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1. 发明专利

TWI652358B 銅粉、其製造方法、及含有其之導電性組合物有权
简体标题：铜粉、其制造方法、及含有其之导电性组合物
公开(公告)号：TWI652358B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW104118953
申请日：2015-06-11
申请人：日商三井金屬鑛業股份有限公司 , MITSUI MINING & SMELTING COMPANY, LTD.
发明人：坂上貴彥 , SAKAUE, TAKAHIKO , 小神陽一 , KOGAMI, YOICHI , 穴井圭 , ANAI, KEI
IPC分类号： C22C9/00 , B22F1/02 , B22F9/02 , H01B1/22 , H05K3/32 , H05K3/42

2. 发明专利

TW201627369A 導電性組合物及佈線基板及其製造方法审中-公开
简体标题：导电性组合物及布线基板及其制造方法
公开(公告)号：TW201627369A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104139976
申请日：2015-11-30
申请人：三井金屬鑛業股份有限公司 , MITSUI MINING & SMELTING COMPANY, LTD.
发明人：穴井圭 , ANAI, KEI , 稲場慎太郎 , INABA, SHINTARO , 坂上貴彥 , SAKAUE, TAKAHIKO , 小神陽一 , KOGAMI, YOICHI
IPC分类号： C08K3/08 , C08L63/00 , C08G59/42 , H01B1/22 , H05K1/11 , H05K3/40
CPC分类号： C08G59/42 , C08K3/00 , H01B1/22 , H05K1/09 , H05K1/11 , H05K3/40
摘要：本發明之導電性組合物包含導電性填料、環氧樹脂、及該環氧樹脂之硬化劑。上述硬化劑包含至少1種酸酐。上述酸酐係相對於上述環氧樹脂之環氧基1莫耳當量而包含0.4莫耳當量以上、1.2莫耳當量以下。上述環氧樹脂及上述硬化劑以其等之合計量計，較佳為相對於上述導電性填料之合計量而包含3質量%以上、35質量%以下。上述導電性填料包含銅基粉或/及銀基粉亦較佳。
简体摘要：本发明之导电性组合物包含导电性填料、环氧树脂、及该环氧树脂之硬化剂。上述硬化剂包含至少1种酸酐。上述酸酐系相对于上述环氧树脂之环氧基1莫耳当量而包含0.4莫耳当量以上、1.2莫耳当量以下。上述环氧树脂及上述硬化剂以其等之合计量计，较佳为相对于上述导电性填料之合计量而包含3质量%以上、35质量%以下。上述导电性填料包含铜基粉或/及银基粉亦较佳。

3. 发明专利

TW201606101A 銅粉、其製造方法、及含有其之導電性組合物审中-公开
简体标题：铜粉、其制造方法、及含有其之导电性组合物
公开(公告)号：TW201606101A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104118953
申请日：2015-06-11
申请人：三井金屬鑛業股份有限公司 , MITSUI MINING & SMELTING COMPANY, LTD.
发明人：坂上貴彥 , SAKAUE, TAKAHIKO , 小神陽一 , KOGAMI, YOICHI , 穴井圭 , ANAI, KEI
IPC分类号： C22C9/00 , B22F1/02 , B22F9/02 , H01B1/22 , H05K3/32 , H05K3/42
CPC分类号： B22F1/00 , B22F1/02 , B22F9/04 , H01B1/00 , H01B1/22 , H01B5/00 , H01B13/00
摘要：本發明之銅粉包含銅粒子、或於銅芯材之表面上被覆銅以外之金屬而成之粒子。對一次粒子進行圖像分析所得之投影面積圓當量徑為0.1μm以上且4.0μm以下。以[最大徑×最大徑×π÷(4×投影面積)]所定義之由一次粒子之圖像分析所得的形狀係數之值為1.8以上且3.5以下。較佳為對一次粒子進行圖像分析所得之投影面積圓當量徑/周長圓當量徑之值為0.40以上且0.65以下。亦較佳為於將對20mmΦ之面積施加0.63kN之實際負重時之壓粉密度設為ρ0.63，將此時之壓粉比電阻設為R0.63時，ρ0.63之值為3.0g/cm3以上5.0g/cm3以下，R0.63之值為9.0×10-1Ωcm以下。
简体摘要：本发明之铜粉包含铜粒子、或于铜芯材之表面上被覆铜以外之金属而成之粒子。对一次粒子进行图像分析所得之投影面积圆当量径为0.1μm以上且4.0μm以下。以[最大径×最大径×π÷(4×投影面积)]所定义之由一次粒子之图像分析所得的形状系数之值为1.8以上且3.5以下。较佳为对一次粒子进行图像分析所得之投影面积圆当量径/周长圆当量径之值为0.40以上且0.65以下。亦较佳为于将对20mmΦ之面积施加0.63kN之实际负重时之压粉密度设为ρ0.63，将此时之压粉比电阻设为R0.63时，ρ0.63之值为3.0g/cm3以上5.0g/cm3以下，R0.63之值为9.0×10-1Ωcm以下。

