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1. 发明专利

TW201735100A 底層基板及ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導體貼合基板审中-公开
简体标题：底层基板及ＩＩＩ－Ｖ族化合物半导体贴合基板
公开(公告)号：TW201735100A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105136478
申请日：2016-11-09
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：下司慶一郎 , GESHI, KEIICHIRO , 中山茂 , NAKAYAMA, SHIGERU , 吉村雅司 , YOSHIMURA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02
摘要：一種底層基板，其係將III-V族化合物半導體層與底層基板貼合而成之III-V族化合物半導體貼合基板用之底層基板，底層基板包含氧化物系燒結體，底層基板之平均線熱膨脹係數與III-V族化合物半導體層之平均線熱膨脹係數，係底層基板之於30℃至300℃之平均線熱膨脹係數α1與III-V族化合物半導體層之於30℃至300℃之平均線熱膨脹係數α2顯示下述式(1)之關係：0.95≦α1/α2≦1.05(1)，或底層基板之於30℃至1000℃之平均線熱膨脹係數α3與III-V族化合物半導體層之於30℃至1000℃之平均線熱膨脹係數α4顯示下述式(2)之關係：0.95≦α3/α4≦1.05(2)，底層基板之楊氏模數E1與III-V族化合物半導體層之楊氏模數E2顯示下述式(3)之關係：E1/E2≧1.00(3)。
简体摘要：一种底层基板，其系将III-V族化合物半导体层与底层基板贴合而成之III-V族化合物半导体贴合基板用之底层基板，底层基板包含氧化物系烧结体，底层基板之平均线热膨胀系数与III-V族化合物半导体层之平均线热膨胀系数，系底层基板之于30℃至300℃之平均线热膨胀系数α1与III-V族化合物半导体层之于30℃至300℃之平均线热膨胀系数α2显示下述式(1)之关系：0.95≦α1/α2≦1.05(1)，或底层基板之于30℃至1000℃之平均线热膨胀系数α3与III-V族化合物半导体层之于30℃至1000℃之平均线热膨胀系数α4显示下述式(2)之关系：0.95≦α3/α4≦1.05(2)，底层基板之杨氏模数E1与III-V族化合物半导体层之杨氏模数E2显示下述式(3)之关系：E1/E2≧1.00(3)。

2. 发明专利

TW201802310A 多晶陶瓷基板、附加有接合層的多晶陶瓷基板及積層基板审中-公开
简体标题：多晶陶瓷基板、附加有接合层的多晶陶瓷基板及积层基板
公开(公告)号：TW201802310A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106111765
申请日：2017-04-07
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：下司慶一郎 , GESHI, KEIICHIRO , 中山茂 , NAKAYAMA, SHIGERU , 吉村雅司 , YOSHIMURA, MASASHI
IPC分类号： C30B33/06 , C04B37/00 , H01L21/02
CPC分类号： C04B37/00 , C30B33/06 , H01L21/02
摘要：透過接合層接合於化合物半導體基板的多晶陶瓷基板中，將30℃~300℃中的多晶陶瓷基板之線性膨脹係數設為α1，化合物半導體基板之線性膨脹係數設為α2，將30℃~1000℃中的多晶陶瓷基板之線性膨脹係數設為α3，化合物半導體基板之線性膨脹係數設為α4之情況下，成立以下關係式(1)及關係式(2)之中至少之一方0.7
简体摘要：透过接合层接合于化合物半导体基板的多晶陶瓷基板中，将30℃~300℃中的多晶陶瓷基板之线性膨胀系数设为α1，化合物半导体基板之线性膨胀系数设为α2，将30℃~1000℃中的多晶陶瓷基板之线性膨胀系数设为α3，化合物半导体基板之线性膨胀系数设为α4之情况下，成立以下关系式(1)及关系式(2)之中至少之一方0.7<α1/α2<0.9．．．(1) 0.7<α3/α4<0.9．．．(2)。

