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    • 3. 发明专利
    • 薄片狀銀粉之製造方法及由此製造方法製出之薄片狀銀粉
    • 薄片状银粉之制造方法及由此制造方法制出之薄片状银粉
    • TW200730274A
    • 2007-08-16
    • TW095134783
    • 2006-09-20
    • 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
    • 藤本卓佐佐木卓也吉丸克
    • B22F
    • B22F1/0055B22F9/04B22F2009/043B22F2998/10H05K1/095B22F1/0048B22F1/0074
    • 目的在於提供一種粉體特性優異、且使用於導電性膏劑而能夠在進行導體形成時防止導體電阻上昇以確實防止導電性降低的薄片狀銀粉之製造方法及以此製造方法所製得的薄片狀銀粉。為了達到此目的而採用一種薄片狀銀粉之製造方法,其特徵在於:具有以下步驟:使由略球形的銀粒子所形成的微粒銀粉分散於溶劑中以配成漿料之分散步驟;將前述漿料與粒徑0.2mm以下的介質珠粒置入珠粒磨機內加以混合攪拌,使各銀粒子塑性變形而製成薄片狀銀粉之加工步驟;使前述漿料與前述介質珠粒分離而採取前述薄片狀銀粉之分取步驟;以及藉由將所採取的前述薄片狀銀粉加以清洗、乾燥,以去除不純物與水分而得到薄片狀銀粉之清洗乾燥步驟。
    • 目的在于提供一种粉体特性优异、且使用于导电性膏剂而能够在进行导体形成时防止导体电阻上升以确实防止导电性降低的薄片状银粉之制造方法及以此制造方法所制得的薄片状银粉。为了达到此目的而采用一种薄片状银粉之制造方法,其特征在于:具有以下步骤:使由略球形的银粒子所形成的微粒银粉分散于溶剂中以配成浆料之分散步骤;将前述浆料与粒径0.2mm以下的介质珠粒置入珠粒磨机内加以混合搅拌,使各银粒子塑性变形而制成薄片状银粉之加工步骤;使前述浆料与前述介质珠粒分离而采取前述薄片状银粉之分取步骤;以及借由将所采取的前述薄片状银粉加以清洗、干燥,以去除不纯物与水分而得到薄片状银粉之清洗干燥步骤。
    • 6. 发明专利
    • 高結晶銀粉與該高結晶銀粉之製造方法
    • 高结晶银粉与该高结晶银粉之制造方法
    • TW200719992A
    • 2007-06-01
    • TW095124458
    • 2006-07-05
    • 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
    • 藤本卓吉丸克彥佐佐木卓也
    • B22F
    • B22F9/24B22F1/0044
    • 一種含有微粒領域的粉粒之高結晶性的銀粉,其目的在於提供一種具有良好粒度分布的高結晶性銀粉之製造方法以及利用該製造方法所得到的高結晶性銀粉。為了達成此目的,作為製造銀粉的方法係採用一種高結晶銀粉之製造方法,其特徵在於:將明膠、硝酸銀與硝酸溶解於水中而液溫為45℃~55℃的第1水溶液;以及使左旋山梨酸及/或抗壞血酸與水溶性有機酸溶解的第2水溶液,調製此兩種水溶液,對第1水溶液緩緩添加第2水溶液,添加完成後,加以攪拌進行粒子成長以生成銀粒子,其後,靜置使銀粒子沈降後,丟棄上層澄清液,施予過濾、清洗,而得到高結晶銀粉。
    • 一种含有微粒领域的粉粒之高结晶性的银粉,其目的在于提供一种具有良好粒度分布的高结晶性银粉之制造方法以及利用该制造方法所得到的高结晶性银粉。为了达成此目的,作为制造银粉的方法系采用一种高结晶银粉之制造方法,其特征在于:将明胶、硝酸银与硝酸溶解于水中而液温为45℃~55℃的第1水溶液;以及使左旋山梨酸及/或抗坏血酸与水溶性有机酸溶解的第2水溶液,调制此两种水溶液,对第1水溶液缓缓添加第2水溶液,添加完成后,加以搅拌进行粒子成长以生成银粒子,其后,静置使银粒子沈降后,丢弃上层澄清液,施予过滤、清洗,而得到高结晶银粉。
