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1. 发明专利

TWI481964B 化學增幅正型光阻材料及光阻圖型之形成方法有权
简体标题：化学增幅正型光阻材料及光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TWI481964B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW099119475
申请日：2010-06-15
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 田中啟順 , TANAKA, AKINOBU , 土門大將 , DOMON, DAISUKE , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 大澤洋一 , OHSAWA, YOUICHI , 大橋正樹 , OHASHI, MASAKI
IPC分类号： G03F7/039 , C08F220/32 , C08F220/28 , C08F220/18 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045

2. 发明专利

TWI458740B 光阻圖案形成方法有权
简体标题：光阻图案形成方法
公开(公告)号：TWI458740B
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW101116409
申请日：2012-05-08
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：片山和弘 , KATAYAMA, KAZUHIRO , 旱田山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 大澤洋一 , OHSAWA, YOUICHI , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI , 小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO
IPC分类号： C08F20/26 , G03F7/038 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/325

3. 发明专利

TWI446113B 化學增幅負型光阻組成物及圖型之形成方法有权
简体标题：化学增幅负型光阻组成物及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI446113B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW100106397
申请日：2011-02-25
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 大澤洋一 , OHSAWA, YOUICHI , 土門大將 , DOMON, DAISUKE
IPC分类号： G03F7/038 , C08F20/24 , C08F20/30 , C08F12/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F1/14 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , Y10S430/11 , Y10S430/111

4. 发明专利

TWI445721B 高分子化合物、正型光阻材料及圖案形成方法有权
简体标题：高分子化合物、正型光阻材料及图案形成方法
公开(公告)号：TWI445721B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW100140556
申请日：2011-11-07
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO , 長澤賢幸 , NAGASAWA, TAKAYUKI , 谷口良輔 , TANIGUCHI, RYOSUKE , 大澤洋一 , OHSAWA, YOUICHI , 船津顯之 , FUNATSU, KENJI , 橘誠一郎 , TACHIBANA, SEIICHIRO
IPC分类号： C08F220/38 , C08F220/18 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2041 , C08K5/375 , C08K5/42 , C08L41/00 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397

5. 发明专利

TWI410397B 光酸產生劑、光阻材料及圖案形成方法有权
简体标题：光酸产生剂、光阻材料及图案形成方法
公开(公告)号：TWI410397B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW099121521
申请日：2010-06-30
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大橋正樹 , OHASHI, MASAKI , 大澤洋一 , OHSAWA, YOUICHI , 金生剛 , KINSHO, TAKESHI , 渡邊武 , WATANABE, TAKERU
IPC分类号： C07C309/12 , C07C381/12 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： C07C309/12 , C07C381/12 , C07C2603/74 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041

6. 发明专利

TWI379164B 正型光阻材料及圖型之形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS 有权
简体标题：正型光阻材料及图型之形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TWI379164B
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW098101728
申请日：2009-01-16
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：大澤洋一 , 金生剛 , 渡邊武
IPC分类号： G03F , C08F , H01L
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/2041 , Y10S430/111 , Y10S430/122
摘要：一種正型光阻材料，其係含有因酸作用而於鹼顯像液中成為可溶之樹脂成分(A)、與感應活性光線或放射線而產生酸之化合物(B)，且(A)係為含式(a)、式(b)、式(c)之重複單位的高分子化合物(1)，(B)係式(2)的鋶鹽化合物。
(a) (b) (c) (1)
(R1為H或甲基。m為1或2。n為1或2。)
(2)
(R5、R6、R7為碳數1~20之H或一價烴基。R8為碳數4~30的一價烴基。)
本發明之光阻材料在微細加工技術、特別係在ArF微影術技術中，具極高解像性，且可得良好遮罩忠實性、特別係LER小之圖型。
简体摘要：一种正型光阻材料，其系含有因酸作用而于碱显像液中成为可溶之树脂成分(A)、与感应活性光线或放射线而产生酸之化合物(B)，且(A)系为含式(a)、式(b)、式(c)之重复单位的高分子化合物(1)，(B)系式(2)的锍盐化合物。 (a) (b) (c) (1) (R1为H或甲基。m为1或2。n为1或2。) (2) (R5、R6、R7为碳数1~20之H或一价烃基。R8为碳数4~30的一价烃基。) 本发明之光阻材料在微细加工技术、特别系在ArF微影术技术中，具极高解像性，且可得良好遮罩忠实性、特别系LER小之图型。