4. 发明专利

TW201412435A 複合銅粒子及其製造方法审中-公开
简体标题：复合铜粒子及其制造方法
公开(公告)号：TW201412435A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102124291
申请日：2013-07-05
申请人：三井金屬鑛業股份有限公司 , MITSUI MINING & SMELTING COMPANY, LTD.
发明人：兒平壽博 , KOHIRA, TOSHIHIRO , 佐佐木隆史 , SASAKI, TAKAFUMI , 青木慎司 , AOKI, SHINJI , 坂上貴彥 , SAKAUE, TAKAHIKO
IPC分类号： B22F1/02 , B22F9/24 , H01B1/22
CPC分类号： H01B1/026 , B22F1/025 , B22F9/24 , C22C9/02 , H01B1/22 , H01B13/0026 , Y10T428/12181
摘要：本發明之複合銅粒子具有包含銅之核心粒子、及配置於該核心粒子之表面且包含銅與錫之合金之被覆層，累積體積50容量%時之體積累積粒徑D50為0.1~10.0 μm。上述合金較佳為CuSn。亦較佳為含有錫3.0~12.0質量%。該複合銅粒子係藉由將含有包含銅之核心粒子及錫源之化合物之水性漿料與錫之還原劑混合，於該核心粒子之表面形成包含銅與錫之合金之被覆層而較好地製造。
简体摘要：本发明之复合铜粒子具有包含铜之内核粒子、及配置于该内核粒子之表面且包含铜与锡之合金之被覆层，累积体积50容量%时之体积累积粒径D50为0.1~10.0 μm。上述合金较佳为CuSn。亦较佳为含有锡3.0~12.0质量%。该复合铜粒子系借由将含有包含铜之内核粒子及锡源之化合物之水性浆料与锡之还原剂混合，于该内核粒子之表面形成包含铜与锡之合金之被覆层而较好地制造。

5. 发明专利

TWI316430B 薄片銅粉及其製造方法以及導電性糊有权
简体标题：薄片铜粉及其制造方法以及导电性煳
公开(公告)号：TWI316430B
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW094113080
申请日：2005-04-25
申请人：三井金屬鑛業股份有限公司
发明人：坂上貴彥 , 吉丸克彥 , 中村芳信 , 島村宏之
IPC分类号： B22F , H01B
CPC分类号： B22F1/0014 , B22F1/0044 , B22F1/0055 , B22F1/0062 , B22F9/24 , B22F2001/0033 , H01B1/22 , H05K1/095
摘要：本發明之目的係提供一種成為微粒、粒度分布變得銳利、結晶子變大、具有良好之耐氧化性之薄片銅粉。為了達成該目的，因此，採用包含P且結晶子直徑/DIA成為0.01以上之薄片銅粉等。為了製造該薄片銅粉，因此，採用具有：調製包含銅鹽及配位化合劑之水溶液之第1製程、在該水溶液添加氫氧化鹼而調製包含氧化銅之第1漿體之第2製程、在該第1漿體添加可以將氧化銅還原成為氧化亞銅之第1還原劑而調製包含氧化亞銅之第2漿體之第3製程、以及在該第2漿體添加可以將氧化亞銅還原成為銅之第2還原劑而得到薄片銅粉之第4製程並且在前述第1製程~第3製程之至少一個製程及/或第4製程而在第2漿體來添加磷酸及其鹽之薄片銅粉之製造方法。
简体摘要：本发明之目的系提供一种成为微粒、粒度分布变得锐利、结晶子变大、具有良好之耐氧化性之薄片铜粉。为了达成该目的，因此，采用包含P且结晶子直径/DIA成为0.01以上之薄片铜粉等。为了制造该薄片铜粉，因此，采用具有：调制包含铜盐及配位化合剂之水溶液之第1制程、在该水溶液添加氢氧化碱而调制包含氧化铜之第1浆体之第2制程、在该第1浆体添加可以将氧化铜还原成为氧化亚铜之第1还原剂而调制包含氧化亚铜之第2浆体之第3制程、以及在该第2浆体添加可以将氧化亚铜还原成为铜之第2还原剂而得到薄片铜粉之第4制程并且在前述第1制程~第3制程之至少一个制程及/或第4制程而在第2浆体来添加磷酸及其盐之薄片铜粉之制造方法。

