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1. 发明专利

TWI266751B 導電性氧化錫粉末及其製造方法 CONDUCTIVE TIN OXIDE POWDER AND ITS MANUFACTURING METHOD 失效
简体标题：导电性氧化锡粉末及其制造方法 CONDUCTIVE TIN OXIDE POWDER AND ITS MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TWI266751B
公开(公告)日：2006-11-21
申请号：TW094103607
申请日：2005-02-04
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：藤井博 , 瓦谷浩一 , 吉丸克彥 , 島村宏之
IPC分类号： C01G
CPC分类号： C08L101/12 , C01G19/02 , C01P2006/40 , C09D5/24
摘要：本發明的目的在於提供一種不含具有害性的銻等的摻合物、對聚合物等賦與良好的導電性、同時對於塗料的易分散性及透明性亦極為優異的導電性氧化錫粉末及其製造方法。為了達到此目的而採用一種導電性氧化錫粉末，其特徵在於：製成塗料時的塗膜之濁霧度為5%以下，表面電阻為1010Ω/sq以下，且不含摻合物。因此，獲得此種導電性氧化錫粉末之製造方法其特徵在於：緩慢添加錫酸鈉溶液於酸水溶液中使在添加完成時pH成為5以下，並進行反應，對所生成的漿料加以洗滌、過濾、乾燥後而得到乾燥粉未，並加以粉碎，其次，在非氧化性環境下施行焙燒。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种不含具有害性的锑等的掺合物、对聚合物等赋与良好的导电性、同时对于涂料的易分散性及透明性亦极为优异的导电性氧化锡粉末及其制造方法。为了达到此目的而采用一种导电性氧化锡粉末，其特征在于：制成涂料时的涂膜之浊雾度为5%以下，表面电阻为1010Ω/sq以下，且不含掺合物。因此，获得此种导电性氧化锡粉末之制造方法其特征在于：缓慢添加锡酸钠溶液于酸水溶液中使在添加完成时pH成为5以下，并进行反应，对所生成的浆料加以洗涤、过滤、干燥后而得到干燥粉未，并加以粉碎，其次，在非氧化性环境下施行焙烧。

2. 发明专利

TW200530131A 導電性氧化錫粉末及其製造方法失效
简体标题：导电性氧化锡粉末及其制造方法
公开(公告)号：TW200530131A
公开(公告)日：2005-09-16
申请号：TW094103607
申请日：2005-02-04
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：藤井博 , 瓦谷浩一 , 吉丸克彥 , 島村宏之
IPC分类号： C01G
CPC分类号： C08L101/12 , C01G19/02 , C01P2006/40 , C09D5/24
摘要：本發明的目的在於提供一種不含具有害性的銻等的摻合物、對聚合物等賦與良好的導電性、同時對於塗料的易分散性及透明性亦極為優異的導電性氧化錫粉末及其製造方法。為了達到此目的而採用一種導電性氧化錫粉末，其特徵在於：製成塗料時的塗膜之濁霧度為5％以下，表面電阻為10^10Ω／□以下，且不含摻合物。因此，獲得此種導電性氧化錫粉末之製造方法其特徵在於：緩慢添加錫酸鈉溶液於酸水溶液中使在添加完成時pH成為5以下，並進行反應，對所生成的漿料加以洗滌、過濾、乾燥後而得到乾燥粉未，並加以粉碎，其次，在非氧化性環境下施行焙燒。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种不含具有害性的锑等的掺合物、对聚合物等赋与良好的导电性、同时对于涂料的易分散性及透明性亦极为优异的导电性氧化锡粉末及其制造方法。为了达到此目的而采用一种导电性氧化锡粉末，其特征在于：制成涂料时的涂膜之浊雾度为5％以下，表面电阻为10^10Ω／□以下，且不含掺合物。因此，获得此种导电性氧化锡粉末之制造方法其特征在于：缓慢添加锡酸钠溶液于酸水溶液中使在添加完成时pH成为5以下，并进行反应，对所生成的浆料加以洗涤、过滤、干燥后而得到干燥粉未，并加以粉碎，其次，在非氧化性环境下施行焙烧。

