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1. 发明专利

TW201615597A 陶瓷粉體與其形成方法及雷射燒結成型方法审中-公开
简体标题：陶瓷粉体与其形成方法及激光烧结成型方法
公开(公告)号：TW201615597A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104133651
申请日：2015-10-14
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：吳禹函 , WU, YU HAN , 邱國創 , CHIU, KUO CHUANG
IPC分类号： C04B35/106 , C04B35/64
CPC分类号： C04B35/62655 , C04B35/117 , C04B35/488 , C04B35/62807 , C04B35/62892 , C04B35/63416 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3246 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/665 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963
摘要：本揭露提供陶瓷粉體的形成方法，包括：將第一陶瓷粒子、黏結劑、與水混合後之漿料噴霧乾燥，形成第一陶瓷之核心，並熱處理定型第一陶瓷之核心。第一陶瓷之抗折強度介於350MPa至700MPa之間，且第一陶瓷之熱膨脹係數介於7.0×10-6/℃至11.0×10-6/℃之間。混合該第一陶瓷之核心、第二陶瓷之多個粒子、黏結劑、與水後形成漿料；噴霧乾燥漿料，使第二陶瓷之粒子形成第二陶瓷之殼層包覆第一陶瓷之核心，其中第二陶瓷之抗折強度介於50MPa至350MPa之間，且該第二陶瓷之熱膨脹係數介於-1.0×10-6/℃至3.0×10-6/℃之間；以及熱定型處理該第一陶瓷之核心與該第二陶瓷之殼層，以形成陶瓷粉體。上述陶瓷粉體可用於雷射燒結成型方法。
简体摘要：本揭露提供陶瓷粉体的形成方法，包括：将第一陶瓷粒子、黏结剂、与水混合后之浆料喷雾干燥，形成第一陶瓷之内核，并热处理定型第一陶瓷之内核。第一陶瓷之抗折强度介于350MPa至700MPa之间，且第一陶瓷之热膨胀系数介于7.0×10-6/℃至11.0×10-6/℃之间。混合该第一陶瓷之内核、第二陶瓷之多个粒子、黏结剂、与水后形成浆料；喷雾干燥浆料，使第二陶瓷之粒子形成第二陶瓷之壳层包覆第一陶瓷之内核，其中第二陶瓷之抗折强度介于50MPa至350MPa之间，且该第二陶瓷之热膨胀系数介于-1.0×10-6/℃至3.0×10-6/℃之间；以及热定型处理该第一陶瓷之内核与该第二陶瓷之壳层，以形成陶瓷粉体。上述陶瓷粉体可用于激光烧结成型方法。

2. 发明专利

TW201524936A 白色氧化鋯燒結體及其製造方法以及含有其的構件审中-公开
简体标题：白色氧化锆烧结体及其制造方法以及含有其的构件
公开(公告)号：TW201524936A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103142940
申请日：2014-12-10
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION
发明人：山下勲 , YAMASHITA, ISAO , 今井紘平 , IMAI, KOHEI , 山内正一 , YAMAUCHI, SHOICHI , 津久間孝次 , TSUKUMA, KOJI
IPC分类号： C04B35/48 , C04B35/64
CPC分类号： C04B35/6455 , C04B35/488 , C04B2235/3225 , C04B2235/3246 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/9661
摘要：現有的白色氧化鋯燒結體由於具有光透過性，因此若薄化，則會透視到基底等，色調存在問題。本發明藉由將氧化鋯粉末與微細的二氧化矽粉末混合並成形、燒結而獲得不透光的白色氧化鋯燒結體。藉由將燒結溫度設為1400℃以上，使方矽石相析出至二氧化矽中，提高二氧化矽的不均一性，藉此增加光散射。本發明的白色氧化鋯燒結體即便製成薄構件亦不透光，具有穩定的色調，設計性優異。因此，對於具有小型化傾向的電子機器等的外裝構件而言適宜，可賦予高設計性。
简体摘要：现有的白色氧化锆烧结体由于具有光透过性，因此若薄化，则会透视到基底等，色调存在问题。本发明借由将氧化锆粉末与微细的二氧化硅粉末混合并成形、烧结而获得不透光的白色氧化锆烧结体。借由将烧结温度设为1400℃以上，使方硅石相析出至二氧化硅中，提高二氧化硅的不均一性，借此增加光散射。本发明的白色氧化锆烧结体即便制成薄构件亦不透光，具有稳定的色调，设计性优异。因此，对于具有小型化倾向的电子机器等的外装构件而言适宜，可赋予高设计性。

