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1. 发明专利

TW201527232A 摻鈦和氟之高矽酸含量玻璃胚件之製造方法审中-公开
简体标题：掺钛和氟之高硅酸含量玻璃胚件之制造方法
公开(公告)号：TW201527232A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103136400
申请日：2014-10-22
申请人：何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
发明人：歐克斯史帝芬 , OCHS, STEFAN , 貝克克勞斯 , BECKER, KLAUS
IPC分类号： C03B19/06 , C03B19/14 , C03B20/00 , C03C3/06 , G02B1/00 , G02B5/08 , G02B27/18 , B41N1/12 , G03F1/24
CPC分类号： C03B19/1461 , C03B19/066 , C03B19/106 , C03B19/1095 , C03B19/14 , C03B2201/12 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C4/0085 , C03C2201/12 , C03C2201/42 , C03C2203/40 , C03C2203/54 , C03C2204/00 , G03F1/24
摘要：本發明係關於一種方法，由摻鈦之高矽酸含量玻璃製造胚件，其具一預定之氟含量，以應用於極紫外線平版印刷，使其熱膨脹係數在操作溫度下儘可能穩定為零。摻鈦矽玻璃胚件之熱膨脹係數走勢，係由許多影響因素決定。除去絕對鈦含量之外，鈦之分布亦有極大意義，其他摻雜元素之含量及分布亦然，例如氟。本發明係提出一種方法，其係包含一合成製程，由該製程產生摻氟之TiO2-SiO2煤灰粒子，再經由固化及玻璃化加工成為胚件，其特徵為，其合成程序包含一方法步驟，利用火焰水解法將含矽和鈦之起始物質形成TiO2-SiO2煤灰粒子，並於後續方法步驟中，將TiO2-SiO2煤灰粒子置於一活動粉末床中，使其暴露於含氟之反應劑而轉變成摻氟之TiO2-SiO2煤灰粒子。
简体摘要：本发明系关于一种方法，由掺钛之高硅酸含量玻璃制造胚件，其具一预定之氟含量，以应用于极紫外线平版印刷，使其热膨胀系数在操作温度下尽可能稳定为零。掺钛硅玻璃胚件之热膨胀系数走势，系由许多影响因素决定。除去绝对钛含量之外，钛之分布亦有极大意义，其他掺杂元素之含量及分布亦然，例如氟。本发明系提出一种方法，其系包含一合成制程，由该制程产生掺氟之TiO2-SiO2煤灰粒子，再经由固化及玻璃化加工成为胚件，其特征为，其合成进程包含一方法步骤，利用火焰水解法将含硅和钛之起始物质形成TiO2-SiO2煤灰粒子，并于后续方法步骤中，将TiO2-SiO2煤灰粒子置于一活动粉末床中，使其暴露于含氟之反应剂而转变成掺氟之TiO2-SiO2煤灰粒子。

2. 发明专利

TWI600623B 極紫外線平版印刷所用之摻鈦石英玻璃之製造方法及所製成之胚件有权
简体标题：极紫外线平版印刷所用之掺钛石英玻璃之制造方法及所制成之胚件
公开(公告)号：TWI600623B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW103126324
申请日：2014-08-01
申请人：何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
发明人：歐克斯史帝芬 , OCHS, STEFAN , 貝克克勞斯 , BECKER, KLAUS , 湯瑪士史帝芬 , THOMAS, STEPHAN
IPC分类号： C03B19/01
CPC分类号： C03B19/1461 , C03B19/1453 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2201/23 , C03B2201/42 , C03C3/00 , C03C3/06 , C03C4/0085 , C03C2201/12 , C03C2201/23 , C03C2201/42 , C03C2203/46 , C03C2203/52 , C03C2204/00 , G03F1/52 , G03F1/60