7. 发明专利

TW201219362A 鋶鹽、光阻材料及圖案形成方法 SULFONIUM SALT, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：锍盐、光阻材料及图案形成方法 SULFONIUM SALT, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201219362A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100136056
申请日：2011-10-05
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：提箸正義 , 大澤洋一 , 長谷川幸士 , 金生剛 , 小林知洋
IPC分类号： C07C , G03F , H01L
CPC分类号： C07D493/18 , C07D333/46 , C07D409/12 , C07J31/006 , C07J33/002 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要：本發明係提供一種下述通式（1）所示之鋶鹽；
（式中，R 1 表示氫原子或是可包含雜原子之碳數1～30之直鏈狀、分支狀或環狀的1價烴基；R 2 表示氫原子或三氟甲基；R f 表示至少一個以上的氫原子被氟原子取代之碳數1～4的烷基。）本發明的鋶鹽，在陽離子部分具有氟烷氧鏈，且將本發明的鋶鹽用於光阻材料時，對於浸液水之溶離亦少，而且圖案相依性（暗‧亮差）少，作為化學放大光阻材料的光酸產生劑非常有用。
简体摘要：本发明系提供一种下述通式（1）所示之锍盐；（式中，R 1 表示氢原子或是可包含杂原子之碳数1～30之直链状、分支状或环状的1价烃基；R 2 表示氢原子或三氟甲基；R f 表示至少一个以上的氢原子被氟原子取代之碳数1～4的烷基。）本发明的锍盐，在阳离子部分具有氟烷氧链，且将本发明的锍盐用于光阻材料时，对于浸液水之溶离亦少，而且图案相依性（暗‧亮差）少，作为化学放大光阻材料的光酸产生剂非常有用。

8. 发明专利

TW201100361A 新穎磺酸鹽及其衍生物、光酸產生劑及利用此光酸產生劑之光阻材料與圖案形成方法 NOVEL SULFONATE AND ITS DERIVATIVE, PHOTOSENSITIVE ACID GENERATOR, AND RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME 审中-公开
简体标题：新颖磺酸盐及其衍生物、光酸产生剂及利用此光酸产生剂之光阻材料与图案形成方法 NOVEL SULFONATE AND ITS DERIVATIVE, PHOTOSENSITIVE ACID GENERATOR, AND RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
公开(公告)号：TW201100361A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099103943
申请日：2010-02-09
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：大橋正樹 , 金生剛 , 大澤洋一
IPC分类号： C07C , G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C25/18 , C07C309/08 , C07C309/12 , C07C381/12 , C07C2603/74 , G03F1/50 , G03F7/0046 , G03F7/0392
摘要：本發明提供新穎磺酸鹽與光酸產生劑及利用此光酸產生劑之光阻材料、空白光罩與圖案形形成方法,其對光阻溶劑及樹脂的溶解性(相溶性)相當高、保存穩定性良好、具有PED穩定性、焦點深度較廣、感度良好,尤其可提供作為解像性及圖案輪廓形狀優異的化學放大型光阻材料用。該磺酸鹽係以下述通式(2)表示的磺酸鹽。R1-COOC(CF3)2-CH2SO3-M+ (2) (式中,R1表示可含有雜原子之碳數1-50之直鏈狀、分支狀或是環狀的一價烴基。M+表示陽離子)。
简体摘要：本发明提供新颖磺酸盐与光酸产生剂及利用此光酸产生剂之光阻材料、空白光罩与图案形形成方法,其对光阻溶剂及树脂的溶解性(相溶性)相当高、保存稳定性良好、具有PED稳定性、焦点深度较广、感度良好,尤其可提供作为解像性及图案轮廓形状优异的化学放大型光阻材料用。该磺酸盐系以下述通式(2)表示的磺酸盐。R1-COOC(CF3)2-CH2SO3-M+ (2) (式中,R1表示可含有杂原子之碳数1-50之直链状、分支状或是环状的一价烃基。M+表示阳离子)。