3. 发明专利

TWI236681B 淡色靜電放電(ESD)安全陶瓷 LIGHT-COLORED ESD SAFE CERAMICS 有权
简体标题：淡色静电放电(ESD)安全陶瓷 LIGHT-COLORED ESD SAFE CERAMICS
公开(公告)号：TWI236681B
公开(公告)日：2005-07-21
申请号：TW093114528
申请日：2004-05-21
申请人：聖高拜陶器塑膠公司 SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.
发明人：馬修A 辛普森 SIMPSON, MATTHEW A.
IPC分类号： H01B
CPC分类号： C04B35/6455 , C04B35/117 , C04B35/119 , C04B35/488 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/597 , C04B35/64 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3246 , C04B2235/3284 , C04B2235/34 , C04B2235/3445 , C04B2235/3463 , C04B2235/3826 , C04B2235/3852 , C04B2235/445 , C04B2235/447 , C04B2235/658 , C04B2235/663 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96
摘要：本發明之態樣可見於一種具有一穩定氧化鋯基底、介於1×105及1×1012歐姆/平方間之表面電阻率及至少2體積％之散射材料之靜電耗散陶瓷元件。穩定氧化鋯之含量可在60至95重量％之間。本發明之另外態樣可見於一種具有穩定氧化鋯、電阻率調節劑及散射材料之靜電耗散陶瓷材料。穩定氧化鋯之含量可介於陶瓷材料之60及95重量％之間。電阻率調節劑之含量可介於5及30重量％之間。散射材料可包含至少2體積％之靜電耗散陶瓷材料。該元件可用於製造諸如硬碟驅動器等電子元件。
简体摘要：本发明之态样可见于一种具有一稳定氧化锆基底、介于1×105及1×1012欧姆/平方间之表面电阻率及至少2体积％之散射材料之静电耗散陶瓷组件。稳定氧化锆之含量可在60至95重量％之间。本发明之另外态样可见于一种具有稳定氧化锆、电阻率调节剂及散射材料之静电耗散陶瓷材料。稳定氧化锆之含量可介于陶瓷材料之60及95重量％之间。电阻率调节剂之含量可介于5及30重量％之间。散射材料可包含至少2体积％之静电耗散陶瓷材料。该组件可用于制造诸如硬盘驱动器等电子组件。

4. 发明专利

TW200305479A 用於製造滑塊之研磨載具 LAPPING CARRIER FOR USE IN FABRICATING SLIDERS 失效
简体标题：用于制造滑块之研磨载具 LAPPING CARRIER FOR USE IN FABRICATING SLIDERS
公开(公告)号：TW200305479A
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW092108806
申请日：2003-04-16
申请人：聖高拜陶器塑膠公司 SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.
发明人：里奧E 甘乃迪 LEO E. KENNEDY , 歐杭鄺 OH-HUN KWON , 馬修A 辛普森 MATTHEW A. SIMPSON , 史丹利C 史密斯 STANLEY C. SMITH
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B37/30 , B24B37/048 , C04B35/488
摘要：揭露一種用於加工一列磁阻元件的研磨載具。此研磨載具包括多數個可移動元件，該可移動元件終止在一外表面以形成一大致平坦的鑲覆面給一列磁阻元件使用。該研磨載具是由一陶瓷材料構成的。亦揭露一種研磨或加工一列磁組元件的方法。
简体摘要：揭露一种用于加工一列磁阻组件的研磨载具。此研磨载具包括多数个可移动组件，该可移动组件终止在一外表面以形成一大致平坦的镶覆面给一列磁阻组件使用。该研磨载具是由一陶瓷材料构成的。亦揭露一种研磨或加工一列磁组组件的方法。

