基本信息:
- 专利标题： Ⅲ-V族化合物半導體及彼之製法
- 专利标题（英）：Group III-V compound semiconductor and method of producing the same
- 专利标题（中）：Ⅲ-V族化合物半导体及彼之制法
- 申请号：TW090106463 申请日：2001-03-20
- 公开(公告)号：TW504754B 公开(公告)日：2002-10-01
- 发明人： 平松和政 , 三宅秀人 , 前田尚良 , 家近泰
- 申请人： 住友化學工業股份有限公司
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 住友化學工業股份有限公司
- 当前专利权人： 住友化學工業股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 日本 2000-083956 20000324 日本 2000-288259 20000922
- 主分类号： C30B
- IPC分类号： C30B ; H01L
摘要：
本發明提出一種製造具有低位錯密度III-V族化合物半導體，而且不會使再生層厚度增加之方法，該方法包括一種使用掩模圖型的再生處理，並藉由該圖型上形成的空隙中止該再生層中之穿過位錯。
摘要（中）：
本发明提出一种制造具有低位错密度III-V族化合物半导体，而且不会使再生层厚度增加之方法，该方法包括一种使用掩模图型的再生处理，并借由该图型上形成的空隙中止该再生层中之穿过位错。
摘要（英）：
Provided is a method of producing a group III-V compound semiconductor having a low dislocation density without increasing the thickness of a re-grown layer, the method includes a re-growing process using a mask pattern, and threading dislocations in the re-grown layer are terminated by the voids formed on the pattern.