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1. 发明专利

TW504754B Ⅲ-V族化合物半導體及彼之製法有权
简体标题： Ⅲ-V族化合物半导体及彼之制法
公开(公告)号：TW504754B
公开(公告)日：2002-10-01
申请号：TW090106463
申请日：2001-03-20
申请人：住友化學工業股份有限公司
发明人：平松和政 , 三宅秀人 , 前田尚良 , 家近泰
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01S2304/12 , Y10T428/24926
摘要：本發明提出一種製造具有低位錯密度III-V族化合物半導體，而且不會使再生層厚度增加之方法，該方法包括一種使用掩模圖型的再生處理，並藉由該圖型上形成的空隙中止該再生層中之穿過位錯。
简体摘要：本发明提出一种制造具有低位错密度III-V族化合物半导体，而且不会使再生层厚度增加之方法，该方法包括一种使用掩模图型的再生处理，并借由该图型上形成的空隙中止该再生层中之穿过位错。

2. 发明专利

TWI317990B 氮化鎵單晶基板及其製造方法有权
简体标题：氮化镓单晶基板及其制造方法
公开(公告)号：TWI317990B
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW093105733
申请日：2004-03-04
申请人：住友化學工業股份有限公司
发明人：平松和政 , 三宅秀人 , 坊山晉也 , 前田尚良 , 小野善伸
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01L21/02647
摘要：本發明係提供一種具移位密度被減低的III-V族化合物半導體結晶的磊晶基板的製造方法，由一般式InxGayAlzN(其中x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)表示的氮化物系III-V族化合物半導體結晶，製造具移位密度被減少的結晶之磊晶基板，包含以下步驟：第一步驟，使用具備複數突起狀形態的該III-V族化合物半導體結晶，以該III-V族化合物半導體不同種材料構成的遮罩覆蓋使得只有該結晶先端部附近成為開口部；第二步驟，使該開口部的III-V族化合物半導體結晶作為晶種，橫向成長該III-V族化合物半導體結晶者；可製造得到移位密度變小彎曲少氮化物系III-V族化合物半導體單晶的自立基板。
简体摘要：本发明系提供一种具移位密度被减低的III-V族化合物半导体结晶的磊晶基板的制造方法，由一般式InxGayAlzN(其中x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)表示的氮化物系III-V族化合物半导体结晶，制造具移位密度被减少的结晶之磊晶基板，包含以下步骤：第一步骤，使用具备复数突起状形态的该III-V族化合物半导体结晶，以该III-V族化合物半导体不同种材料构成的遮罩覆盖使得只有该结晶先端部附近成为开口部；第二步骤，使该开口部的III-V族化合物半导体结晶作为晶种，横向成长该III-V族化合物半导体结晶者；可制造得到移位密度变小弯曲少氮化物系III-V族化合物半导体单晶的自立基板。

3. 发明专利

TW200403865A 製備Ⅲ - V族化合物半導體的方法 METHOD OF MANUFACTURING III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR 失效
简体标题：制备Ⅲ - V族化合物半导体的方法 METHOD OF MANUFACTURING III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR
公开(公告)号：TW200403865A
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW092106837
申请日：2003-03-26
申请人：住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：平松和政 , 三宅秀人 , 坊山晉也 , 前田尚良 , 家近泰
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要：形成III-V族氮化物化合物半導體的晶體層時，氮化物化合物半導體層先覆於基材上形成底層，藉混合蒸汽相取向附生，於澱積壓力不低於800托耳的條件下，通式InxGayAlzN(其中，0≦X≦1，0≦y≦1，0≦z≦1，x+y+z=1)表示的III-V族氮化物化合物半導體取向附生生長於底層上。藉由使得澱積壓力不低於800托耳，III-V族氮化物化合物半導體的結晶性獲顯著改善且其缺陷密度降低。
简体摘要：形成III-V族氮化物化合物半导体的晶体层时，氮化物化合物半导体层先覆于基材上形成底层，藉混合蒸汽相取向附生，于淀积压力不低于800托耳的条件下，通式InxGayAlzN(其中，0≦X≦1，0≦y≦1，0≦z≦1，x+y+z=1)表示的III-V族氮化物化合物半导体取向附生生长于底层上。借由使得淀积压力不低于800托耳，III-V族氮化物化合物半导体的结晶性获显着改善且其缺陷密度降低。

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