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1. 发明专利

TW201309589A 鹼式碳酸銅之製備方法及其系統與衍生物审中-公开
简体标题：碱式碳酸铜之制备方法及其系统与衍生物
公开(公告)号：TW201309589A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW100129990
申请日：2011-08-22
申请人：私立中原大學 , CHUNG-YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY , 張敏輝 , CHANG, MIN HUI
发明人：陳志吉 , CHEN, CHIH CHI , 張敏輝 , CHANG, MIN HUI
IPC分类号： C01B31/24 , B01J8/10
摘要：本發明提供一種鹼式碳酸銅之製備方法及其系統，其藉由碳酸氫鈉做為緩衝劑，並調節反應系統之pH值為7-9以利於所合成之粉粒體粒徑變大，且加入碳酸氫鈉可以減緩酸鹼中和反應所造成之體積膨脹，使固定體積之反應槽產能增加30%。此外，本發明之製備方法為將碳酸鈉與硫酸銅溶液以固定速率緩慢添加至碳酸氫鈉溶液中，透過控制反應物供給速率之手段，得到粒徑大於20μm之鹼式碳酸銅粉粒體，避免粉塵問題與團聚現象(流動性更好)，於酸中之溶解速率更快。
简体摘要：本发明提供一种碱式碳酸铜之制备方法及其系统，其借由碳酸氢钠做为缓冲剂，并调节反应系统之pH值为7-9以利于所合成之粉粒体粒径变大，且加入碳酸氢钠可以减缓酸碱中和反应所造成之体积膨胀，使固定体积之反应槽产能增加30%。此外，本发明之制备方法为将碳酸钠与硫酸铜溶液以固定速率缓慢添加至碳酸氢钠溶液中，透过控制反应物供给速率之手段，得到粒径大于20μm之碱式碳酸铜粉粒体，避免粉尘问题与团聚现象(流动性更好)，于酸中之溶解速率更快。

2. 发明专利

TWI431670B 矽基材擴散摻質方法有权
简体标题：硅基材扩散掺质方法
公开(公告)号：TWI431670B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW100104831
申请日：2011-02-14
申请人：私立中原大學 , CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY , 威漢科技股份有限公司 , ADVANCED & INNOVATION TECHNOLOGY CO., LTD
发明人：陳志吉 , CHEN, CHIH CHI , 沈中龍 , SHEN, CHUNG LUNG
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/324

3. 发明专利

TWI572436B 一種銲接結構及其製造方法有权
简体标题：一种焊接结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI572436B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW103144560
申请日：2014-12-19
申请人：中原大學 , CHUNG-YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY.
发明人：陳志吉 , CHEN, CHIH CHI , 梁沅鎧 , LIANG, YUAN KAI
IPC分类号： B23K35/22 , B23K31/12
CPC分类号： B23K35/001 , B23K35/00 , B23K35/0222 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/3046 , B23K2201/36 , B23K2201/38 , B23K2201/40 , B23K2201/42 , B32B15/01 , B32B15/043 , C22C19/07 , C23C10/28 , C23C10/60 , C23C26/00 , C23C26/02 , C23C28/00 , C23C28/021 , C23C28/023 , C23C30/00 , C23C30/005 , H05K3/34 , H05K3/3457 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , Y10T428/12722 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/12917 , Y10T428/12931 , Y10T428/12937 , Y10T428/24975 , Y10T428/265

4. 发明专利

TWI527763B 鹼式碳酸鎳之製備方法有权
简体标题：碱式碳酸镍之制备方法
公开(公告)号：TWI527763B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW103133541
申请日：2014-09-26
申请人：中原大學 , CHUNG-YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY.
发明人：陳志吉 , CHEN, CHIH CHI , 李立芃 , LI, LI PENG
IPC分类号： C01G53/06
CPC分类号： C01G53/06 , C01G53/04 , C01P2002/72 , C01P2004/03