3. 发明专利

TW200840666A 薄片銅粉及其製造方法以及導電性糊审中-公开
简体标题：薄片铜粉及其制造方法以及导电性煳
公开(公告)号：TW200840666A
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：TW097110358
申请日：2005-04-25
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人： 上貴彥 , 吉丸克彥 , 中村芳信 , 島村宏之
IPC分类号： B22F , H01B
CPC分类号： B22F1/0014 , B22F1/0044 , B22F1/0055 , B22F1/0062 , B22F9/24 , B22F2001/0033 , H01B1/22 , H05K1/095
摘要：本發明之目的係提供一種成為微粒、粒度分布變得銳利、結晶子變大、具有良好之耐氧化性之薄片銅粉。為了達成該目的,因此,採用包含P且結晶子直徑/DIA成為0.01以上之薄片銅粉等。為了製造該薄片銅粉,因此,採用具有:調製包含銅鹽及配位化合劑之水溶液之第1製程、在該水溶液添加氫氧化鹼而調製包含氧化銅之第1漿體之第2製程、在該第1漿體添加可以將氧化銅還原成為氧化亞銅之第1還原劑而調製包含氧化亞銅之第2漿體之第3製程、以及在該第2漿體添加可以將氧化亞銅還原成為銅之第2還原劑而得到薄片銅粉之第4製程並且在前述第1製程-第3製程之至少一個製程及/或第4製程而在第2漿體來添加磷酸及其鹽之薄片銅粉之製造方法。
简体摘要：本发明之目的系提供一种成为微粒、粒度分布变得锐利、结晶子变大、具有良好之耐氧化性之薄片铜粉。为了达成该目的,因此,采用包含P且结晶子直径/DIA成为0.01以上之薄片铜粉等。为了制造该薄片铜粉,因此,采用具有:调制包含铜盐及配位化合剂之水溶液之第1制程、在该水溶液添加氢氧化碱而调制包含氧化铜之第1浆体之第2制程、在该第1浆体添加可以将氧化铜还原成为氧化亚铜之第1还原剂而调制包含氧化亚铜之第2浆体之第3制程、以及在该第2浆体添加可以将氧化亚铜还原成为铜之第2还原剂而得到薄片铜粉之第4制程并且在前述第1制程-第3制程之至少一个制程及/或第4制程而在第2浆体来添加磷酸及其盐之薄片铜粉之制造方法。

4. 发明专利

TW200621404A 薄片銅粉及其製造方法以及導電性糊审中-公开
简体标题：薄片铜粉及其制造方法以及导电性煳
公开(公告)号：TW200621404A
公开(公告)日：2006-07-01
申请号：TW094113080
申请日：2005-04-25
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人： 上貴彥 , 吉丸克彥 , 中村芳信 , 島村宏之
IPC分类号： B22F , H01B
CPC分类号： B22F1/0014 , B22F1/0044 , B22F1/0055 , B22F1/0062 , B22F9/24 , B22F2001/0033 , H01B1/22 , H05K1/095
摘要：本發明之目的係提供一種成為微粒、粒度分布變得銳利、結晶子變大、具有良好之耐氧化性之薄片銅粉。為了達成該目的，因此，採用包含P且結晶子直徑／D1A成為0.01以上之薄片銅粉等。為了製造該薄片銅粉，因此，採用具有：調製包含銅鹽及配位化合劑之水溶液之第1製程、在該水溶液添加氫氧化鹼而調製包含氧化銅之第1漿體之第2製程、在該第1漿體添加可以將氧化銅還原成為氧化亞銅之第1還原劑而調製包含氧化亞銅之第2漿體之第3製程、以及在該第2漿體添加可以將氧化亞銅還原成為銅之第2還原劑而得到薄片銅粉之第4製程並且在前述第1製程～第3製程之至少一個製程及／或第4製程而在第2漿體來添加磷酸及其鹽之薄片銅粉之製造方法。
简体摘要：本发明之目的系提供一种成为微粒、粒度分布变得锐利、结晶子变大、具有良好之耐氧化性之薄片铜粉。为了达成该目的，因此，采用包含P且结晶子直径／D1A成为0.01以上之薄片铜粉等。为了制造该薄片铜粉，因此，采用具有：调制包含铜盐及配位化合剂之水溶液之第1制程、在该水溶液添加氢氧化碱而调制包含氧化铜之第1浆体之第2制程、在该第1浆体添加可以将氧化铜还原成为氧化亚铜之第1还原剂而调制包含氧化亚铜之第2浆体之第3制程、以及在该第2浆体添加可以将氧化亚铜还原成为铜之第2还原剂而得到薄片铜粉之第4制程并且在前述第1制程～第3制程之至少一个制程及／或第4制程而在第2浆体来添加磷酸及其盐之薄片铜粉之制造方法。

