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1. 发明专利

TW201730374A 合成銀奈米板及經貴金屬塗覆之銀奈米板之方法,及其於透明膜中控制光色之用途审中-公开
简体标题：合成银奈米板及经贵金属涂覆之银奈米板之方法,及其于透明膜中控制光色之用途
公开(公告)号：TW201730374A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105140805
申请日：2016-12-09
申请人： C3奈米有限公司 , C3NANO INC.
发明人：胡永星 , HU, YONGXING , 洪承一 , HONG, ALEXANDER SEUNG-IL , 李英熙 , LI, YING-SYI , 楊希強 , YANG, XIQIANG , 曹亞棟 , CAO, YADONG , 維卡艾杰 , VIRKAR, AJAY
IPC分类号： C23C18/44 , G02B1/10
CPC分类号： H01B1/02 , B22F1/0018 , B22F1/0022 , B22F1/025 , B22F9/24 , B22F2001/0033 , C22B3/44 , C22B11/04 , Y02P10/234
摘要：本發明闡述用於較大規模銀奈米板合成之期望方法以及將貴金屬塗層施加於該等銀奈米板上以形成具有期望吸收光譜之經塗覆銀奈米板之方法。該等銀奈米板適用於塗層中以改變透明膜之色相。透明導電膜可尤其期望色相調節。
简体摘要：本发明阐述用于较大规模银奈米板合成之期望方法以及将贵金属涂层施加于该等银奈米板上以形成具有期望吸收光谱之经涂覆银奈米板之方法。该等银奈米板适用于涂层中以改变透明膜之色相。透明导电膜可尤其期望色相调节。