3. 发明专利

TW201305371A 導電性氧化物及其製造方法與氧化物半導體膜审中-公开
简体标题：导电性氧化物及其制造方法与氧化物半导体膜
公开(公告)号：TW201305371A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101121654
申请日：2012-06-15
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：宮永美紀 , MIYANAGA, MIKI , 曾我部浩一 , SOGABE, KOICHI , 粟田英章 , AWATA, HIDEAKI , 岡田浩 , OKADA, HIROSHI , 吉村雅司 , YOSHIMURA, MASASHI
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C01G9/00 , C01G15/00 , C04B35/44 , C04B35/443 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/5409 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要：本發明之導電性氧化物係含有In、Al、選自由Zn及Mg所組成之群中之至少1種元素M、及O，且含有晶質Al2MO4。本發明之導電性氧化物之製造方法係包含如下步驟：當將選自由Zn及Mg所組成之群中之至少1種元素設為M時，製備含有Al2O3粉末與MO粉末之第1混合物之步驟(S10)；藉由鍛燒第1混合物而製作晶質Al2MO4粉末之步驟(S20)；製備含有晶質Al2MO4粉末與In2O3粉末之第2混合物之步驟(S30)；藉由將第2混合物成形而獲得成形體之步驟(S40)；及對成形體進行燒結之步驟(S50)。藉此，可提供一種價格低廉且可較佳地用於濺鍍之靶而獲得高物性之氧化物半導體膜的導電性氧化物及其製造方法與氧化物半導體膜。
简体摘要：本发明之导电性氧化物系含有In、Al、选自由Zn及Mg所组成之群中之至少1种元素M、及O，且含有晶质Al2MO4。本发明之导电性氧化物之制造方法系包含如下步骤：当将选自由Zn及Mg所组成之群中之至少1种元素设为M时，制备含有Al2O3粉末与MO粉末之第1混合物之步骤(S10)；借由锻烧第1混合物而制作晶质Al2MO4粉末之步骤(S20)；制备含有晶质Al2MO4粉末与In2O3粉末之第2混合物之步骤(S30)；借由将第2混合物成形而获得成形体之步骤(S40)；及对成形体进行烧结之步骤(S50)。借此，可提供一种价格低廉且可较佳地用于溅镀之靶而获得高物性之氧化物半导体膜的导电性氧化物及其制造方法与氧化物半导体膜。

4. 发明专利

TW201621417A 液晶保護板及液晶保護板之製造方法审中-公开
简体标题：液晶保护板及液晶保护板之制造方法
公开(公告)号：TW201621417A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104129937
申请日：2015-09-10
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：下司慶一郎 , GESHI, KEIICHIRO , 中山茂 , NAKAYAMA, SHIGERU , 吉村雅司 , YOSHIMURA, MASASHI
IPC分类号： G02F1/1333 , C04B35/443
CPC分类号： C04B35/443 , G02F1/1333
摘要：提供一種一方面具有優異的強度、一方面抑制製造成本，且具有包含曲面的形狀之液晶保護板及該液晶保護板之製造方法。一種用尖晶石燒結體所形成的液晶保護板，其特徵為：前述尖晶石燒結體，其平均粒徑為10μm以上100μm以下，前述液晶保護板，具有包含曲面的形狀。
简体摘要：提供一种一方面具有优异的强度、一方面抑制制造成本，且具有包含曲面的形状之液晶保护板及该液晶保护板之制造方法。一种用尖晶石烧结体所形成的液晶保护板，其特征为：前述尖晶石烧结体，其平均粒径为10μm以上100μm以下，前述液晶保护板，具有包含曲面的形状。

6. 发明专利

TW201316377A ＧａＮ系膜之製造方法及使用於其之複合基板审中-公开
简体标题：ＧａＮ系膜之制造方法及使用于其之复合基板
公开(公告)号：TW201316377A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101105699
申请日：2012-02-21
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：佐藤一成 , SATOH, ISSEI , 關裕紀 , SEKI, YUKI , 上松康二 , UEMATSU, KOJI , 山本喜之 , YAMAMOTO, YOSHIYUKI , 松原秀樹 , MATSUBARA, HIDEKI , 藤原伸介 , FUJIWARA, SHINSUKE , 吉村雅司 , YOSHIMURA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/08 , H01L21/18 , C30B29/38 , C30B29/40
CPC分类号： H01L21/0254 , C03C10/0018 , C04B35/106 , C04B35/16 , C04B35/185 , C04B35/481 , C04B35/486 , C04B35/488 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3246 , C04B2235/3463 , C04B2235/9607 , C30B23/025 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L21/02002 , H01L21/02422 , H01L21/02436 , H01L21/02458 , H01L21/02658 , H01L21/02664
摘要：本GaN系膜之製造方法包含以下步驟：準備複合基板(10)，該複合基板(10)包含可溶解於氫氟酸之支撐基板(11)、及配置於支撐基板(11)之主面(11m)側之單晶膜(13)，支撐基板(11)之主面(11m)內之熱膨脹係數相較於GaN結晶之熱膨脹係數為大於0.8倍且小於1.2倍；在配置於支撐基板(11)之主面(11m)側之單晶膜(13)之主面(13m)上成膜GaN系膜(20)；及藉由溶解於氫氟酸中而去除支撐基板(11)。由此，提供一種可效率良好地獲得主面之面積較大、翹曲較小且結晶性良好之GaN系膜的GaN系膜之製造方法及使用於其之複合基板。
简体摘要：本GaN系膜之制造方法包含以下步骤：准备复合基板(10)，该复合基板(10)包含可溶解于氢氟酸之支撑基板(11)、及配置于支撑基板(11)之主面(11m)侧之单晶膜(13)，支撑基板(11)之主面(11m)内之热膨胀系数相较于GaN结晶之热膨胀系数为大于0.8倍且小于1.2倍；在配置于支撑基板(11)之主面(11m)侧之单晶膜(13)之主面(13m)上成膜GaN系膜(20)；及借由溶解于氢氟酸中而去除支撑基板(11)。由此，提供一种可效率良好地获得主面之面积较大、翘曲较小且结晶性良好之GaN系膜的GaN系膜之制造方法及使用于其之复合基板。

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