5. 发明专利

TW201814066A 一種鈷鐵合金薄膜及其製備方法审中-公开
简体标题：一种钴铁合金薄膜及其制备方法
公开(公告)号：TW201814066A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW105133701
申请日：2016-10-19
申请人：中原大學 , CHUNG-YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY
发明人：陳志吉 , CHEN, CHIH CHI , 葉長昇 , YEH, CHANG SHENG , 李宗勳 , LI, ZONG XUN
IPC分类号： C22C38/10 , C21D1/04 , H01L21/56 , H01L23/29
CPC分类号： C22C19/07 , C23C18/1637 , C23C18/1666 , C23C18/1676 , C23C18/1806 , C23C18/1837 , C23C18/50 , H01L21/288 , H01L21/76841 , H01L23/53209 , H01L33/62 , H01L2933/0066 , H05K3/24 , H05K2201/0769 , H05K2203/0285 , H05K2203/072
摘要：本發明揭露一種鈷鐵合金薄膜及其製備方法。特別地，上述之鈷鐵合金薄膜的製備方法是在超音波震盪的環境下進行，根據本發明的製備方法所得到的鈷鐵合金薄膜的組成是75-95wt.%的鈷、4.5-20wt.%的鐵和0.5-5wt.%的磷，且該鈷鐵合金薄膜的X光繞射圖譜包含45.1±0.2、65.5±0.2和83.2±0.2的2 θ角位置之特徵波峰。
简体摘要：本发明揭露一种钴铁合金薄膜及其制备方法。特别地，上述之钴铁合金薄膜的制备方法是在超音波震荡的环境下进行，根据本发明的制备方法所得到的钴铁合金薄膜的组成是75-95wt.%的钴、4.5-20wt.%的铁和0.5-5wt.%的磷，且该钴铁合金薄膜的X光绕射图谱包含45.1±0.2、65.5±0.2和83.2±0.2的2 θ角位置之特征波峰。

6. 发明专利

TWI617675B 一種鈷鐵合金薄膜及其製備方法有权
简体标题：一种钴铁合金薄膜及其制备方法
公开(公告)号：TWI617675B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW105133701
申请日：2016-10-19
申请人：中原大學 , CHUNG-YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY
发明人：陳志吉 , CHEN, CHIH CHI , 葉長昇 , YEH, CHANG SHENG , 李宗勳 , LI, ZONG XUN
IPC分类号： C22C38/10 , C21D1/04 , H01L21/56 , H01L23/29
CPC分类号： C22C19/07 , C23C18/1637 , C23C18/1666 , C23C18/1676 , C23C18/1806 , C23C18/1837 , C23C18/50 , H01L21/288 , H01L21/76841 , H01L23/53209 , H01L33/62 , H01L2933/0066 , H05K3/24 , H05K2201/0769 , H05K2203/0285 , H05K2203/072

7. 发明专利

TW201622866A 一種銲接結構及其製造方法审中-公开
简体标题：一种焊接结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201622866A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW103144560
申请日：2014-12-19
申请人：中原大學 , CHUNG-YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY.
发明人：陳志吉 , CHEN, CHIH CHI , 梁沅鎧 , LIANG, YUAN KAI
IPC分类号： B23K35/22 , B23K31/12
CPC分类号： B23K35/001 , B23K35/00 , B23K35/0222 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/3046 , B23K2201/36 , B23K2201/38 , B23K2201/40 , B23K2201/42 , B32B15/01 , B32B15/043 , C22C19/07 , C23C10/28 , C23C10/60 , C23C26/00 , C23C26/02 , C23C28/00 , C23C28/021 , C23C28/023 , C23C30/00 , C23C30/005 , H05K3/34 , H05K3/3457 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , Y10T428/12722 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/12917 , Y10T428/12931 , Y10T428/12937 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
摘要：本發明提供一種銲接結構及其製造方法，該銲接結構包含一銲料和一擴散阻障層，該銲料和該擴散阻障層之介面具有一厚度小於10微米之錫鈷鐵介金屬相；其製造方法係在250~300℃之間進行反應使含錫銲料和由85~95wt%鈷和5~15wt%鐵所組成之合金的介面形成一厚度小於10微米之介金屬相。
简体摘要：本发明提供一种焊接结构及其制造方法，该焊接结构包含一焊料和一扩散阻障层，该焊料和该扩散阻障层之界面具有一厚度小于10微米之锡钴铁介金属相；其制造方法系在250~300℃之间进行反应使含锡焊料和由85~95wt%钴和5~15wt%铁所组成之合金的界面形成一厚度小于10微米之介金属相。