3. 发明专利

TW201509838A 極紫外線平版印刷所用之摻鈦石英玻璃之製造方法及所製成之胚件审中-公开
简体标题：极紫外线平版印刷所用之掺钛石英玻璃之制造方法及所制成之胚件
公开(公告)号：TW201509838A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103126324
申请日：2014-08-01
申请人：何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
发明人：歐克斯史帝芬 , OCHS, STEFAN , 貝克克勞斯 , BECKER, KLAUS , 湯瑪士史帝芬 , THOMAS, STEPHAN
IPC分类号： C03B19/01
CPC分类号： C03B19/1461 , C03B19/1453 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2201/23 , C03B2201/42 , C03C3/00 , C03C3/06 , C03C4/0085 , C03C2201/12 , C03C2201/23 , C03C2201/42 , C03C2203/46 , C03C2203/52 , C03C2204/00 , G03F1/52 , G03F1/60
摘要：摻鈦矽玻璃所含之Ti3+離子會使該玻璃染成褐色，造成玻璃檢驗之困難。在摻鈦矽玻璃中，還原Ti3+離子以增加Ti4+離子，可透過一足夠高之OH基成分安全達成，然其係伴隨一內部之氧化以及氫氣之逸出，抑或在較低OH基成分下於玻璃化之前進行氧處理，然其需要高溫處理以及特殊耐腐蝕烤箱，因此亦極為昂貴。為提出一種摻鈦矽玻璃之便宜製造方法，其係於氫氧基含量小於百萬分之120時，在400nm至1000nm之波長範圍內有一至少為70%之內穿透率(樣品厚度10mm)，依據本發明，其係以火焰水解之煤灰體沈積法為起點，在TiO2-SiO2煤灰體玻璃化之前先進行調節處理，而其係包含一使用氮氧化物之處理。如此製成之摻鈦矽玻璃胚件，特徵為具有Ti3+/Ti4+≦5×10-4之比例。
简体摘要：掺钛硅玻璃所含之Ti3+离子会使该玻璃染成褐色，造成玻璃检验之困难。在掺钛硅玻璃中，还原Ti3+离子以增加Ti4+离子，可透过一足够高之OH基成分安全达成，然其系伴随一内部之氧化以及氢气之逸出，抑或在较低OH基成分下于玻璃化之前进行氧处理，然其需要高温处理以及特殊耐腐蚀烤箱，因此亦极为昂贵。为提出一种掺钛硅玻璃之便宜制造方法，其系于氢氧基含量小于百万分之120时，在400nm至1000nm之波长范围内有一至少为70%之内穿透率(样品厚度10mm)，依据本发明，其系以火焰水解之煤灰体沉积法为起点，在TiO2-SiO2煤灰体玻璃化之前雪铁龙行调节处理，而其系包含一使用氮氧化物之处理。如此制成之掺钛硅玻璃胚件，特征为具有Ti3+/Ti4+≦5×10-4之比例。

4. 发明专利

TWI572568B 摻鈦和氟之高矽酸含量玻璃胚件之製造方法有权
简体标题：掺钛和氟之高硅酸含量玻璃胚件之制造方法
公开(公告)号：TWI572568B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW103136400
申请日：2014-10-22
申请人：何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
发明人：歐克斯史帝芬 , OCHS, STEFAN , 貝克克勞斯 , BECKER, KLAUS
IPC分类号： C03B19/06 , C03B19/14 , C03B20/00 , C03C3/06 , G02B1/00 , G02B5/08 , G02B27/18 , B41N1/12 , G03F1/24
CPC分类号： C03B19/1461 , C03B19/066 , C03B19/106 , C03B19/1095 , C03B19/14 , C03B2201/12 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C4/0085 , C03C2201/12 , C03C2201/42 , C03C2203/40 , C03C2203/54 , C03C2204/00 , G03F1/24

