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1. 发明专利

TW201706710A 光圖案曝光方法、半色調相移光罩、及半色調相移空白光罩审中-公开
简体标题：光图案曝光方法、半色调相移光罩、及半色调相移空白光罩
公开(公告)号：TW201706710A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105136280
申请日：2012-11-20
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：吉川博樹 , YOSHIKAWA, HIROKI , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 小板橋龍二 , KOITABASHI, RYUJI , 金子英雄 , KANEKO, HIDEO , 小嶋洋介 , KOJIMA, YOSUKE , 原口崇 , HARAGUCHI, TAKASHI , 廣瀬智一 , HIROSE, TOMOHITO
IPC分类号： G03F1/26
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/26
摘要：一種光圖案曝光方法係藉透過半色調相移光罩將ArF準分子雷射光照射至光阻膜。該光罩包括透明基材及半色調相移膜之圖案，該半色調相移膜之材料包含過渡金屬、矽、氮及氧，且具有0.18-0.25之原子比(Met/Si)，25-50原子%之氮含量及5-20原子%之氧含量。該光罩可用ArF準分子雷射光以至少10kJ/cm2之累積劑量照射。
简体摘要：一种光图案曝光方法系藉透过半色调相移光罩将ArF准分子激光光照射至光阻膜。该光罩包括透明基材及半色调相移膜之图案，该半色调相移膜之材料包含过渡金属、硅、氮及氧，且具有0.18-0.25之原子比(Met/Si)，25-50原子%之氮含量及5-20原子%之氧含量。该光罩可用ArF准分子激光光以至少10kJ/cm2之累积剂量照射。

2. 发明专利

TWI498670B 光圖案曝光方法，光罩及空白光罩有权
简体标题：光图案曝光方法，光罩及空白光罩
公开(公告)号：TWI498670B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW101143255
申请日：2012-11-20
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：吉川博樹 , YOSHIKAWA, HIROKI , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 小板橋龍二 , KOITABASHI, RYUJI , 金子英雄 , KANEKO, HIDEO , 小嶋洋介 , KOJIMA, YOSUKE , 原口崇 , HARAGUCHI, TAKASHI , 廣瀬智一 , HIROSE, TOMOHITO
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/00 , G03F1/32 , G03F1/60

3. 发明专利

TWI385183B 高分子化合物、光阻材料及使用其之圖型形成方法有权
简体标题：高分子化合物、光阻材料及使用其之图型形成方法
公开(公告)号：TWI385183B
公开(公告)日：2013-02-11
申请号：TW096138258
申请日：2007-10-12
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：武田隆信 , TAKEDA, TAKANOBU , 渡邊修 , WATANABE, OSAMU , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 小板橋龍二 , KOITABASHI, RYUJI , 增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 渡邊保 , WATANABE, TAMOTSU
IPC分类号： C08F212/14 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , Y10S430/106

4. 发明专利

TW201015218A 光阻圖型之形成方法及光罩之製造方法 RESIST PATTERNING PROCESS AND MANUFACTURING PHOTO MASK 审中-公开
简体标题：光阻图型之形成方法及光罩之制造方法 RESIST PATTERNING PROCESS AND MANUFACTURING PHOTO MASK
公开(公告)号：TW201015218A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：TW098123529
申请日：2009-07-10
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：武田隆信 , 渡邊聰 , 渡邊保 , 田中啟順 , 增永惠一 , 小板橋龍二
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0392
摘要： ﹝課題﹞現在所欲解決之課題之一有線邊緣粗糙度(line edge roughness)，然而經由酸發生劑或鹼性化合物之解決，則會引起與解像性之間的權衡取捨。本發明係提供關於以藉由具有高解像性之酸不安定基而受保護之羥基苯乙烯等作為基質聚合物之光阻組成物，其線邊緣粗糙度受到抑制，65nm以下之圖型規則(Pattern Rule)所成之光阻圖型之形成方法作為目的。﹝解決手段﹞作為化學增幅型光阻組成物之基質聚合物，具有將羥基以酸分解性基保護之苯乙烯單位、與茚單位或苊烯單位之聚合物之中，使用已使用重量平均分子量為4000至7000、特別係4500至5500之聚合物的光阻組成物，形成最少線寬為65nm以下之圖型為其特徵的光阻圖型形成方法。
简体摘要： ﹝课题﹞现在所欲解决之课题之一有线边缘粗糙度(line edge roughness)，然而经由酸发生剂或碱性化合物之解决，则会引起与解像性之间的权衡取舍。本发明系提供关于以借由具有高解像性之酸不安定基而受保护之羟基苯乙烯等作为基质聚合物之光阻组成物，其线边缘粗糙度受到抑制，65nm以下之图型守则(Pattern Rule)所成之光阻图型之形成方法作为目的。﹝解决手段﹞作为化学增幅型光阻组成物之基质聚合物，具有将羟基以酸分解性基保护之苯乙烯单位、与茚单位或苊烯单位之聚合物之中，使用已使用重量平均分子量为4000至7000、特别系4500至5500之聚合物的光阻组成物，形成最少线宽为65nm以下之图型为其特征的光阻图型形成方法。