9. 发明专利

TW201033740A 含有熱酸產生劑之光阻下層材料，形成光阻下層膜之基板及圖型形成方法 RESIST LOWER-LAYER COMPOSITION CONTAINING THERMAL ACID GENERATOR, RESIST LOWER LAYER FILM-FORMED SUBSTRATE, AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：含有热酸产生剂之光阻下层材料，形成光阻下层膜之基板及图型形成方法 RESIST LOWER-LAYER COMPOSITION CONTAINING THERMAL ACID GENERATOR, RESIST LOWER LAYER FILM-FORMED SUBSTRATE, AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201033740A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098137785
申请日：2009-11-06
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：大澤洋一 , 畠山潤 , 渡邊武 , 金生剛
IPC分类号： G03F , C07C , H01L
CPC分类号： C07C381/12 , C07C309/12 , C07C2603/74 , C07D307/93 , G03F7/0045 , G03F7/091
摘要：本發明係提供多層光阻法(特別是2層光阻法及3層光阻法)中，用以形成比光阻上層膜之光阻層之下層，該下層形成後，成為對於鹼顯像液為不溶或難溶的光阻下層材料，耐底部拉引(Poisoning)的效果高，且對環境負荷少的光阻下層膜。微影用之多層光阻法中，用以形成比光阻上層膜之光阻層之下層，該下層形成後，成為對於鹼顯像液為不溶或難溶的光阻下層材料，其特徵係該光阻下層材料係至少含有熱酸產生劑，該熱酸產生劑係藉由100℃以上之加熱，產生下述一般式(1)表示之酸者。RCOO-CH2CF2SO3 - H + (1)
简体摘要：本发明系提供多层光阻法(特别是2层光阻法及3层光阻法)中，用以形成比光阻上层膜之光阻层之下层，该下层形成后，成为对于碱显像液为不溶或难溶的光阻下层材料，耐底部拉引(Poisoning)的效果高，且对环境负荷少的光阻下层膜。微影用之多层光阻法中，用以形成比光阻上层膜之光阻层之下层，该下层形成后，成为对于碱显像液为不溶或难溶的光阻下层材料，其特征系该光阻下层材料系至少含有热酸产生剂，该热酸产生剂系借由100℃以上之加热，产生下述一般式(1)表示之酸者。RCOO-CH2CF2SO3 - H + (1)

10. 发明专利

TW546545B 光阻材料與圖型之形成方法有权
简体标题：光阻材料与图型之形成方法
公开(公告)号：TW546545B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW090106456
申请日：2001-03-20
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人： 山潤 , 大澤洋一 , 西恆寬 , 渡邊淳
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/0045 , G03F7/0395 , Y10S430/122
摘要：一種光阻材料，其係為含有基礎樹脂、酸產生劑與溶劑之光阻材料其特徵為，酸產生劑為下記式(1)所示之鹽者。
(式中，R1為碳數3至20之1價環狀烴基，亦可為橋環式之烴基；R2為羥基、硝基、鹵素原子，或可含有O、 N、S或鹵素原子之碳數1至15之直鏈狀、支鏈狀或環狀之1價烴基；K-為非親核性對向離子；X為1或2，y為0至3之整數)。
本發明之光阻材料，可感應ArF等離子雷射光，且具有優良之感度、解像性等，因可形成厚膜化，故亦有利於蝕刻，且亦容易形成微細且對基板為垂直之圖型。
简体摘要：一种光阻材料，其系为含有基础树脂、酸产生剂与溶剂之光阻材料其特征为，酸产生剂为下记式(1)所示之盐者。 (式中，R1为碳数3至20之1价环状烃基，亦可为桥环式之烃基；R2为羟基、硝基、卤素原子，或可含有O、 N、S或卤素原子之碳数1至15之直链状、支链状或环状之1价烃基；K-为非亲核性对向离子；X为1或2，y为0至3之整数)。本发明之光阻材料，可感应ArF等离子激光光，且具有优良之感度、解像性等，因可形成厚膜化，故亦有利于蚀刻，且亦容易形成微细且对基板为垂直之图型。

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