2. 发明专利

TWI324953B 薄片銅粉及導電性糊有权
简体标题：薄片铜粉及导电性煳
公开(公告)号：TWI324953B
公开(公告)日：2010-05-21
申请号：TW097110358
申请日：2005-04-25
申请人：三井金屬鑛業股份有限公司
发明人：坂上貴彥 , 吉丸克彥 , 中村芳信 , 島村宏之
IPC分类号： B22F , H01B
CPC分类号： B22F1/0014 , B22F1/0044 , B22F1/0055 , B22F1/0062 , B22F9/24 , B22F2001/0033 , H01B1/22 , H05K1/095
摘要：本發明之目的係提供一種成為微粒、粒度分布變得銳利、結晶子變大、具有良好之耐氧化性之薄片銅粉。為了達成該目的，因此，採用包含P且結晶子直徑/DIA成為0.01以上之薄片銅粉等。為了製造該薄片銅粉，因此，採用具有：調製包含銅鹽及配位化合劑之水溶液之第1製程、在該水溶液添加氫氧化鹼而調製包含氧化銅之第1漿體之第2製程、在該第1漿體添加可以將氧化銅還原成為氧化亞銅之第1還原劑而調製包含氧化亞銅之第2漿體之第3製程、以及在該第2漿體添加可以將氧化亞銅還原成為銅之第2還原劑而得到薄片銅粉之第4製程並且在前述第1製程~第3製程之至少一個製程及/或第4製程而在第2漿體來添加磷酸及其鹽之薄片銅粉之製造方法。【創作特點】在此種實情，本發明人係全心地進行檢討，結果，知道：適合於含有P之薄片銅粉、特別是具有特定粉體形狀之薄片銅粉來作為目的之導電性糊用。此外，發現：在此種薄片銅粉之濕式製造法，在還原起始原料中之銅鹽所包含之銅(Ⅱ)離子來析出銅粉之複數個製程中之至少一個製程而添加特定之磷酸及其鹽時，不進行例如專利文獻1之壓縮變形處理，得到粒徑小、結晶子直徑大且耐氧化性良好之薄片銅粉，並且，該薄片銅粉係粒度分布容易變得銳利；以致於完成本發明。
也就是說，本發明係提供一種以包含P來作為特徵之薄片銅粉。
此外，本發明係提供一種在空氣環境之熱重量測定(TG)下，氧化開始溫度在230℃以上之薄片銅粉。
此外，本發明提供一種薄片銅粉，其特徵在於：在表面形成有機表面處理層。
此外，提供一種薄片銅粉，其特徵在於：相對於前述薄片銅粉，前述有機表面處理層之被覆率為0.05重量%~2重量%。
此外，提供一種導電性糊，其特徵在於：包含本發明之薄片銅粉和樹脂。
本發明之薄片銅粉係並無經過壓縮變形操作，因此，不容易氧化或者是發生歪斜，在使用於導電性糊之狀態下，具有良好之脫媒時之耐氧化性、在糊中之分散性及導電性糊之填充性，能夠對於由銅厚膜所形成之電極或電路等，更加進行微細化。此外，本發明之導電性糊係具有良好之脫媒時之耐氧化性及填充性，能夠對於由銅厚膜所形成之電極或電路等，更加進行微細化，並且，可以讓得到之銅厚膜，具有良好之耐熱收縮性。
简体摘要：本发明之目的系提供一种成为微粒、粒度分布变得锐利、结晶子变大、具有良好之耐氧化性之薄片铜粉。为了达成该目的，因此，采用包含P且结晶子直径/DIA成为0.01以上之薄片铜粉等。为了制造该薄片铜粉，因此，采用具有：调制包含铜盐及配位化合剂之水溶液之第1制程、在该水溶液添加氢氧化碱而调制包含氧化铜之第1浆体之第2制程、在该第1浆体添加可以将氧化铜还原成为氧化亚铜之第1还原剂而调制包含氧化亚铜之第2浆体之第3制程、以及在该第2浆体添加可以将氧化亚铜还原成为铜之第2还原剂而得到薄片铜粉之第4制程并且在前述第1制程~第3制程之至少一个制程及/或第4制程而在第2浆体来添加磷酸及其盐之薄片铜粉之制造方法。【创作特点】在此种实情，本发明人系全心地进行检讨，结果，知道：适合于含有P之薄片铜粉、特别是具有特定粉体形状之薄片铜粉来作为目的之导电性煳用。此外，发现：在此种薄片铜粉之湿式制造法，在还原起始原料中之铜盐所包含之铜(Ⅱ)离子来析出铜粉之复数个制程中之至少一个制程而添加特定之磷酸及其盐时，不进行例如专利文献1之压缩变形处理，得到粒径小、结晶子直径大且耐氧化性良好之薄片铜粉，并且，该薄片铜粉系粒度分布容易变得锐利；以致于完成本发明。也就是说，本发明系提供一种以包含P来作为特征之薄片铜粉。此外，本发明系提供一种在空气环境之热重量测定(TG)下，氧化开始温度在230℃以上之薄片铜粉。此外，本发明提供一种薄片铜粉，其特征在于：在表面形成有机表面处理层。此外，提供一种薄片铜粉，其特征在于：相对于前述薄片铜粉，前述有机表面处理层之被覆率为0.05重量%~2重量%。此外，提供一种导电性煳，其特征在于：包含本发明之薄片铜粉和树脂。本发明之薄片铜粉系并无经过压缩变形操作，因此，不容易氧化或者是发生歪斜，在使用于导电性煳之状态下，具有良好之脱媒时之耐氧化性、在煳中之分散性及导电性煳之填充性，能够对于由铜厚膜所形成之电极或电路等，更加进行微细化。此外，本发明之导电性煳系具有良好之脱媒时之耐氧化性及填充性，能够对于由铜厚膜所形成之电极或电路等，更加进行微细化，并且，可以让得到之铜厚膜，具有良好之耐热收缩性。

3. 发明专利

TW200628248A 導電性粒子之製造方法、導電性糊料、以及電子元件之製造方法失效
简体标题：导电性粒子之制造方法、导电性煳料、以及电子组件之制造方法
公开(公告)号：TW200628248A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：TW094133726
申请日：2005-09-28
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：鈴木和孝 KAZUTAKA SUZUKI , 佐藤茂樹 SHIGEKI SATO
IPC分类号： B22F , B01D , H01G
CPC分类号： B22F1/025 , B22F2001/0033 , B22F2999/00 , H01B1/02 , H01B1/22 , H01G4/0085 , H01G4/12 , H01G4/30 , Y10T29/435 , B22F9/24
摘要：本發明的導電性粒子之製造方法係特別即使將內電極層的各厚度薄層化之情況時，仍可抑制燒成階段中的導電性粒子粒成長狀況，能有效的防止球狀化、電極不連續，可有效的抑制降低靜電電容狀況，且被覆層用金屬不致有異常偏析現象，能效率佳的製造由較薄被覆層覆蓋的核粒子。製造出具有：以鎳為主成分之核部51，以及覆蓋其周圍之被覆層52的導電性粒子之方法。將核用粉末、含有形成被覆層52之金屬或合金的水溶性金屬鹽、以及界面活性劑(或水溶性高分子化合物)進行混合，而在核用粉末的外表面上，還原析出形成被覆層52的金屬或合金。形成被覆層52的金屬或合金係以從Ru、Rh、Re及Pt中，至少選擇1種的元素為主成分。
简体摘要：本发明的导电性粒子之制造方法系特别即使将内电极层的各厚度薄层化之情况时，仍可抑制烧成阶段中的导电性粒子粒成长状况，能有效的防止球状化、电极不连续，可有效的抑制降低静电电容状况，且被覆层用金属不致有异常偏析现象，能效率佳的制造由较薄被覆层覆盖的核粒子。制造出具有：以镍为主成分之核部51，以及覆盖其周围之被覆层52的导电性粒子之方法。将核用粉末、含有形成被覆层52之金属或合金的水溶性金属盐、以及界面活性剂(或水溶性高分子化合物)进行混合，而在核用粉末的外表面上，还原析出形成被覆层52的金属或合金。形成被覆层52的金属或合金系以从Ru、Rh、Re及Pt中，至少选择1种的元素为主成分。