8. 发明专利

TW201321524A 錫銻鎳之三元化合物及其應用與形成方法审中-公开
简体标题：锡锑镍之三元化合物及其应用与形成方法
公开(公告)号：TW201321524A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW100142657
申请日：2011-11-22
申请人：中原大學 , CHUNG-YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY
发明人：陳志吉 , CHEN, CHIH CHI , 陳岳廷 , CHEN, YUE TING
IPC分类号： C22C13/02 , B23K35/26 , H01M4/38
CPC分类号： H01M4/387 , B23K1/0016 , B23K20/233 , B23K35/004 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/28 , C22C12/00 , C22F1/00 , C22F1/16 , H01M4/134 , H01M4/38
摘要：本發明提供一種錫銻鎳之三元化合物及其應用與形成方法，有別於目前所習知之物理或化學方法。Ni（Sn,Sb）3為一種方鈷礦化合物，方鈷礦化合物為熱電材料，是一種可以將熱能轉變為電能，或反之供應電能致冷的材料，極為環保。Ni（Sn,Sb）3同時也是亟具潛力之鋰離子電池負極材料。本發明以「固態擴散法」將Ni（Sn1-X,Sbx）3(τ)以薄膜形式合成，經蝕刻後，反應偶即可供於熱電元件或鋰離子電池之負極所用，整體製程簡單，且得到之薄膜具高純度，金屬薄膜之組成與膜厚皆均勻，且得到的不同組成之τ相合成。最重要的一點是，目前較常見的鋰離子二次電池金屬基負極材料為二元化合物，而本方法可以合成三元化合物。以電極材料而言，三元化合物之性能優於二元化合物。
简体摘要：本发明提供一种锡锑镍之三元化合物及其应用与形成方法，有别于目前所习知之物理或化学方法。Ni（Sn,Sb）3为一种方钴矿化合物，方钴矿化合物为热电材料，是一种可以将热能转变为电能，或反之供应电能致冷的材料，极为环保。Ni（Sn,Sb）3同时也是亟具潜力之锂离子电池负极材料。本发明以“固态扩散法”将Ni（Sn1-X,Sbx）3(τ)以薄膜形式合成，经蚀刻后，反应偶即可供于热电组件或锂离子电池之负极所用，整体制程简单，且得到之薄膜具高纯度，金属薄膜之组成与膜厚皆均匀，且得到的不同组成之τ相合成。最重要的一点是，目前较常见的锂离子二次电池金属基负极材料为二元化合物，而本方法可以合成三元化合物。以电极材料而言，三元化合物之性能优于二元化合物。

9. 发明专利

TWI452142B 錫銻鎳之三元化合物及其應用與形成方法有权
简体标题：锡锑镍之三元化合物及其应用与形成方法
公开(公告)号：TWI452142B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW100142657
申请日：2011-11-22
申请人：中原大學 , CHUNG-YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY
发明人：陳志吉 , CHEN, CHIH CHI , 陳岳廷 , CHEN, YUE TING
IPC分类号： C22C13/02 , B23K35/26 , H01M4/38
CPC分类号： H01M4/387 , B23K1/0016 , B23K20/233 , B23K35/004 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/28 , C22C12/00 , C22F1/00 , C22F1/16 , H01M4/134 , H01M4/38

10. 发明专利

TWI435845B 鹼式碳酸銅之製備方法及其系統與衍生物有权
简体标题：碱式碳酸铜之制备方法及其系统与衍生物
公开(公告)号：TWI435845B
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW100129990
申请日：2011-08-22
申请人：私立中原大學 , CHUNG-YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY , 張敏輝 , CHANG, MIN HUI
发明人：陳志吉 , CHEN, CHIH CHI , 張敏輝 , CHANG, MIN HUI
IPC分类号： C01B31/24 , B01J8/10

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