
简体标题：化学增幅型负型光阻组成物及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI416259B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW097111189
申请日：2008-03-28
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：武田隆信 , TAKEDA, TAKANOBU , 渡邊保 , WATANABE, TAMOTSU , 小板橋龍二 , KOITABASHI, RYUJI , 增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 田中啓順 , TANAKA, AKINOBU , 渡邊修 , WATANABE, OSAMU
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/027 , C08F12/24 , C08F12/04 , C08F32/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/20

7. 发明专利

TWI476516B 圖型之形成方法有权
简体标题：图型之形成方法
公开(公告)号：TWI476516B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW099110751
申请日：2010-04-07
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：田中啟順 , TANAKA, AKINOBU , 渡邊保 , WATANABE, TAMOTSU , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/0048 , G03F7/0392 , G03F7/40

8. 发明专利

TWI465847B 光罩空白基板、光阻圖型之形成方法及光罩之製造方法有权
简体标题：光罩空白基板、光阻图型之形成方法及光罩之制造方法
公开(公告)号：TWI465847B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW097120937
申请日：2008-06-05
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小板橋龍二 , KOITABASHI, RYUJI , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 武田隆信 , TAKEDA, TAKANOBU , 增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 渡邊保 , WATANABE, TAMOTSU
IPC分类号： G03F7/039 , G03F1/26 , H01L21/027 , G03F7/004 , C08F16/14 , C08F20/10
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0392

9. 发明专利

TW201107880A 圖型之形成方法审中-公开
简体标题：图型之形成方法
公开(公告)号：TW201107880A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099110751
申请日：2010-04-07
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：田中啟順 , 渡邊保 , 渡邊聰
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/0048 , G03F7/0392 , G03F7/40
摘要：本發明的解決手段為一種圖型之形成方法，其包含將含有相對於100份的基礎樹脂而言，1,400～5,000份的全部溶劑，相對於全部溶劑而言，60％以上的丙二醇單甲基醚醋酸酯與乳酸乙酯，更且0.2～20％的上述溶劑為由γ-丁內酯、乙醯乙酸烷酯、二丙二醇甲基醚醋酸酯、二丙二醇丁基醚、三丙二醇丁基醚、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯所選出的溶劑之化學增幅型光阻組成物，將其塗佈於被加工基板上，藉由加熱來去除過剩的溶劑成分，而得到光阻膜之步驟；以高能量線進行圖型曝光之步驟；視需要在加熱處理後進行顯像之步驟；更且在顯像後進行加熱處理之步驟。效果為本發明的方法係藉由使用上述特定的混合溶劑來調製光阻組成物，而可均勻地形成光阻塗膜，藉由顯像後的加熱處理將光阻膜烘乾時，改善線邊緣粗糙度的圖型形成係可能。
简体摘要：本发明的解决手段为一种图型之形成方法，其包含将含有相对于100份的基础树脂而言，1,400～5,000份的全部溶剂，相对于全部溶剂而言，60％以上的丙二醇单甲基醚醋酸酯与乳酸乙酯，更且0.2～20％的上述溶剂为由γ-丁内酯、乙酰乙酸烷酯、二丙二醇甲基醚醋酸酯、二丙二醇丁基醚、三丙二醇丁基醚、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯所选出的溶剂之化学增幅型光阻组成物，将其涂布于被加工基板上，借由加热来去除过剩的溶剂成分，而得到光阻膜之步骤；以高能量线进行图型曝光之步骤；视需要在加热处理后进行显像之步骤；更且在显像后进行加热处理之步骤。效果为本发明的方法系借由使用上述特定的混合溶剂来调制光阻组成物，而可均匀地形成光阻涂膜，借由显像后的加热处理将光阻膜烘干时，改善线边缘粗糙度的图型形成系可能。

10. 发明专利

TWI435172B 光阻圖型之形成方法及光罩之製造方法有权
简体标题：光阻图型之形成方法及光罩之制造方法
公开(公告)号：TWI435172B
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：TW098123529
申请日：2009-07-10
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：武田隆信 , TAKEDA, TAKANOBU , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 渡邊保 , WATANABE, TAMOTSU , 田中啟順 , TANAKA, AKINOBU , 增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 小板橋龍二 , KOITABASHI, RYUJI
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0392

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