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1. 发明专利

TWI505999B 用於製造經鈦摻雜之合成石英玻璃之方法有权
简体标题：用于制造经钛掺杂之合成石英玻璃之方法
公开(公告)号：TWI505999B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW103104470
申请日：2014-02-11
申请人：何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
发明人：法畢安漢斯 , FABIAN, HEINZ , 湯瑪士史蒂分 , THOMAS, STEPHAN
IPC分类号： C03B20/00 , C03C3/06
CPC分类号： C03B19/1415 , C03B19/14 , C03B2201/12 , C03B2201/42 , C03B2207/32 , C03B2207/34 , C03C3/06 , C03C2201/42 , C03C2203/40

2. 发明专利

TW201520697A 於ＥＵＶ輻射時未顯膨脹之用於ＥＵＶ微影的鏡胚料审中-公开
简体标题：于ＥＵＶ辐射时未显膨胀之用于ＥＵＶ微影的镜胚料
公开(公告)号：TW201520697A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103131648
申请日：2014-09-12
申请人：何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
发明人：貝克克勞斯 , BECKER, KLAUS , 湯瑪士史蒂分 , THOMAS, STEPHAN
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70958 , C03B19/1415 , C03B19/1453 , C03B32/00 , C03B2201/12 , C03B2201/23 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C2201/42 , G02B5/0891 , G02B7/008
摘要：本發明係關於一種用於EUV鏡之基板，其包含脫離統計分佈之零交叉溫度剖面。本發明亦關於一種產生用於EUV鏡之基板之方法且關於其用途，藉此使該基板中之該零交叉溫度剖面適於該鏡之操作溫度，以及關於使用該基板之微影方法。
简体摘要：本发明系关于一种用于EUV镜之基板，其包含脱离统计分布之零交叉温度剖面。本发明亦关于一种产生用于EUV镜之基板之方法且关于其用途，借此使该基板中之该零交叉温度剖面适于该镜之操作温度，以及关于使用该基板之微影方法。

3. 发明专利

TWI583640B 用於ＥＵＶ微影製程中之鏡面基材的鈦摻雜矽石玻璃坯料及其製造方法有权
简体标题：用于ＥＵＶ微影制程中之镜面基材的钛掺杂硅石玻璃坯料及其制造方法
公开(公告)号：TWI583640B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW104119887
申请日：2015-06-18
申请人：何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
发明人：貝克克勞斯 , BECKER, KLAUS , 歐克斯史帝芬 , OCHS, STEFAN , 湯瑪士史蒂分 , THOMAS, STEPHAN
IPC分类号： C03B20/00 , G02B1/00
CPC分类号： C03B23/04 , C03B19/066 , C03B19/1453 , C03B19/1469 , C03B2201/06 , C03B2201/075 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C2201/42 , C03C2203/10 , C03C2203/50 , G03F1/24 , G03F7/70316 , G03F7/7095

4. 发明专利

TWI563346B 用於ＥＵＶ鏡之基板、產生用於EUV鏡之基板之方法、該基板之用途及微影方法有权
简体标题：用于ＥＵＶ镜之基板、产生用于EUV镜之基板之方法、该基板之用途及微影方法
公开(公告)号：TWI563346B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW103131648
申请日：2014-09-12
申请人：何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
发明人：貝克克勞斯 , BECKER, KLAUS , 湯瑪士史蒂分 , THOMAS, STEPHAN
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70958 , C03B19/1415 , C03B19/1453 , C03B32/00 , C03B2201/12 , C03B2201/23 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C2201/42 , G02B5/0891 , G02B7/008

