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1. 发明专利

TW200809876A 導電性粒子與該導電性粒子所構成之導電性粉體、其製造方法以及利用該導電性粉體所製出之導電性墨水审中-公开
简体标题：导电性粒子与该导电性粒子所构成之导电性粉体、其制造方法以及利用该导电性粉体所制出之导电性墨水
公开(公告)号：TW200809876A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW096122328
申请日：2007-06-21
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人： 上貴彥 , 瓦谷浩一
IPC分类号： H01B , C09D
CPC分类号： H01B1/08 , C09D11/52 , H01B1/22
摘要：目的在於提供一種導電性粉體,其中係一方面具明色一方面具遮蔽性,當製成導電性墨水或導電性塗料來使用時,即使或花費較長的分散時間、或實施反覆分散操作時,所得到的塗膜的表面電阻之劣化亦為較小的填料。為了達成此目的,將構成芯材與導電層的原料設為共同的TiO2(二氧化鈦),藉由在形成導電層的TiO2層摻入鈮,則會賦與導電性,同時形成鈮擴散層而製成抑制芯材與導電層之間的剝離現象之導電性粒子,並以此導電性粒子構成導電性粉體。
简体摘要：目的在于提供一种导电性粉体,其中系一方面具明色一方面具屏蔽性,当制成导电性墨水或导电性涂料来使用时,即使或花费较长的分散时间、或实施反复分散操作时,所得到的涂膜的表面电阻之劣化亦为较小的填料。为了达成此目的,将构成芯材与导电层的原料设为共同的TiO2(二氧化钛),借由在形成导电层的TiO2层掺入铌,则会赋与导电性,同时形成铌扩散层而制成抑制芯材与导电层之间的剥离现象之导电性粒子,并以此导电性粒子构成导电性粉体。

2. 发明专利

TWI236393B 鱗片狀銅粉、該鱗片狀銅粉之製造方法,以及使用該鱗片狀銅粉之導電性膏狀物有权
简体标题：鳞片状铜粉、该鳞片状铜粉之制造方法,以及使用该鳞片状铜粉之导电性膏状物
公开(公告)号：TWI236393B
公开(公告)日：2005-07-21
申请号：TW092125707
申请日：2003-09-18
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人： 上貴彥 , 安成邦彥 , 吉丸克彥
IPC分类号： B22F , H01B
CPC分类号： B22F1/0055 , B22F1/0007 , B22F1/0011 , B22F2998/00 , B22F2999/00 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K1/095 , B22F9/04 , H01L2924/00
摘要：本發明之主要目的係提供一種導電性膏狀物用之鱗片狀銅粉及其製造方法，其具有粉粒厚度薄、且可用以形成精密之電極或電路等之粉體特性。
為了達到此目的，本發明提出一種鱗片狀銅粉，係將銅粉之粉粒進行塑性變形以鱗片狀化之鱗片狀銅粉，其特徵在於：以雷射繞射散射式粒徑量測法所測得之重量累積粒徑D50於10μm以下，利用依據雷射繞射散射式粒徑量測法之重量累積粒徑D10、D50、D90、與以雷射繞射散射式粒徑量測法所測得之粒徑分佈之標準偏差SD所表示之SD/D50值於0.55以下，及D90/D10值於4.5以下。此鱗片狀銅粉係利用具有微小粒徑之介質珠，以高能量球磨機進行壓縮，使其產生塑性變形，以形成鱗片狀，藉由形成鱗片狀可使其進行穩定的生產。
简体摘要：本发明之主要目的系提供一种导电性膏状物用之鳞片状铜粉及其制造方法，其具有粉粒厚度薄、且可用以形成精密之电极或电路等之粉体特性。为了达到此目的，本发明提出一种鳞片状铜粉，系将铜粉之粉粒进行塑性变形以鳞片状化之鳞片状铜粉，其特征在于：以激光绕射散射式粒径量测法所测得之重量累积粒径D50于10μm以下，利用依据激光绕射散射式粒径量测法之重量累积粒径D10、D50、D90、与以激光绕射散射式粒径量测法所测得之粒径分布之标准偏差SD所表示之SD/D50值于0.55以下，及D90/D10值于4.5以下。此鳞片状铜粉系利用具有微小粒径之介质珠，以高能量球磨机进行压缩，使其产生塑性变形，以形成鳞片状，借由形成鳞片状可使其进行稳定的生产。