6. 发明专利

TWI324953B 薄片銅粉及導電性糊有权
简体标题：薄片铜粉及导电性煳
公开(公告)号：TWI324953B
公开(公告)日：2010-05-21
申请号：TW097110358
申请日：2005-04-25
申请人：三井金屬鑛業股份有限公司
发明人：坂上貴彥 , 吉丸克彥 , 中村芳信 , 島村宏之
IPC分类号： B22F , H01B
CPC分类号： B22F1/0014 , B22F1/0044 , B22F1/0055 , B22F1/0062 , B22F9/24 , B22F2001/0033 , H01B1/22 , H05K1/095
摘要：本發明之目的係提供一種成為微粒、粒度分布變得銳利、結晶子變大、具有良好之耐氧化性之薄片銅粉。為了達成該目的，因此，採用包含P且結晶子直徑/DIA成為0.01以上之薄片銅粉等。為了製造該薄片銅粉，因此，採用具有：調製包含銅鹽及配位化合劑之水溶液之第1製程、在該水溶液添加氫氧化鹼而調製包含氧化銅之第1漿體之第2製程、在該第1漿體添加可以將氧化銅還原成為氧化亞銅之第1還原劑而調製包含氧化亞銅之第2漿體之第3製程、以及在該第2漿體添加可以將氧化亞銅還原成為銅之第2還原劑而得到薄片銅粉之第4製程並且在前述第1製程~第3製程之至少一個製程及/或第4製程而在第2漿體來添加磷酸及其鹽之薄片銅粉之製造方法。【創作特點】在此種實情，本發明人係全心地進行檢討，結果，知道：適合於含有P之薄片銅粉、特別是具有特定粉體形狀之薄片銅粉來作為目的之導電性糊用。此外，發現：在此種薄片銅粉之濕式製造法，在還原起始原料中之銅鹽所包含之銅(Ⅱ)離子來析出銅粉之複數個製程中之至少一個製程而添加特定之磷酸及其鹽時，不進行例如專利文獻1之壓縮變形處理，得到粒徑小、結晶子直徑大且耐氧化性良好之薄片銅粉，並且，該薄片銅粉係粒度分布容易變得銳利；以致於完成本發明。
也就是說，本發明係提供一種以包含P來作為特徵之薄片銅粉。
此外，本發明係提供一種在空氣環境之熱重量測定(TG)下，氧化開始溫度在230℃以上之薄片銅粉。
此外，本發明提供一種薄片銅粉，其特徵在於：在表面形成有機表面處理層。
此外，提供一種薄片銅粉，其特徵在於：相對於前述薄片銅粉，前述有機表面處理層之被覆率為0.05重量%~2重量%。
此外，提供一種導電性糊，其特徵在於：包含本發明之薄片銅粉和樹脂。
本發明之薄片銅粉係並無經過壓縮變形操作，因此，不容易氧化或者是發生歪斜，在使用於導電性糊之狀態下，具有良好之脫媒時之耐氧化性、在糊中之分散性及導電性糊之填充性，能夠對於由銅厚膜所形成之電極或電路等，更加進行微細化。此外，本發明之導電性糊係具有良好之脫媒時之耐氧化性及填充性，能夠對於由銅厚膜所形成之電極或電路等，更加進行微細化，並且，可以讓得到之銅厚膜，具有良好之耐熱收縮性。
简体摘要：本发明之目的系提供一种成为微粒、粒度分布变得锐利、结晶子变大、具有良好之耐氧化性之薄片铜粉。为了达成该目的，因此，采用包含P且结晶子直径/DIA成为0.01以上之薄片铜粉等。为了制造该薄片铜粉，因此，采用具有：调制包含铜盐及配位化合剂之水溶液之第1制程、在该水溶液添加氢氧化碱而调制包含氧化铜之第1浆体之第2制程、在该第1浆体添加可以将氧化铜还原成为氧化亚铜之第1还原剂而调制包含氧化亚铜之第2浆体之第3制程、以及在该第2浆体添加可以将氧化亚铜还原成为铜之第2还原剂而得到薄片铜粉之第4制程并且在前述第1制程~第3制程之至少一个制程及/或第4制程而在第2浆体来添加磷酸及其盐之薄片铜粉之制造方法。【创作特点】在此种实情，本发明人系全心地进行检讨，结果，知道：适合于含有P之薄片铜粉、特别是具有特定粉体形状之薄片铜粉来作为目的之导电性煳用。此外，发现：在此种薄片铜粉之湿式制造法，在还原起始原料中之铜盐所包含之铜(Ⅱ)离子来析出铜粉之复数个制程中之至少一个制程而添加特定之磷酸及其盐时，不进行例如专利文献1之压缩变形处理，得到粒径小、结晶子直径大且耐氧化性良好之薄片铜粉，并且，该薄片铜粉系粒度分布容易变得锐利；以致于完成本发明。也就是说，本发明系提供一种以包含P来作为特征之薄片铜粉。此外，本发明系提供一种在空气环境之热重量测定(TG)下，氧化开始温度在230℃以上之薄片铜粉。此外，本发明提供一种薄片铜粉，其特征在于：在表面形成有机表面处理层。此外，提供一种薄片铜粉，其特征在于：相对于前述薄片铜粉，前述有机表面处理层之被覆率为0.05重量%~2重量%。此外，提供一种导电性煳，其特征在于：包含本发明之薄片铜粉和树脂。本发明之薄片铜粉系并无经过压缩变形操作，因此，不容易氧化或者是发生歪斜，在使用于导电性煳之状态下，具有良好之脱媒时之耐氧化性、在煳中之分散性及导电性煳之填充性，能够对于由铜厚膜所形成之电极或电路等，更加进行微细化。此外，本发明之导电性煳系具有良好之脱媒时之耐氧化性及填充性，能够对于由铜厚膜所形成之电极或电路等，更加进行微细化，并且，可以让得到之铜厚膜，具有良好之耐热收缩性。