5. 发明专利

TWI583640B 用於ＥＵＶ微影製程中之鏡面基材的鈦摻雜矽石玻璃坯料及其製造方法有权
简体标题：用于ＥＵＶ微影制程中之镜面基材的钛掺杂硅石玻璃坯料及其制造方法
公开(公告)号：TWI583640B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW104119887
申请日：2015-06-18
申请人：何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
发明人：貝克克勞斯 , BECKER, KLAUS , 歐克斯史帝芬 , OCHS, STEFAN , 湯瑪士史蒂分 , THOMAS, STEPHAN
IPC分类号： C03B20/00 , G02B1/00
CPC分类号： C03B23/04 , C03B19/066 , C03B19/1453 , C03B19/1469 , C03B2201/06 , C03B2201/075 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C2201/42 , C03C2203/10 , C03C2203/50 , G03F1/24 , G03F7/70316 , G03F7/7095

6. 发明专利

TW201602022A 用於ＥＵＶ微影製程中之鏡面基材的鈦摻雜矽石玻璃坯料及其製造方法审中-公开
简体标题：用于ＥＵＶ微影制程中之镜面基材的钛掺杂硅石玻璃坯料及其制造方法
公开(公告)号：TW201602022A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104119887
申请日：2015-06-18
申请人：何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
发明人：貝克克勞斯 , BECKER, KLAUS , 歐克斯史帝芬 , OCHS, STEFAN , 湯瑪士史蒂分 , THOMAS, STEPHAN
IPC分类号： C03B20/00 , G02B1/00
CPC分类号： C03B23/04 , C03B19/066 , C03B19/1453 , C03B19/1469 , C03B2201/06 , C03B2201/075 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C2201/42 , C03C2203/10 , C03C2203/50 , G03F1/24 , G03F7/70316 , G03F7/7095
摘要：在用於EUV微影製程中之鏡面基材的鈦摻雜矽石玻璃坯料中，通常界定光學使用區域CA。在CA內，熱膨脹係數CTE具有於該坯料之厚度上平均化之二維dCTE分佈剖面，在此情況下，最大不均勻性dCTEmax(定義為CTE最大值與CTE最小值之差值)係小於5ppb/K。已知藉由個別調適之位置相關性調整二氧化鈦濃度之方式避免高CTE不均勻性值。相對高絕對CTE不均勻性值係僅於使用期間出現之輻射剖面顯示圓形對稱時可接受。自此開始，為提供經設計並適合與具有非圓形輻射剖面共同使用亦無需個別調適之位置相關性調整二氧化鈦濃度之鈦摻雜矽石玻璃坯料，本發明提出dCTEmax係至少0.5ppb/K，及CA形成具有該區域之質心之非圓形區域，其中該dCTE分佈剖面係非旋轉對稱並界定於CA上使得標準化至單位長度並延伸通過該區域之該質心之直剖面區段(straight profile sections)產生形成具有小於0.5 x dCTEmax之帶寬之曲線帶的dCTE曲線族。
简体摘要：在用于EUV微影制程中之镜面基材的钛掺杂硅石玻璃坯料中，通常界定光学使用区域CA。在CA内，热膨胀系数CTE具有于该坯料之厚度上平均化之二维dCTE分布剖面，在此情况下，最大不均匀性dCTEmax(定义为CTE最大值与CTE最小值之差值)系小于5ppb/K。已知借由个别调适之位置相关性调整二氧化钛浓度之方式避免高CTE不均匀性值。相对高绝对CTE不均匀性值系仅于使用期间出现之辐射剖面显示圆形对称时可接受。自此开始，为提供经设计并适合与具有非圆形辐射剖面共同使用亦无需个别调适之位置相关性调整二氧化钛浓度之钛掺杂硅石玻璃坯料，本发明提出dCTEmax系至少0.5ppb/K，及CA形成具有该区域之质心之非圆形区域，其中该dCTE分布剖面系非旋转对称并界定于CA上使得标准化至单位长度并延伸通过该区域之该质心之直剖面区段(straight profile sections)产生形成具有小于0.5 x dCTEmax之带宽之曲线带的dCTE曲线族。