5. 发明专利

TW201602022A 用於ＥＵＶ微影製程中之鏡面基材的鈦摻雜矽石玻璃坯料及其製造方法审中-公开
简体标题：用于ＥＵＶ微影制程中之镜面基材的钛掺杂硅石玻璃坯料及其制造方法
公开(公告)号：TW201602022A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104119887
申请日：2015-06-18
申请人：何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
发明人：貝克克勞斯 , BECKER, KLAUS , 歐克斯史帝芬 , OCHS, STEFAN , 湯瑪士史蒂分 , THOMAS, STEPHAN
IPC分类号： C03B20/00 , G02B1/00
CPC分类号： C03B23/04 , C03B19/066 , C03B19/1453 , C03B19/1469 , C03B2201/06 , C03B2201/075 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C2201/42 , C03C2203/10 , C03C2203/50 , G03F1/24 , G03F7/70316 , G03F7/7095
摘要：在用於EUV微影製程中之鏡面基材的鈦摻雜矽石玻璃坯料中，通常界定光學使用區域CA。在CA內，熱膨脹係數CTE具有於該坯料之厚度上平均化之二維dCTE分佈剖面，在此情況下，最大不均勻性dCTEmax(定義為CTE最大值與CTE最小值之差值)係小於5ppb/K。已知藉由個別調適之位置相關性調整二氧化鈦濃度之方式避免高CTE不均勻性值。相對高絕對CTE不均勻性值係僅於使用期間出現之輻射剖面顯示圓形對稱時可接受。自此開始，為提供經設計並適合與具有非圓形輻射剖面共同使用亦無需個別調適之位置相關性調整二氧化鈦濃度之鈦摻雜矽石玻璃坯料，本發明提出dCTEmax係至少0.5ppb/K，及CA形成具有該區域之質心之非圓形區域，其中該dCTE分佈剖面係非旋轉對稱並界定於CA上使得標準化至單位長度並延伸通過該區域之該質心之直剖面區段(straight profile sections)產生形成具有小於0.5 x dCTEmax之帶寬之曲線帶的dCTE曲線族。
简体摘要：在用于EUV微影制程中之镜面基材的钛掺杂硅石玻璃坯料中，通常界定光学使用区域CA。在CA内，热膨胀系数CTE具有于该坯料之厚度上平均化之二维dCTE分布剖面，在此情况下，最大不均匀性dCTEmax(定义为CTE最大值与CTE最小值之差值)系小于5ppb/K。已知借由个别调适之位置相关性调整二氧化钛浓度之方式避免高CTE不均匀性值。相对高绝对CTE不均匀性值系仅于使用期间出现之辐射剖面显示圆形对称时可接受。自此开始，为提供经设计并适合与具有非圆形辐射剖面共同使用亦无需个别调适之位置相关性调整二氧化钛浓度之钛掺杂硅石玻璃坯料，本发明提出dCTEmax系至少0.5ppb/K，及CA形成具有该区域之质心之非圆形区域，其中该dCTE分布剖面系非旋转对称并界定于CA上使得标准化至单位长度并延伸通过该区域之该质心之直剖面区段(straight profile sections)产生形成具有小于0.5 x dCTEmax之带宽之曲线带的dCTE曲线族。