4. 发明专利

TWI553660B 金屬奈米片、用於製備彼之方法、導電性印墨組成物及包含彼之導電性薄膜有权
简体标题：金属奈米片、用于制备彼之方法、导电性印墨组成物及包含彼之导电性薄膜
公开(公告)号：TWI553660B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW103120505
申请日：2014-06-13
申请人： LG化學股份有限公司 , LG CHEM, LTD.
发明人：權元鍾 , KWON, WON-JONG , 朴世浩 , PARK, SE-HO , 尹城鎬 , YOON, SUNG-HO , 田如真 , JEON, YEO-JIN
IPC分类号： H01B1/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09D11/52 , H01B5/14
CPC分类号： C09D11/52 , B22F1/0003 , B22F1/0018 , B22F1/0059 , B22F1/0062 , B22F9/24 , B22F2001/0033 , B22F2009/245 , B22F2301/255 , B22F2304/056 , C09D11/03

5. 发明专利

TW201416458A 於不改變形貌下將低還原電位金屬轉換成高還原電位金屬之方法审中-公开
简体标题：于不改变形貌下将低还原电位金属转换成高还原电位金属之方法
公开(公告)号：TW201416458A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW101139747
申请日：2012-10-26
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：葉晨聖 , YEH, CHEN SHENG , 蔡明峯 , TSAI, MING FONG , 簡儀欣 , CHIEN, YI HSIN
IPC分类号： C22B5/00
CPC分类号： B32B15/018 , B22F1/0018 , B22F9/24 , B22F2001/0033 , B22F2001/0037 , C22C5/02 , C22C5/06 , C30B29/02 , C30B29/60
摘要：本發明係有關於一種於不改變形貌下將低還原電位金屬轉換成高還原電位金屬之方法，包括下列步驟：提供一第一金屬基材、及一反應溶液，其中反應溶液係包括一第二金屬前驅物、一陽離子介面活性劑及一弱還原劑；以及將第一金屬基材置於反應溶液中並反應一預定時間，以使第一金屬基材轉換成一第二金屬基材；其中，第一金屬基材之第一金屬之還原電位係小於第二金屬基材之第二金屬之還原電位，且第一金屬基材與第二金屬基材之外型係相同。
简体摘要：本发明系有关于一种于不改变形貌下将低还原电位金属转换成高还原电位金属之方法，包括下列步骤：提供一第一金属基材、及一反应溶液，其中反应溶液系包括一第二金属前驱物、一阳离子界面活性剂及一弱还原剂；以及将第一金属基材置于反应溶液中并反应一预定时间，以使第一金属基材转换成一第二金属基材；其中，第一金属基材之第一金属之还原电位系小于第二金属基材之第二金属之还原电位，且第一金属基材与第二金属基材之外型系相同。