3. 发明专利

TW200848181A 錫粉、錫膏以及錫粉之製造方法审中-公开
简体标题：锡粉、锡膏以及锡粉之制造方法
公开(公告)号：TW200848181A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW097106578
申请日：2008-02-26
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：佐佐木卓也 , 吉丸克彥 , 上貴彥 , 藤本卓
IPC分类号： B22F , B23K , H05K
CPC分类号： B23K35/22 , B22F1/0055 , B22F9/04 , B23K35/0244 , B23K35/262 , H05K3/3484 , H05K2201/0245
摘要：以提供:加工成錫膏之情況時之形狀安定性優良,且連接信賴性也優良之錫粉、錫膏及錫粉之製造方法為目的。為達成此目的,採用粒子之形狀呈片狀,且粒子之平面方向之平均圓相當徑為1 ��m~10 ��m為特徵之錫粉。然後,使用此錫粉作成錫膏。又,在製造此錫粉時,係採用使粒子形狀呈粒狀之錫粉在分散媒中分散,將此分散懸浮液在媒體研磨器中處理之方法。
简体摘要：以提供:加工成锡膏之情况时之形状安定性优良,且连接信赖性也优良之锡粉、锡膏及锡粉之制造方法为目的。为达成此目的,采用粒子之形状呈片状,且粒子之平面方向之平均圆相当径为1 ��m~10 ��m为特征之锡粉。然后,使用此锡粉作成锡膏。又,在制造此锡粉时,系采用使粒子形状呈粒状之锡粉在分散媒中分散,将此分散悬浮液在媒体研磨器中处理之方法。

4. 发明专利

TW200538399A 被覆有銀化合物之銀粉及其製造方法审中-公开
简体标题：被覆有银化合物之银粉及其制造方法
公开(公告)号：TW200538399A
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：TW094110966
申请日：2005-04-07
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：佐佐木卓也 , 上貴彥 , 藤本卓 , 吉丸克彥
IPC分类号： C01G
CPC分类号： B22F1/02 , C23C24/10 , C23C26/02 , H01B1/02 , H01B1/22 , H05K1/095 , H05K3/4069 , Y10T428/12181
摘要：本發明之課題在提供，以被覆有分解溫度低於銀之熔點的銀化合物之銀粉可形成電子電路用之導電性配線部的導電性糊用之銀化合物被覆銀粉及其製造方法。其解決手段係，含銀粒子表面經銀化合物被覆之銀化合物被覆銀粒子的銀化合物被覆銀粉，應以含該銀粉之導電性糊形成電子電路配線之基板於燒之際，因分解溫度相當低於銀之熔點的銀化合物之熱分解，銀化合物之銀將銀化合物被覆銀粒子互相熔著。
简体摘要：本发明之课题在提供，以被覆有分解温度低于银之熔点的银化合物之银粉可形成电子电路用之导电性配线部的导电性煳用之银化合物被覆银粉及其制造方法。其解决手段系，含银粒子表面经银化合物被覆之银化合物被覆银粒子的银化合物被覆银粉，应以含该银粉之导电性煳形成电子电路配线之基板于烧之际，因分解温度相当低于银之熔点的银化合物之热分解，银化合物之银将银化合物被覆银粒子互相熔着。

