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    • 3. 发明专利
    • 半導體晶圓表面保護用黏著膜及使用該黏著膜之半導體晶圓之背面加工方法
    • 半导体晶圆表面保护用黏着膜及使用该黏着膜之半导体晶圆之背面加工方法
    • TW200301929A
    • 2003-07-16
    • TW091135933
    • 2002-12-12
    • 三井化學股份有限公司 MITSUI CHEMICALS, INC.
    • 福本英樹小清水孝信片岡真才本芳久
    • H01LC09J
    • H01L21/6836C09J7/22C09J2203/326H01L2221/68327
    • 【課題】本發明提供一種半導體晶圓表面保護用黏著膜,即使將半導體晶圓厚度薄層化到150μm以下,也能防止晶圓翹曲,能在晶圓不破損的前提下輕易地予以剝離。【解決手段】一種半導體晶圓表面保護用黏著膜,是在基材膜之一表面上形成有黏著劑層者;其特徵在於,基材膜係至少含有一層備有下述要件A、以及要件B或C中至少一要件之層:要件A:於50℃之膜軟硬度值介於0.08~1.50N範圍內的高剛性特性(A);要件B:於90℃之膜軟硬度值為50℃之膜軟硬度值的三分之一以下的特性(B);件C:於23℃、90%RH經過4小時吸水後的尺寸變化率為0.05~0.5%的吸水膨脹性高彈性模數特性(C)。
    • 【课题】本发明提供一种半导体晶圆表面保护用黏着膜,即使将半导体晶圆厚度薄层化到150μm以下,也能防止晶圆翘曲,能在晶圆不破损的前提下轻易地予以剥离。【解决手段】一种半导体晶圆表面保护用黏着膜,是在基材膜之一表面上形成有黏着剂层者;其特征在于,基材膜系至少含有一层备有下述要件A、以及要件B或C中至少一要件之层:要件A:于50℃之膜软硬度值介于0.08~1.50N范围内的高刚性特性(A);要件B:于90℃之膜软硬度值为50℃之膜软硬度值的三分之一以下的特性(B);件C:于23℃、90%RH经过4小时吸水后的尺寸变化率为0.05~0.5%的吸水膨胀性高弹性模数特性(C)。