6. 发明专利

TW201344705A 導電性微粉末、導電性糊及電子零件审中-公开
简体标题：导电性微粉末、导电性煳及电子零件
公开(公告)号：TW201344705A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102109788
申请日：2013-03-20
申请人：納普拉有限公司 , NAPRA CO., LTD.
发明人：關根重信 , SEKINE, SHIGENOBU , 關根由莉奈 , SEKINE, YURINA
IPC分类号： H01B1/22 , H05K3/12
CPC分类号： H01G4/008 , B22F1/0018 , B22F1/0059 , B22F1/0081 , B22F9/082 , B22F2001/0033 , B22F2009/084 , B22F2009/0888 , B22F2999/00 , B82Y30/00 , H01B1/22 , H01G4/0085 , H01G4/12 , H01G4/30 , B22F9/10 , B22F2202/13
摘要：導電性微粉末係含有扁平狀之金屬/合金微粒子。該扁平狀金屬/合金微粒子具有於母材中混合或生成有結晶或非結晶之奈米粒子之奈米複合構造，其最大厚度為50nm以下，最大直徑為該厚度之2倍以上，且含有高融點金屬與低融點金屬。
简体摘要：导电性微粉末系含有扁平状之金属/合金微粒子。该扁平状金属/合金微粒子具有于母材中混合或生成有结晶或非结晶之奈米粒子之奈米复合构造，其最大厚度为50nm以下，最大直径为该厚度之2倍以上，且含有高融点金属与低融点金属。

7. 发明专利

TWI293902B 導電性粒子之製造方法、導電性糊料、以及電子元件之製造方法失效
简体标题：导电性粒子之制造方法、导电性煳料、以及电子组件之制造方法
公开(公告)号：TWI293902B
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW094133726
申请日：2005-09-28
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：鈴木和孝 KAZUTAKA SUZUKI , 佐藤茂樹 SHIGEKI SATO
IPC分类号： B22F , B01D , H01G
CPC分类号： B22F1/025 , B22F2001/0033 , B22F2999/00 , H01B1/02 , H01B1/22 , H01G4/0085 , H01G4/12 , H01G4/30 , Y10T29/435 , B22F9/24
摘要：本發明的導電性粒子之製造方法係特別即使將內電極層的各厚度薄層化之情況時，仍可抑制燒成階段中的導電性粒子粒成長狀況，能有效的防止球狀化、電極不連續，可有效的抑制降低靜電電容狀況，且被覆層用金屬不致有異常偏析現象，能效率佳的製造由較薄被覆層覆蓋的核粒子。製造出具有：以鎳為主成分之核部51，以及覆蓋其周圍之被覆層52的導電性粒子之方法。將核用粉末、含有形成被覆層52之金屬或合金的水溶性金屬鹽、以及界面活性劑(或水溶性高分子化合物)進行混合，而在核用粉末的外表面上，還原析出形成被覆層52的金屬或合金。形成被覆層52的金屬或合金係以從Ru、Rh、Re及Pt中，至少選擇1種的元素為主成分。
简体摘要：本发明的导电性粒子之制造方法系特别即使将内电极层的各厚度薄层化之情况时，仍可抑制烧成阶段中的导电性粒子粒成长状况，能有效的防止球状化、电极不连续，可有效的抑制降低静电电容状况，且被覆层用金属不致有异常偏析现象，能效率佳的制造由较薄被覆层覆盖的核粒子。制造出具有：以镍为主成分之核部51，以及覆盖其周围之被覆层52的导电性粒子之方法。将核用粉末、含有形成被覆层52之金属或合金的水溶性金属盐、以及界面活性剂(或水溶性高分子化合物)进行混合，而在核用粉末的外表面上，还原析出形成被覆层52的金属或合金。形成被覆层52的金属或合金系以从Ru、Rh、Re及Pt中，至少选择1种的元素为主成分。

8. 发明专利

TWI350821B 用於製備奈米等級之零價金屬的方法 PROCESS FOR PRODUCING A NANOSCALE ZERO-VALENT METAL 失效
简体标题：用于制备奈米等级之零价金属的方法 PROCESS FOR PRODUCING A NANOSCALE ZERO-VALENT METAL
公开(公告)号：TWI350821B
公开(公告)日：2011-10-21
申请号：TW093115310
申请日：2004-05-28
申请人：環境生物科技有限公司
发明人：菲茲安德魯 , 古恩金 , 渥特大衛
IPC分类号： C01G , B22F , B01J
CPC分类号： B22F9/24 , B01J13/0043 , B01J23/745 , B01J35/006 , B01J37/031 , B22F2001/0033 , B22F2998/00 , C02F1/705 , Y10T428/12181 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993 , Y10T428/2995 , Y10T428/2996 , B22F1/0022
摘要：本發明描述一種用於產生奈米層級零價金屬的方法，其包括有以一二硫磺酸鹽化合物進行金屬離子溶液的還原反應，其中該還原反應係在一鹼性情況下與在一實質上為惰性之環境下進行。奇異說明此一方法可以獲得奈米層級零價金屬，且其係為一新的結晶形式。本發明的方法所產生的奈米層級零價金屬係較佳地為鐵，且其係有利地可以用於污染水的回復。
简体摘要：本发明描述一种用于产生奈米层级零价金属的方法，其包括有以一二硫磺酸盐化合物进行金属离子溶液的还原反应，其中该还原反应系在一碱性情况下与在一实质上为惰性之环境下进行。奇异说明此一方法可以获得奈米层级零价金属，且其系为一新的结晶形式。本发明的方法所产生的奈米层级零价金属系较佳地为铁，且其系有利地可以用于污染水的回复。