5. 发明专利

TW200744954A 銅粉之製造方法及該製造方法所獲致之銅粉审中-公开
简体标题：铜粉之制造方法及该制造方法所获致之铜粉
公开(公告)号：TW200744954A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096109738
申请日：2007-03-21
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人： 上貴彥 , 吉丸克彥 , 中村芳信
IPC分类号： C01G , B22F
CPC分类号： B22F9/24 , B22F1/0014 , C09D11/52
摘要：目的是一種利用濕式還原法更有效率地製造具微粒均一之銅粉的方法以及粒度分布優異且高品質的銅粉提供。為達到此目的所採用之銅粉製造方法係將含銅離子水溶液與鹼溶液反應得到氫氧化銅泥漿,於前述氫氧化銅泥漿中添加還原劑進行第1還原處理得到亞氧化銅泥漿,靜置前述亞氧化銅泥漿沈澱出亞氧化銅粒子,去除上澄液後,添加水洗淨亞氧化銅粒子得到洗淨亞氧化銅泥漿,再於該洗淨亞氧化銅泥漿中添加還原劑,進行第2還原處理而得銅粉者,其特徵在於:第1還原處理係於氫氧化銅泥漿中一併使用添加作為還原劑的聯氨類及作為酸鹼値調整劑的氨水溶液。
简体摘要：目的是一种利用湿式还原法更有效率地制造具微粒均一之铜粉的方法以及粒度分布优异且高品质的铜粉提供。为达到此目的所采用之铜粉制造方法系将含铜离子水溶液与碱溶液反应得到氢氧化铜泥浆,于前述氢氧化铜泥浆中添加还原剂进行第1还原处理得到亚氧化铜泥浆,静置前述亚氧化铜泥浆沈淀出亚氧化铜粒子,去除上澄液后,添加水洗净亚氧化铜粒子得到洗净亚氧化铜泥浆,再于该洗净亚氧化铜泥浆中添加还原剂,进行第2还原处理而得铜粉者,其特征在于:第1还原处理系于氢氧化铜泥浆中一并使用添加作为还原剂的联氨类及作为酸碱値调整剂的氨水溶液。

6. 发明专利

TW200702083A 錫粉及錫粉之製造方法及含有錫粉之導電性糊料失效
简体标题：锡粉及锡粉之制造方法及含有锡粉之导电性煳料
公开(公告)号：TW200702083A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW095114872
申请日：2006-04-26
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人： 上貴彥 , 古本啓太 , 吉丸克彥
IPC分类号： B22F , C22B
CPC分类号： H05K1/097 , B22F1/0048 , B22F1/0055 , B22F9/24 , H05K3/4069
摘要：本發明目的係提供一種錫粉,其包含易於細微間距化配線電路之形成,對微小徑導通孔之充填性佳,發揮低溫融接性之微粒錫粒子。為達成該目的,製作於水放入銅粉攪拌之銅粉漿料,於包含2價錫鹽與硫之混合水溶液,加酸,製作取代析出錫溶液,使錫對於上述銅粉漿料中的銅成既定的比例的方式混合,上述銅粉漿料與上述取代析出錫溶液,攪拌該混合溶液,藉由使錫取代析出於銅粉粒子表面得到本發明之錫粉。
简体摘要：本发明目的系提供一种锡粉,其包含易于细微间距化配线电路之形成,对微小径导通孔之充填性佳,发挥低温融接性之微粒锡粒子。为达成该目的,制作于水放入铜粉搅拌之铜粉浆料,于包含2价锡盐与硫之混合水溶液,加酸,制作取代析出锡溶液,使锡对于上述铜粉浆料中的铜成既定的比例的方式混合,上述铜粉浆料与上述取代析出锡溶液,搅拌该混合溶液,借由使锡取代析出于铜粉粒子表面得到本发明之锡粉。