5. 发明专利

TWI526775B 空白光罩及光罩之製造方法有权
简体标题：空白光罩及光罩之制造方法
公开(公告)号：TWI526775B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW099143404
申请日：2010-12-13
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD. , 信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小嶋洋介 , KOJIMA, YOSUKE , 吉川博樹 , YOSHIKAWA, HIROKI , 稻月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 小板橋龍二 , KOITABASHI, RYUJI
IPC分类号： G03F1/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/30 , G03F1/32 , G03F1/80

6. 发明专利

TWI452431B 增強化學性型光阻組成物之製造方法有权
简体标题：增强化学性型光阻组成物之制造方法
公开(公告)号：TWI452431B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW097116270
申请日：2008-05-02
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 武田隆信 , TAKEDA, TAKANOBU , 渡邊保 , WATANABE, TAMOTSU , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 小板橋龍二 , KOITABASHI, RYUJI , 渡邊修 , WATANABE, OSAMU
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0048 , G03F7/0382 , G03F7/0397

7. 发明专利

TWI416259B 化學增幅型負型光阻組成物及圖型之形成方法有权
简体标题：化学增幅型负型光阻组成物及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI416259B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW097111189
申请日：2008-03-28
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：武田隆信 , TAKEDA, TAKANOBU , 渡邊保 , WATANABE, TAMOTSU , 小板橋龍二 , KOITABASHI, RYUJI , 增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 田中啓順 , TANAKA, AKINOBU , 渡邊修 , WATANABE, OSAMU
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/027 , C08F12/24 , C08F12/04 , C08F32/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/20

8. 发明专利

TW200302953A 負型光阻材料及使用其形成圖型之方法审中-公开
简体标题：负型光阻材料及使用其形成图型之方法
公开(公告)号：TW200302953A
公开(公告)日：2003-08-16
申请号：TW092102578
申请日：2003-02-07
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：武田隆信 , 渡邊修 , 草木涉 , 小板橋龍二
IPC分类号： G03F , C08F
CPC分类号： G03F7/0382 , Y10S430/106 , Y10S430/143
摘要：提供一種負型光阻材料，特別是化學增幅負型光阻材料；其特點為高感度以及高解像度、曝光充裕度，具製程(Process)適應性，曝光後之圖型形狀良好，顯示優異的耐浸蝕(Etching)性。負型光阻材料，其特徵為含有至少具有式(1)所示的重覆單位、重量平均分子量為1,000～500,000的高分子化合物。092102578p01.bmp
简体摘要：提供一种负型光阻材料，特别是化学增幅负型光阻材料；其特点为高感度以及高解像度、曝光充裕度，具制程(Process)适应性，曝光后之图型形状良好，显示优异的耐浸蚀(Etching)性。负型光阻材料，其特征为含有至少具有式(1)所示的重复单位、重量平均分子量为1,000～500,000的高分子化合物。092102578p01.bmp

9. 发明专利

TWI627495B 光罩基底基板之收納容器有权
简体标题：光罩基底基板之收纳容器
公开(公告)号：TWI627495B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW103131231
申请日：2014-09-10
申请人：日商信越聚合物股份有限公司 , SHIN-ETSU POLYMER CO., LTD. , 日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：鈴木勤 , SUZUKI, TSUTOMU , 大堀伸一 , OHORI, SHINICHI , 小板橋龍二 , KOITABASHI, RYUJI , 中川秀夫 , NAKAGAWA, HIDEO , 高坂卓郎 , TAKASAKA, TAKURO , 木下隆裕 , KINOSHITA, TAKAHIRO , 福田洋 , FUKUDA, HIROSHI
IPC分类号： G03F1/66 , H01L21/673

10. 发明专利

TW201339739A 光圖案曝光方法、半色調相移光罩、及半色調相移空白光罩审中-公开
简体标题：光图案曝光方法、半色调相移光罩、及半色调相移空白光罩
公开(公告)号：TW201339739A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101143277
申请日：2012-11-20
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：吉川博樹 , YOSHIKAWA, HIROKI , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 小板橋龍二 , KOITABASHI, RYUJI , 金子英雄 , KANEKO, HIDEO , 小嶋洋介 , KOJIMA, YOSUKE , 原口崇 , HARAGUCHI, TAKASHI , 廣瀬智一 , HIROSE, TOMOHITO
IPC分类号： G03F1/26
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/26
摘要：一種光圖案曝光方法係藉透過半色調相移光罩將ArF準分子雷射光照射至光阻膜。該光罩包括透明基材及半色調相移膜之圖案，該半色調相移膜之材料包含過渡金屬、矽、氮及氧，且具有0.18-0.25之原子比(Met/Si)，25-50原子%之氮含量及5-20原子%之氧含量。該光罩可用ArF準分子雷射光以至少10 kJ/cm2之累積劑量照射。
简体摘要：一种光图案曝光方法系藉透过半色调相移光罩将ArF准分子激光光照射至光阻膜。该光罩包括透明基材及半色调相移膜之图案，该半色调相移膜之材料包含过渡金属、硅、氮及氧，且具有0.18-0.25之原子比(Met/Si)，25-50原子%之氮含量及5-20原子%之氧含量。该光罩可用ArF准分子激光光以至少10 kJ/cm2之累积剂量照射。

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