7. 发明专利

TWI455777B 銅粉之製造方法及銅粉有权
简体标题：铜粉之制造方法及铜粉
公开(公告)号：TWI455777B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW097136051
申请日：2008-09-19
申请人：三井金屬鑛業股份有限公司 , MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：青木晃 , 中村芳信 , 坂上貴彥
IPC分类号： B22F9/24 , B22F1/00 , C22C9/00
CPC分类号： B22F9/24 , B22F1/0014

8. 发明专利

TW201114689A 氧化錫粒子及氧化錫溶膠之製造方法审中-公开
简体标题：氧化锡粒子及氧化锡溶胶之制造方法
公开(公告)号：TW201114689A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW099118608
申请日：2010-06-08
申请人：三井金屬鑛業股份有限公司
发明人：熊谷彰記 , 奈良昭浩 , 坂上貴彥 , 八島勇 , 茂出木曉宏 , 加藤和彥 , 鈴岡健司
IPC分类号： C01G , B01J
摘要：本發明之氧化錫粒子之特徵在於：含有在2價~4價範圍內價數不同之複數種錫，實質上不含摻雜物元素，且具有導電性。該氧化錫粒子係將含2價錫之水溶液與鹼混合，於液中生成2價錫之氫氧化物，將所生成之2價錫之氫氧化物於液中氧化，將2價錫之一部份氧化成大於2價且4價以下之錫，而可較佳地製造。此時，以使混合有含2價錫之水溶液與鹼之液體之pH值成1~7之方式混合該鹼。
简体摘要：本发明之氧化锡粒子之特征在于：含有在2价~4价范围内价数不同之复数种锡，实质上不含掺杂物元素，且具有导电性。该氧化锡粒子系将含2价锡之水溶液与碱混合，于液中生成2价锡之氢氧化物，将所生成之2价锡之氢氧化物于液中氧化，将2价锡之一部份氧化成大于2价且4价以下之锡，而可较佳地制造。此时，以使混合有含2价锡之水溶液与碱之液体之pH值成1~7之方式混合该碱。

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