5. 发明专利

TWI286090B 高結晶性銀粉及其製造方法失效
简体标题：高结晶性银粉及其制造方法
公开(公告)号：TWI286090B
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW094103609
申请日：2005-02-04
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：藤本卓 , 佐佐木卓也 , 吉丸克彥 , 島村宏之
IPC分类号： B22F
CPC分类号： B22F1/0044 , B22F9/24 , Y10T428/12014
摘要：本發明的目的在於提供一種高結晶性銀粉及其製造方法，其中係微粒、分散性良好、粒度分布不致太窄峭而比較寬緩、微晶較大者。為了達到此目的，此種高結晶性銀粉之製造方法的特徵在於：對於含有硝酸銀、分散劑以及硝酸之第1水溶液、與含有抗壞血酸之第2水溶液加以混合。前述分散劑係聚乙烯咯烷酮或明膠較佳。利用前述方法所製造的高結晶性銀粉係，微晶徑為300 以上、平均粒徑D50為0.5μm~10μm、於700℃的長度方向的熱收縮率為±3％以內的高結晶性銀粉。該銀粉係D90/D10為2.1~5.0較佳。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种高结晶性银粉及其制造方法，其中系微粒、分散性良好、粒度分布不致太窄峭而比较宽缓、微晶较大者。为了达到此目的，此种高结晶性银粉之制造方法的特征在于：对于含有硝酸银、分散剂以及硝酸之第1水溶液、与含有抗坏血酸之第2水溶液加以混合。前述分散剂系聚乙烯咯烷酮或明胶较佳。利用前述方法所制造的高结晶性银粉系，微晶径为300 以上、平均粒径D50为0.5μm~10μm、于700℃的长度方向的热收缩率为±3％以内的高结晶性银粉。该银粉系D90/D10为2.1~5.0较佳。

6. 发明专利

TW200536636A 高結晶性銀粉及其製造方法失效
简体标题：高结晶性银粉及其制造方法
公开(公告)号：TW200536636A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：TW094103609
申请日：2005-02-04
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：藤本卓 , 佐佐木卓也 , 吉丸克彥 , 島村宏之
IPC分类号： B22F
CPC分类号： B22F1/0044 , B22F9/24 , Y10T428/12014
摘要：本發明的目的在於提供一種高結晶性銀粉及其製造方法，其中係微粒、分散性良好、粒度分布不致太窄峭而比較寬緩、微晶較大者。為了達到此目的，此種高結晶性銀粉之製造方法的特徵在於；對於含有硝酸銀、分散劑以及硝酸之第1水溶液、與含有抗壞血酸之第2水溶液加以混合。前述分散劑係聚乙烯咯烷酮或明膠較佳。利用前述方法所製造的高結晶性銀粉係，微晶徑為300以上、平均粒徑D50為0.5μm～10μm、於700℃的長度方向的熱收縮率為±3％以內的高結晶性銀粉。該銀粉係D90／D10為2.1～5.0較佳。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种高结晶性银粉及其制造方法，其中系微粒、分散性良好、粒度分布不致太窄峭而比较宽缓、微晶较大者。为了达到此目的，此种高结晶性银粉之制造方法的特征在于；对于含有硝酸银、分散剂以及硝酸之第1水溶液、与含有抗坏血酸之第2水溶液加以混合。前述分散剂系聚乙烯咯烷酮或明胶较佳。利用前述方法所制造的高结晶性银粉系，微晶径为300以上、平均粒径D50为0.5μm～10μm、于700℃的长度方向的热收缩率为±3％以内的高结晶性银粉。该银粉系D90／D10为2.1～5.0较佳。

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