7. 发明专利

TW200840666A 薄片銅粉及其製造方法以及導電性糊审中-公开
简体标题：薄片铜粉及其制造方法以及导电性煳
公开(公告)号：TW200840666A
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：TW097110358
申请日：2005-04-25
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人： 上貴彥 , 吉丸克彥 , 中村芳信 , 島村宏之
IPC分类号： B22F , H01B
CPC分类号： B22F1/0014 , B22F1/0044 , B22F1/0055 , B22F1/0062 , B22F9/24 , B22F2001/0033 , H01B1/22 , H05K1/095
摘要：本發明之目的係提供一種成為微粒、粒度分布變得銳利、結晶子變大、具有良好之耐氧化性之薄片銅粉。為了達成該目的,因此,採用包含P且結晶子直徑/DIA成為0.01以上之薄片銅粉等。為了製造該薄片銅粉,因此,採用具有:調製包含銅鹽及配位化合劑之水溶液之第1製程、在該水溶液添加氫氧化鹼而調製包含氧化銅之第1漿體之第2製程、在該第1漿體添加可以將氧化銅還原成為氧化亞銅之第1還原劑而調製包含氧化亞銅之第2漿體之第3製程、以及在該第2漿體添加可以將氧化亞銅還原成為銅之第2還原劑而得到薄片銅粉之第4製程並且在前述第1製程-第3製程之至少一個製程及/或第4製程而在第2漿體來添加磷酸及其鹽之薄片銅粉之製造方法。
简体摘要：本发明之目的系提供一种成为微粒、粒度分布变得锐利、结晶子变大、具有良好之耐氧化性之薄片铜粉。为了达成该目的,因此,采用包含P且结晶子直径/DIA成为0.01以上之薄片铜粉等。为了制造该薄片铜粉,因此,采用具有:调制包含铜盐及配位化合剂之水溶液之第1制程、在该水溶液添加氢氧化碱而调制包含氧化铜之第1浆体之第2制程、在该第1浆体添加可以将氧化铜还原成为氧化亚铜之第1还原剂而调制包含氧化亚铜之第2浆体之第3制程、以及在该第2浆体添加可以将氧化亚铜还原成为铜之第2还原剂而得到薄片铜粉之第4制程并且在前述第1制程-第3制程之至少一个制程及/或第4制程而在第2浆体来添加磷酸及其盐之薄片铜粉之制造方法。

8. 发明专利

TW200702449A 含有錫粉之膠體液及其製造方法审中-公开
简体标题：含有锡粉之胶体液及其制造方法
公开(公告)号：TW200702449A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW095114866
申请日：2006-04-26
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人： 上貴彥 , 吉丸克彥
IPC分类号： C22B , B22F
CPC分类号： C22C13/00 , B22F1/0011 , B22F9/24 , H05K3/3484
摘要：以提供:一種不會混入鉻等金屬,具有一定的分散性,且可得到超微細之錫粉末之含有錫粉之膠體液及其製造方法為目的。為達成此目的,採用含有錫粉之膠體液等,係不含有金屬之含有錫粉之膠體液,其特徵在於:該錫粉之平均粒徑(DIA)為2��m以下。又,採用含有錫粉之膠體液之製造方法等,係在具有極性之非水溶液中添加可溶性錫化合物來調製含有錫離子之溶液,其特徵在於:接著邊攪拌該含有錫離子溶液,邊緩慢添加氫硼化鈉溶液。
简体摘要：以提供:一种不会混入铬等金属,具有一定的分散性,且可得到超微细之锡粉末之含有锡粉之胶体液及其制造方法为目的。为达成此目的,采用含有锡粉之胶体液等,系不含有金属之含有锡粉之胶体液,其特征在于:该锡粉之平均粒径(DIA)为2��m以下。又,采用含有锡粉之胶体液之制造方法等,系在具有极性之非水溶液中添加可溶性锡化合物来调制含有锡离子之溶液,其特征在于:接着边搅拌该含有锡离子溶液,边缓慢添加氢硼化钠溶液。