6. 发明专利

TW201437156A 用於製造經鈦摻雜之合成石英玻璃之方法审中-公开
简体标题：用于制造经钛掺杂之合成石英玻璃之方法
公开(公告)号：TW201437156A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103104470
申请日：2014-02-11
申请人：何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
发明人：法畢安漢斯 , FABIAN, HEINZ , 湯瑪士史蒂分 , THOMAS, STEPHAN
IPC分类号： C03B20/00 , C03C3/06
CPC分类号： C03B19/1415 , C03B19/14 , C03B2201/12 , C03B2201/42 , C03B2207/32 , C03B2207/34 , C03C3/06 , C03C2201/42 , C03C2203/40
摘要：本發明係關於一種用於製造經鈦摻雜之合成石英玻璃之已知方法，其包含以下程序步驟：(A)提供液體SiO2原料材料(105)，其包含大於60重量%聚烷基矽氧烷D4；(B)蒸發該液體SiO2原料材料(105)以產生氣態SiO2原料蒸氣(107)；(C)蒸發液體TiO2原料材料(205)以產生氣態TiO2原料蒸氣(207)；(D)將該SiO2原料蒸氣(107)及該TiO2原料蒸氣分別轉化成SiO2粒子及TiO2粒子；(E)將該等SiO2粒子及該等TiO2粒子沈積於沈積表面(160)上，同時形成經鈦摻雜之SiO2灰體(200)；(F)使該經鈦摻雜之SiO2灰體玻璃化，同時形成該合成石英玻璃，由此該合成石英玻璃之TiO2濃度係在5重量%與11重量%之間。根據本發明之範疇，該液體SiO2原料材料(105)包含至少一種由重量分率為mD3之聚烷基矽氧烷D3製成之其他組份及一種由重量分率為mD5之聚烷基矽氧烷D5製成之其他組份(mD3/mD5之重量比在0.01至1範圍內)，且蒸發所提供之該液體SiO2原料材料(105)同時保持mD3/mD5之重量比，且使其至少99重量%蒸發以形成該氣態SiO2原料蒸氣(107)。
简体摘要：本发明系关于一种用于制造经钛掺杂之合成石英玻璃之已知方法，其包含以下进程步骤：(A)提供液体SiO2原料材料(105)，其包含大于60重量%聚烷基硅氧烷D4；(B)蒸发该液体SiO2原料材料(105)以产生气态SiO2原料蒸气(107)；(C)蒸发液体TiO2原料材料(205)以产生气态TiO2原料蒸气(207)；(D)将该SiO2原料蒸气(107)及该TiO2原料蒸气分别转化成SiO2粒子及TiO2粒子；(E)将该等SiO2粒子及该等TiO2粒子沉积于沉积表面(160)上，同时形成经钛掺杂之SiO2灰体(200)；(F)使该经钛掺杂之SiO2灰体玻璃化，同时形成该合成石英玻璃，由此该合成石英玻璃之TiO2浓度系在5重量%与11重量%之间。根据本发明之范畴，该液体SiO2原料材料(105)包含至少一种由重量分率为mD3之聚烷基硅氧烷D3制成之其他组份及一种由重量分率为mD5之聚烷基硅氧烷D5制成之其他组份(mD3/mD5之重量比在0.01至1范围内)，且蒸发所提供之该液体SiO2原料材料(105)同时保持mD3/mD5之重量比，且使其至少99重量%蒸发以形成该气态SiO2原料蒸气(107)。

7. 发明专利

TW202021916A 均勻化玻璃之方法审中-公开
简体标题：均匀化玻璃之方法
公开(公告)号：TW202021916A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108136604
申请日：2019-10-09
申请人：德商賀利氏石英玻璃有限兩合公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
发明人：湯瑪士史蒂分 , THOMAS, STEPHAN , 維卓珍 , VYDRA, JAN , 特羅默爾馬汀 , TROMMER, MARTIN , 胡乃曼麥可 , HUNERMANN, MICHAEL , 藍納安德斯 , LANGNER, ANDREAS , 萊曼瓦特 , LEHMANN, WALTER , 漢斯特史蒂芬 , HENGSTER, STEFAN , 貝克克勞斯 , BECKER, KLAUS
IPC分类号： C03B23/06 , C03B23/04
摘要：已知均勻化玻璃之方法包含以下方法步驟：提供由玻璃構成之圓柱形坯料，該圓柱形坯料具有沿著該坯料之縱向軸線在第一端面與第二端面之間延伸之圓柱形外表面；藉由使該坯料在縱向方向上之一區域軟化且對其進行熱機械互混處理，在該坯料中形成剪切區；以及使該剪切區沿該坯料之該縱向軸線移位。為了能在該剪切區內以最低可能時間及能量輸入進行除了切向混合以外之徑向混合，自此方法開始提出使該坯料之圓柱形部分在兩側鄰近於該剪切區，第一圓柱形部分具有第一中心軸線且第二圓柱形部分具有第二中心軸線，該第一中心軸線與該第二中心軸線至少暫時地彼此不共軸。
简体摘要：已知均匀化玻璃之方法包含以下方法步骤：提供由玻璃构成之圆柱形坯料，该圆柱形坯料具有沿着该坯料之纵向轴线在第一端面与第二端面之间延伸之圆柱形外表面；借由使该坯料在纵向方向上之一区域软化且对其进行热机械互混处理，在该坯料中形成剪切区；以及使该剪切区沿该坯料之该纵向轴线移位。为了能在该剪切区内以最低可能时间及能量输入进行除了切向混合以外之径向混合，自此方法开始提出使该坯料之圆柱形部分在两侧邻近于该剪切区，第一圆柱形部分具有第一中心轴线且第二圆柱形部分具有第二中心轴线，该第一中心轴线与该第二中心轴线至少暂时地彼此不共轴。

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