7. 发明专利

TWI651277B 製造用於ＥＵＶ微影術之高矽酸含量的氟與鈦摻雜玻璃底板的方法及由該方法製造之底板有权
简体标题：制造用于ＥＵＶ微影术之高硅酸含量的氟与钛掺杂玻璃底板的方法及由该方法制造之底板
公开(公告)号：TWI651277B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW104129797
申请日：2015-09-09
申请人：日商信越石英股份有限公司 , SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD. , 德商赫里斯果斯克來斯有限兩合公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
发明人：歐克斯史帝芬 , OCHS, STEFAN , 貝克克勞斯 , BECKER, KLAUS
IPC分类号： C03B19/14 , C03B8/04 , C03C3/06 , C03C4/00 , H01L23/15 , G03F1/22

8. 发明专利

TW201625493A 製造用於ＥＵＶ微影術之高矽酸含量的氟與鈦摻雜玻璃底板的方法及由該方法製造之底板审中-公开
简体标题：制造用于ＥＵＶ微影术之高硅酸含量的氟与钛掺杂玻璃底板的方法及由该方法制造之底板
公开(公告)号：TW201625493A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104129797
申请日：2015-09-09
申请人：信越石英股份有限公司 , SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD. , 赫里斯果斯克來斯有限兩合公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
发明人：歐克斯史帝芬 , OCHS, STEFAN , 貝克克勞斯 , BECKER, KLAUS
IPC分类号： C03B19/14 , C03B8/04 , C03C3/06 , C03C4/00 , H01L23/15 , G03F1/22
CPC分类号： G03F1/22 , C03B19/06 , C03B19/14 , C03B19/1453 , C03B19/1461 , C03B32/00 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2201/23 , C03B2201/42 , C03C3/04 , C03C3/06 , C03C21/007 , C03C23/00 , C03C23/007 , C03C2201/12 , C03C2201/23 , C03C2201/42 , C03C2203/40 , C03C2203/54 , G03F1/24 , G03F1/60 , G03F7/00
摘要：本發明係關於一種製造用於EUV微影術之經鈦與氟共摻雜的矽石玻璃底板之方法，該玻璃底板在樣本厚度為10mm下，於400nm至700nm之波長範圍的內透射為至少60%，鈦係以Ti3+及Ti4+之氧化形式存在，該方法包括下列步驟：(a)利用含矽及含鈦之前驅物質的火焰水解(flame hydrolysis)製造TiO2-SiO2煙灰體，(b)將該煙灰體氟化以形成氟摻雜之TiO2-SiO2煙灰體，(c)在含水蒸氣之氣氛中處理該氟摻雜之TiO2-SiO2煙灰體以形成經調理之煙灰體，及(d)將該經調理之煙灰體玻璃化以形成平均OH含量在 10至100wt.ppm之範圍，且平均氟含量在2,500至10,000wt.ppm之範圍的鈦摻雜矽石玻璃之底板。而且在還原氣氛於該底板上作用之後，藉由水蒸氣處理所引入之OH基團顯示在用作Ti3+離子內氧化成Ti4+離子之貯藏所方面的延長作用期間，因此Ti3+/Ti4+之比可調整至2×10-4之值。
简体摘要：本发明系关于一种制造用于EUV微影术之经钛与氟共掺杂的硅石玻璃底板之方法，该玻璃底板在样本厚度为10mm下，于400nm至700nm之波长范围的内透射为至少60%，钛系以Ti3+及Ti4+之氧化形式存在，该方法包括下列步骤：(a)利用含硅及含钛之前驱物质的火焰水解(flame hydrolysis)制造TiO2-SiO2烟灰体，(b)将该烟灰体氟化以形成氟掺杂之TiO2-SiO2烟灰体，(c)在含水蒸气之气氛中处理该氟掺杂之TiO2-SiO2烟灰体以形成经调理之烟灰体，及(d)将该经调理之烟灰体玻璃化以形成平均OH含量在 10至100wt.ppm之范围，且平均氟含量在2,500至10,000wt.ppm之范围的钛掺杂硅石玻璃之底板。而且在还原气氛于该底板上作用之后，借由水蒸气处理所引入之OH基团显示在用作Ti3+离子内氧化成Ti4+离子之贮藏所方面的延长作用期间，因此Ti3+/Ti4+之比可调整至2×10-4之值。

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