5. 发明专利

TW436471B 陶瓷組合物失效
简体标题：陶瓷组合物
公开(公告)号：TW436471B
公开(公告)日：2001-05-28
申请号：TW086109521
申请日：1997-07-18
申请人：福士科國際公司 , 可蘭沙有限公司
发明人：吉卡辛 , 栗田住弘
IPC分类号： C04B
CPC分类号： C04B35/58078 , C04B35/013 , C04B35/117 , C04B35/488 , C04B35/583 , C04B35/63476 , C04B35/6348 , C04B35/63484 , C04B35/63496 , C04B35/66 , C04B2235/3217 , C04B2235/3244 , C04B2235/38 , C04B2235/3826 , C04B2235/386 , C04B2235/422
摘要：一種陶瓷組合物，其在鋼之處理或鑄造上特別有價值，例如作為襯料或用以製造被使用於連續鑄造上之噴嘴或套筒，其包含氮化硼、二硼化鋯及至少一種其他耐火材料之粒子之混合物，藉由有機黏合劑譬如樹脂或瀝青之分解所產生之碳結合在一起。該其他耐火材料可為例如耐火金屬、氧化物、碳化物、硼化物或氮化物。包含5-70重量%氮化硼、5-60重量%二硼化鋯及5-80重量%氧化鋯之含氧化鋯組合物，係特別適合用以形成至少是在使用時位於熔融鋼容器中之熔渣管線處之噴嘴部份。包含5-70重量%氮化硼、15-50重量%二硼化鋯及10-70重量%氧化鋁之含氧化鋁組合物，係特別適合用以形成噴嘴之內部，因其會抵抗氧化鋁積聚並防止噴嘴之阻塞。
简体摘要：一种陶瓷组合物，其在钢之处理或铸造上特别有价值，例如作为衬料或用以制造被使用于连续铸造上之喷嘴或套筒，其包含氮化硼、二硼化锆及至少一种其他耐火材料之粒子之混合物，借由有机黏合剂譬如树脂或沥青之分解所产生之碳结合在一起。该其他耐火材料可为例如耐火金属、氧化物、碳化物、硼化物或氮化物。包含5-70重量%氮化硼、5-60重量%二硼化锆及5-80重量%氧化锆之含氧化锆组合物，系特别适合用以形成至少是在使用时位于熔融钢容器中之熔渣管线处之喷嘴部份。包含5-70重量%氮化硼、15-50重量%二硼化锆及10-70重量%氧化铝之含氧化铝组合物，系特别适合用以形成喷嘴之内部，因其会抵抗氧化铝积聚并防止喷嘴之阻塞。

6. 发明专利

TW201535515A 用於減少腔室微粒之重大腔室部件表面改良审中-公开
简体标题：用于减少腔室微粒之重大腔室部件表面改良
公开(公告)号：TW201535515A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104103610
申请日：2015-02-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：段仁官 , DUAN, REN-GUAN , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 山卡克里西南蘭普拉卡西 , SANKARAKRISHNAN, RAMPRAKASH
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/316
CPC分类号： C04B41/0081 , C03C23/007 , C04B35/111 , C04B35/488 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/565 , C04B35/581 , C04B35/587 , C04B41/009 , C04B41/80 , C04B2235/3225 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/96 , C23C14/564 , C23C16/4401 , F27B17/0025 , F27D7/06 , F27D19/00 , F27D2007/063 , F27D2019/0028 , C04B35/00 , C04B35/10 , C04B35/584 , C04B35/48
摘要：本文描述的實施例大體而言係關於用於熱處理紫外線半導體處理腔室中使用的腔室部件之設備和方法。包含單一陶瓷或玻璃物件的腔室部件之熱處理可以減少腔室部件曝露於腐蝕性環境、例如曝露於紫外光和臭氧/氧自由基時產生微粒的可能性。一種熱處理腔室部件的方法包括以可接受的升降溫速率將單一物件加熱到所需的溫度持續所需的期間，並於隨後以該升降溫速率冷卻該單一物件。
简体摘要：本文描述的实施例大体而言系关于用于热处理紫外线半导体处理腔室中使用的腔室部件之设备和方法。包含单一陶瓷或玻璃对象的腔室部件之热处理可以减少腔室部件曝露于腐蚀性环境、例如曝露于紫外光和臭氧/氧自由基时产生微粒的可能性。一种热处理腔室部件的方法包括以可接受的升降温速率将单一对象加热到所需的温度持续所需的期间，并于随后以该升降温速率冷却该单一对象。