    • 7. 发明专利
    • 高結晶性銀粉及其製造方法
    • 高结晶性银粉及其制造方法
    • TWI286090B
    • 2007-09-01
    • TW094103609
    • 2005-02-04
    • 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
    • 藤本卓佐佐木卓也吉丸克彥島村宏之
    • B22F
    • B22F1/0044B22F9/24Y10T428/12014
    • 本發明的目的在於提供一種高結晶性銀粉及其製造方法,其中係微粒、分散性良好、粒度分布不致太窄峭而比較寬緩、微晶較大者。為了達到此目的,此種高結晶性銀粉之製造方法的特徵在於:對於含有硝酸銀、分散劑以及硝酸之第1水溶液、與含有抗壞血酸之第2水溶液加以混合。前述分散劑係聚乙烯咯烷酮或明膠較佳。利用前述方法所製造的高結晶性銀粉係,微晶徑為300 以上、平均粒徑D50為0.5μm~10μm、於700℃的長度方向的熱收縮率為±3%以內的高結晶性銀粉。該銀粉係D90/D10為2.1~5.0較佳。
    • 本发明的目的在于提供一种高结晶性银粉及其制造方法,其中系微粒、分散性良好、粒度分布不致太窄峭而比较宽缓、微晶较大者。为了达到此目的,此种高结晶性银粉之制造方法的特征在于:对于含有硝酸银、分散剂以及硝酸之第1水溶液、与含有抗坏血酸之第2水溶液加以混合。前述分散剂系聚乙烯咯烷酮或明胶较佳。利用前述方法所制造的高结晶性银粉系,微晶径为300 以上、平均粒径D50为0.5μm~10μm、于700℃的长度方向的热收缩率为±3%以内的高结晶性银粉。该银粉系D90/D10为2.1~5.0较佳。
    • 9. 发明专利
    • 高結晶性銀粉及其製造方法
    • 高结晶性银粉及其制造方法
    • TW200536636A
    • 2005-11-16
    • TW094103609
    • 2005-02-04
    • 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
    • 藤本卓佐佐木卓也吉丸克彥島村宏之
    • B22F
    • B22F1/0044B22F9/24Y10T428/12014
    • 本發明的目的在於提供一種高結晶性銀粉及其製造方法,其中係微粒、分散性良好、粒度分布不致太窄峭而比較寬緩、微晶較大者。為了達到此目的,此種高結晶性銀粉之製造方法的特徵在於;對於含有硝酸銀、分散劑以及硝酸之第1水溶液、與含有抗壞血酸之第2水溶液加以混合。前述分散劑係聚乙烯咯烷酮或明膠較佳。利用前述方法所製造的高結晶性銀粉係,微晶徑為300以上、平均粒徑D50為0.5μm~10μm、於700℃的長度方向的熱收縮率為±3%以內的高結晶性銀粉。該銀粉係D90/D10為2.1~5.0較佳。
    • 本发明的目的在于提供一种高结晶性银粉及其制造方法,其中系微粒、分散性良好、粒度分布不致太窄峭而比较宽缓、微晶较大者。为了达到此目的,此种高结晶性银粉之制造方法的特征在于;对于含有硝酸银、分散剂以及硝酸之第1水溶液、与含有抗坏血酸之第2水溶液加以混合。前述分散剂系聚乙烯咯烷酮或明胶较佳。利用前述方法所制造的高结晶性银粉系,微晶径为300以上、平均粒径D50为0.5μm~10μm、于700℃的长度方向的热收缩率为±3%以内的高结晶性银粉。该银粉系D90/D10为2.1~5.0较佳。