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3. 发明专利

TW201404592A 層合薄膜审中-公开
简体标题：层合薄膜
公开(公告)号：TW201404592A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102113482
申请日：2013-04-16
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：山下恭弘 , YAMASHITA, YASUHIRO , 黑田俊也 , KURODA, TOSHIYA
IPC分类号： B32B3/30 , C23C16/44
CPC分类号： B32B3/30 , B32B2250/02 , C23C16/401 , C23C16/545 , Y10T428/24355
摘要：本發明係一種基材之表面經平坦化之氣體阻隔性優異之層合薄膜，其係具備基材、與形成於前述基材之至少一表面上之至少一層薄膜層的層合薄膜，於垂直於前述基材之表面之方向的截面，當令前述基材之形成有前述薄膜層側之連結表面之兩端部的方向為X方向、垂直於前述X方向的方向為Y方向時，前述基材當於形成有前述薄膜層側之表面具有突起部時，求出通過前述突起部之邊緣且平行於X方向之線段x1、與通過前述突起部之頂點且平行於Y方向之線段y1的交點p1，令前述線段y1之前述頂點與前述交點p1之間的距離為a、前述線段x1之前述邊緣與前述交點p1之間的距離為b、前述基材之前述突起部附近之平坦部上之前述薄膜層的厚度為h，前述基材當於形成有前述薄膜層之側的表面，具有凹陷部時，求出通過前述凹陷部之邊緣且平行於X方向之線段x2、與通過前述凹陷部之底且平行於Y方向之線段y2的交點p2，令前述線段y2之前述底與前述交點p2之間的距離為a、前述線段x2之前述邊緣與前述交點p2之間的距離為b、前述基材之前述凹陷部附近之平坦部上之前述薄膜層的厚度為h，惟，前述截面，係以使a/b之值成為最大的方式所設定者，前述表面中之所有的前述突起部及凹陷部，係滿足下述式(1)所表示之關係。a/b＜0.7(a/h)-1+0.31...(1)
简体摘要：本发明系一种基材之表面经平坦化之气体阻隔性优异之层合薄膜，其系具备基材、与形成于前述基材之至少一表面上之至少一层薄膜层的层合薄膜，于垂直于前述基材之表面之方向的截面，当令前述基材之形成有前述薄膜层侧之链接表面之两端部的方向为X方向、垂直于前述X方向的方向为Y方向时，前述基材当于形成有前述薄膜层侧之表面具有突起部时，求出通过前述突起部之边缘且平行于X方向之线段x1、与通过前述突起部之顶点且平行于Y方向之线段y1的交点p1，令前述线段y1之前述顶点与前述交点p1之间的距离为a、前述线段x1之前述边缘与前述交点p1之间的距离为b、前述基材之前述突起部附近之平坦部上之前述薄膜层的厚度为h，前述基材当于形成有前述薄膜层之侧的表面，具有凹陷部时，求出通过前述凹陷部之边缘且平行于X方向之线段x2、与通过前述凹陷部之底且平行于Y方向之线段y2的交点p2，令前述线段y2之前述底与前述交点p2之间的距离为a、前述线段x2之前述边缘与前述交点p2之间的距离为b、前述基材之前述凹陷部附近之平坦部上之前述薄膜层的厚度为h，惟，前述截面，系以使a/b之值成为最大的方式所设置者，前述表面中之所有的前述突起部及凹陷部，系满足下述式(1)所表示之关系。a/b＜0.7(a/h)-1+0.31...(1)

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