7. 发明专利

TW201527257A 氧化鋯燒結體及其製造方法與含有其之構件审中-公开
简体标题：氧化锆烧结体及其制造方法与含有其之构件
公开(公告)号：TW201527257A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103145605
申请日：2014-12-26
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION
发明人：永山仁士 , NAGAYAMA, HITOSHI , 篠崎直樹 , SHINOZAKI, NAOKI , 伊藤武志 , ITO, TAKESHI , 津久間孝次 , TSUKUMA, KOJI , 山内正一 , YAMAUCHI, SHOICHI
IPC分类号： C04B35/48 , C04B35/626
CPC分类号： C04B35/4885 , B32B18/00 , C04B35/488 , C04B35/6261 , C04B35/638 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3246 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/5409 , C04B2235/6022 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/661 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/9661 , C04B2237/348
摘要：本發明的目的在於提供一種具有兩種以上的不同色調的氧化鋯燒結體，且於該氧化鋯燒結體間不具有滲色或間隙。本發明的氧化鋯燒結體包含第一氧化鋯燒結體與第二氧化鋯燒結體，並且所述氧化鋯燒結體的特徵在於：所述第一氧化鋯燒結體為含有氧化鋁的氧化鋯燒結體，所述第二氧化鋯燒結體為含有尖晶石氧化物的氧化鋯燒結體，所述第一氧化鋯燒結體與所述第二氧化鋯燒結體形成接合面，於所述接合面上不具有間隙及滲色。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种具有两种以上的不同色调的氧化锆烧结体，且于该氧化锆烧结体间不具有渗色或间隙。本发明的氧化锆烧结体包含第一氧化锆烧结体与第二氧化锆烧结体，并且所述氧化锆烧结体的特征在于：所述第一氧化锆烧结体为含有氧化铝的氧化锆烧结体，所述第二氧化锆烧结体为含有尖晶石氧化物的氧化锆烧结体，所述第一氧化锆烧结体与所述第二氧化锆烧结体形成接合面，于所述接合面上不具有间隙及渗色。

8. 发明专利

TW201316377A ＧａＮ系膜之製造方法及使用於其之複合基板审中-公开
简体标题：ＧａＮ系膜之制造方法及使用于其之复合基板
公开(公告)号：TW201316377A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101105699
申请日：2012-02-21
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：佐藤一成 , SATOH, ISSEI , 關裕紀 , SEKI, YUKI , 上松康二 , UEMATSU, KOJI , 山本喜之 , YAMAMOTO, YOSHIYUKI , 松原秀樹 , MATSUBARA, HIDEKI , 藤原伸介 , FUJIWARA, SHINSUKE , 吉村雅司 , YOSHIMURA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/08 , H01L21/18 , C30B29/38 , C30B29/40
CPC分类号： H01L21/0254 , C03C10/0018 , C04B35/106 , C04B35/16 , C04B35/185 , C04B35/481 , C04B35/486 , C04B35/488 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3246 , C04B2235/3463 , C04B2235/9607 , C30B23/025 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L21/02002 , H01L21/02422 , H01L21/02436 , H01L21/02458 , H01L21/02658 , H01L21/02664
摘要：本GaN系膜之製造方法包含以下步驟：準備複合基板(10)，該複合基板(10)包含可溶解於氫氟酸之支撐基板(11)、及配置於支撐基板(11)之主面(11m)側之單晶膜(13)，支撐基板(11)之主面(11m)內之熱膨脹係數相較於GaN結晶之熱膨脹係數為大於0.8倍且小於1.2倍；在配置於支撐基板(11)之主面(11m)側之單晶膜(13)之主面(13m)上成膜GaN系膜(20)；及藉由溶解於氫氟酸中而去除支撐基板(11)。由此，提供一種可效率良好地獲得主面之面積較大、翹曲較小且結晶性良好之GaN系膜的GaN系膜之製造方法及使用於其之複合基板。
简体摘要：本GaN系膜之制造方法包含以下步骤：准备复合基板(10)，该复合基板(10)包含可溶解于氢氟酸之支撑基板(11)、及配置于支撑基板(11)之主面(11m)侧之单晶膜(13)，支撑基板(11)之主面(11m)内之热膨胀系数相较于GaN结晶之热膨胀系数为大于0.8倍且小于1.2倍；在配置于支撑基板(11)之主面(11m)侧之单晶膜(13)之主面(13m)上成膜GaN系膜(20)；及借由溶解于氢氟酸中而去除支撑基板(11)。由此，提供一种可效率良好地获得主面之面积较大、翘曲较小且结晶性良好之GaN系膜的GaN系膜之制造方法及使用于其之复合基板。