9. 发明专利

TW200631700A 超微粒銅粉懸浮液及超微粒銅粉懸浮液之製造方法审中-公开
简体标题：超微粒铜粉悬浮液及超微粒铜粉悬浮液之制造方法
公开(公告)号：TW200631700A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW094145276
申请日：2005-12-20
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：青木晃 , 中村芳信 , 上貴彥 , 吉丸克彥
IPC分类号： B22F , C01G
CPC分类号： B22F1/0022 , B22F9/24 , B22F2998/00 , B82Y30/00 , H05K1/092 , B22F1/0044
摘要：一種超微粒銅粉懸浮液係在使用於配線用導電性油墨或導電性糊料時，以可在基板上形成更細間距化之配線部為目的。為達成此目的，提供：將具有DTEM(μm)為0.01～0.1，D50／DTEM為1.0～1.5，以及結晶粒子徑／DTEM：0.2～1之粉體特性之超微粒銅粉懸濁在溶劑中而製作之超微粒銅粉懸浮液(DTEM係指從TEM照片觀察像之照片來直接測定該粉末粒子徑，以觀察倍率來換算之平均一次粒徑，D50係指藉由都卜勒散亂式光解析法來測定之50％的體積累積粒徑)。
简体摘要：一种超微粒铜粉悬浮液系在使用于配线用导电性油墨或导电性煳料时，以可在基板上形成更细间距化之配线部为目的。为达成此目的，提供：将具有DTEM(μm)为0.01～0.1，D50／DTEM为1.0～1.5，以及结晶粒子径／DTEM：0.2～1之粉体特性之超微粒铜粉悬浊在溶剂中而制作之超微粒铜粉悬浮液(DTEM系指从TEM照片观察像之照片来直接测定该粉末粒子径，以观察倍率来换算之平均一次粒径，D50系指借由都卜勒散乱式光解析法来测定之50％的体积累积粒径)。

10. 发明专利

TW200621404A 薄片銅粉及其製造方法以及導電性糊审中-公开
简体标题：薄片铜粉及其制造方法以及导电性煳
公开(公告)号：TW200621404A
公开(公告)日：2006-07-01
申请号：TW094113080
申请日：2005-04-25
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人： 上貴彥 , 吉丸克彥 , 中村芳信 , 島村宏之
IPC分类号： B22F , H01B
CPC分类号： B22F1/0014 , B22F1/0044 , B22F1/0055 , B22F1/0062 , B22F9/24 , B22F2001/0033 , H01B1/22 , H05K1/095
摘要：本發明之目的係提供一種成為微粒、粒度分布變得銳利、結晶子變大、具有良好之耐氧化性之薄片銅粉。為了達成該目的，因此，採用包含P且結晶子直徑／D1A成為0.01以上之薄片銅粉等。為了製造該薄片銅粉，因此，採用具有：調製包含銅鹽及配位化合劑之水溶液之第1製程、在該水溶液添加氫氧化鹼而調製包含氧化銅之第1漿體之第2製程、在該第1漿體添加可以將氧化銅還原成為氧化亞銅之第1還原劑而調製包含氧化亞銅之第2漿體之第3製程、以及在該第2漿體添加可以將氧化亞銅還原成為銅之第2還原劑而得到薄片銅粉之第4製程並且在前述第1製程～第3製程之至少一個製程及／或第4製程而在第2漿體來添加磷酸及其鹽之薄片銅粉之製造方法。
简体摘要：本发明之目的系提供一种成为微粒、粒度分布变得锐利、结晶子变大、具有良好之耐氧化性之薄片铜粉。为了达成该目的，因此，采用包含P且结晶子直径／D1A成为0.01以上之薄片铜粉等。为了制造该薄片铜粉，因此，采用具有：调制包含铜盐及配位化合剂之水溶液之第1制程、在该水溶液添加氢氧化碱而调制包含氧化铜之第1浆体之第2制程、在该第1浆体添加可以将氧化铜还原成为氧化亚铜之第1还原剂而调制包含氧化亚铜之第2浆体之第3制程、以及在该第2浆体添加可以将氧化亚铜还原成为铜之第2还原剂而得到薄片铜粉之第4制程并且在前述第1制程～第3制程之至少一个制程及／或第4制程而在第2浆体来添加磷酸及其盐之薄片铜粉之制造方法。

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