9. 发明专利

TW201120916A 含微小金屬粒子之組成物 MICRO METAL PARTICLE COMPOSITION 审中-公开
简体标题：含微小金属粒子之组成物 MICRO METAL PARTICLE COMPOSITION
公开(公告)号：TW201120916A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW099140787
申请日：2010-11-25
申请人：特線工業股份有限公司
发明人：金仁洙 , 李昌根 , 北藤寬貴
IPC分类号： H01B , B22F
CPC分类号： B22F1/0062 , B22F1/0018 , B22F1/0059 , B22F1/0081 , B22F1/02 , B22F9/26 , B22F2001/0033 , B82Y30/00 , H01B1/02 , H01B1/22 , Y10T428/2991
摘要：含微小銀粒子之組成物是由多數個微小銀粒子2、以及覆蓋各銀粒子2的表面的塗層4所構成。此銀粒子2是所謂的奈米粒子。此銀粒子2為鱗片狀。塗層4是由有機化合物所構成。此有機化合物附著於銀粒子2。此有機化合物抑制銀粒子2的凝聚。此組成物呈現糕餅狀。有機化合物相對於組成物的總量之重量比率為2％以上、15％以下。
简体摘要：含微小银粒子之组成物是由多数个微小银粒子2、以及覆盖各银粒子2的表面的涂层4所构成。此银粒子2是所谓的奈米粒子。此银粒子2为鳞片状。涂层4是由有机化合物所构成。此有机化合物附着于银粒子2。此有机化合物抑制银粒子2的凝聚。此组成物呈现糕饼状。有机化合物相对于组成物的总量之重量比率为2％以上、15％以下。

10. 发明专利

TW200840666A 薄片銅粉及其製造方法以及導電性糊审中-公开
简体标题：薄片铜粉及其制造方法以及导电性煳
公开(公告)号：TW200840666A
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：TW097110358
申请日：2005-04-25
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人： 上貴彥 , 吉丸克彥 , 中村芳信 , 島村宏之
IPC分类号： B22F , H01B
CPC分类号： B22F1/0014 , B22F1/0044 , B22F1/0055 , B22F1/0062 , B22F9/24 , B22F2001/0033 , H01B1/22 , H05K1/095
摘要：本發明之目的係提供一種成為微粒、粒度分布變得銳利、結晶子變大、具有良好之耐氧化性之薄片銅粉。為了達成該目的,因此,採用包含P且結晶子直徑/DIA成為0.01以上之薄片銅粉等。為了製造該薄片銅粉,因此,採用具有:調製包含銅鹽及配位化合劑之水溶液之第1製程、在該水溶液添加氫氧化鹼而調製包含氧化銅之第1漿體之第2製程、在該第1漿體添加可以將氧化銅還原成為氧化亞銅之第1還原劑而調製包含氧化亞銅之第2漿體之第3製程、以及在該第2漿體添加可以將氧化亞銅還原成為銅之第2還原劑而得到薄片銅粉之第4製程並且在前述第1製程-第3製程之至少一個製程及/或第4製程而在第2漿體來添加磷酸及其鹽之薄片銅粉之製造方法。
简体摘要：本发明之目的系提供一种成为微粒、粒度分布变得锐利、结晶子变大、具有良好之耐氧化性之薄片铜粉。为了达成该目的,因此,采用包含P且结晶子直径/DIA成为0.01以上之薄片铜粉等。为了制造该薄片铜粉,因此,采用具有:调制包含铜盐及配位化合剂之水溶液之第1制程、在该水溶液添加氢氧化碱而调制包含氧化铜之第1浆体之第2制程、在该第1浆体添加可以将氧化铜还原成为氧化亚铜之第1还原剂而调制包含氧化亚铜之第2浆体之第3制程、以及在该第2浆体添加可以将氧化亚铜还原成为铜之第2还原剂而得到薄片铜粉之第4制程并且在前述第1制程-第3制程之至少一个制程及/或第4制程而在第2浆体来添加磷酸及其盐之薄片铜粉之制造方法。

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