9. 发明专利

TW200849682A 熱電變換模組用基板及熱電變換模組 SUBSTRATE FOR THERMAL-ELECTRIC CONVERSION MODULE AND THERMO-ELECTRIC CONVERSION MODULE 审中-公开
简体标题：热电变换模块用基板及热电变换模块 SUBSTRATE FOR THERMAL-ELECTRIC CONVERSION MODULE AND THERMO-ELECTRIC CONVERSION MODULE
公开(公告)号：TW200849682A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW097108623
申请日：2008-03-12
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：廣山雄一 HIROYAMA, YUICHI , 內田義男 UCHIDA, YOSHIO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L35/32 , C04B35/185 , C04B35/488 , C04B35/50 , C04B35/803 , C04B2235/3229 , C04B2235/5228 , C04B2235/5256 , C04B2235/5264 , Y10T442/30 , Y10T442/60
摘要：本發明之熱電變換模組用基板1,係以陶瓷材料為主成分而具有可撓性者。熱電變換模組2,係在熱電變換模組用基板1之至少一面上,將複數個熱電元件3,4,使各熱電元件3,4之長方向沿著基板1之寬方向,在基板1之長方向並列設置。在複數個熱電元件3,4的端部,設置有使複數個熱電元件3,4以電性串聯方式接續之電極5。
简体摘要：本发明之热电变换模块用基板1,系以陶瓷材料为主成分而具有可挠性者。热电变换模块2,系在热电变换模块用基板1之至少一面上,将复数个热电组件3,4,使各热电组件3,4之长方向沿着基板1之宽方向,在基板1之长方向并列设置。在复数个热电组件3,4的端部,设置有使复数个热电组件3,4以电性串联方式接续之电极5。

10. 发明专利

TW200512169A 可機械加工之陶瓷 MACHINABLE CERAMIC 审中-公开
简体标题：可机械加工之陶瓷 MACHINABLE CERAMIC
公开(公告)号：TW200512169A
公开(公告)日：2005-04-01
申请号：TW093124677
申请日：2004-08-17
申请人：住友金屬工業股份有限公司 SUMITOMO METAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：衛藤俊一 ETOH, SHUNICHI , 荒堀忠久 ARAHORI, TADAHISA , 森一政 MORI, KAZUMASA
IPC分类号： C04B
CPC分类号： C04B35/583 , C04B35/488 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/6455 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3291 , C04B2235/3293 , C04B2235/3826 , C04B2235/3843 , C04B2235/3847 , C04B2235/386 , C04B2235/3873 , C04B2235/405 , C04B2235/422 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/767 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2235/9661
摘要：一種能夠以高精密度精細機械加工的高強度可機械加工的陶瓷，具有與矽接近的熱膨脹係數，且較佳為均勻的近黑色，能促進機械加工元件的影像處理。此陶瓷含有主要成分與燒結助劑。主要成分含有氮化硼 30–59.95質量％、氧化鋯40–69.95質量％、非必要的氮化矽可達20質量＄、及至少一種染色添加劑0.05–2.5質量％(以元素計)，其選自C、Si、長形週期表第四週期中IIIA–IVB族元素、第五週期中TVA–VB族元素、第六週期中IVA–VIB族元素、及這些元素的化合物。
简体摘要：一种能够以高精密度精细机械加工的高强度可机械加工的陶瓷，具有与硅接近的热膨胀系数，且较佳为均匀的近黑色，能促进机械加工组件的影像处理。此陶瓷含有主要成分与烧结助剂。主要成分含有氮化硼 30–59.95质量％、氧化锆40–69.95质量％、非必要的氮化硅可达20质量＄、及至少一种染色添加剂0.05–2.5质量％(以元素计)，其选自C、Si、长形周期表第四周期中IIIA–IVB族元素、第五周期中TVA–VB族元素、第六周期中IVA–VIB族元素、及这些元素的化合物。

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