专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI575571B 部分熔融膜之非週期性脈衝處理系統及方法有权
简体标题：部分熔融膜之非周期性脉冲处理系统及方法
公开(公告)号：TWI575571B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW099137825
申请日：2010-11-03
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 , THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：埃恩詹姆士S , IM, JAMES S. , 鄧宜康 , DENG, YIKANG , 胡瓊英 , HU, QIONGYING , 鄭于津 , CHUNG, UI-JIN , 利馬諾夫亞歷山大B , LIMANOV, ALEXANDER B.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02686 , B23K26/0081 , B23K26/083 , B23K2201/40 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/02691 , H01L21/268 , H01L21/67115 , H01L21/707 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66765 , H01L29/78678

2. 发明专利

TWI556284B 非週期性脈衝連續橫向結晶之系統及方法有权
简体标题：非周期性脉冲连续横向结晶之系统及方法
公开(公告)号：TWI556284B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW099114697
申请日：2010-05-07
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 , THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：林詹姆斯S , IM, JAMES S. , 鄭于津 , CHUNG, UI-JIN , 利馬諾夫亞歷山大B , LIMANOV, ALEXANDER B. , 凡迪爾偉特保羅C , VAN DERWILT, PAUL C.
IPC分类号： H01L21/20 , C30B33/04

3. 发明专利

TW201123269A 非週期性脈衝連續橫向結晶之系統及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR NON-PERIODIC PULSE SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION 审中-公开
简体标题：非周期性脉冲连续横向结晶之系统及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR NON-PERIODIC PULSE SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION
公开(公告)号：TW201123269A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW099114697
申请日：2010-05-07
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會
发明人：林詹姆斯S , 鄭于津 , 利馬諾夫亞歷山大B , 凡迪爾偉特保羅C
IPC分类号： H01L , C30B
摘要：所述用於非週期性脈衝連續橫向結晶的系統和方法是關於處理薄膜。處理薄膜、同時朝選定方向推進薄膜的方法包括以第一雷射脈衝和第二雷射脈衝照射薄膜的第一區域、以及以第三雷射脈衝和第四雷射脈衝照射薄膜的第二區域，其中第一雷射脈衝與第二雷射脈衝的時間間隔小於第一雷射脈衝與第三雷射脈衝的時間間隔的一半。在一些實施例中，各脈衝提供塑形光束且具足以融熔整個薄膜厚度的注量而形成融熔區域，其於冷卻時橫向結晶。在一些實施例中，第一和第二區域為彼此相鄰。在一些實施例中，第一和第二區域為相隔一段距離。
简体摘要：所述用于非周期性脉冲连续横向结晶的系统和方法是关于处理薄膜。处理薄膜、同时朝选定方向推进薄膜的方法包括以第一激光脉冲和第二激光脉冲照射薄膜的第一区域、以及以第三激光脉冲和第四激光脉冲照射薄膜的第二区域，其中第一激光脉冲与第二激光脉冲的时间间隔小于第一激光脉冲与第三激光脉冲的时间间隔的一半。在一些实施例中，各脉冲提供塑形光束且具足以融熔整个薄膜厚度的注量而形成融熔区域，其于冷却时横向结晶。在一些实施例中，第一和第二区域为彼此相邻。在一些实施例中，第一和第二区域为相隔一段距离。

4. 发明专利

TW200947523A 薄膜之閃光式退火 FLASH LIGHT ANNEALING FOR THIN FILMS 审中-公开
简体标题：薄膜之闪光式退火 FLASH LIGHT ANNEALING FOR THIN FILMS
公开(公告)号：TW200947523A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098106719
申请日：2009-03-02
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會
发明人：埃恩詹姆士S , 凡迪爾偉特保羅C , 鄭于津
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02667 , H01L21/02425 , H01L21/02532 , H01L21/02609 , H01L21/02686 , H01L21/2686 , H01L21/67115 , H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/03762 , H01L31/03921 , H01L31/072 , H01L31/1804 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：一種製造結晶薄膜之方法包含：提供一薄膜，其包含在一基板上具有所選擇的晶體表面定向之晶種晶粒；使用一脈衝光源照射該薄膜，以在提供一混合的液相/固相之條件下提供該薄膜之脈衝熔化；以及允許該混合的固相/液相在提供一具有所選擇的表面定向之紋理化多晶層的條件下固化。可使用一或多種照射處理。該薄膜適於用在太陽電池中。
简体摘要：一种制造结晶薄膜之方法包含：提供一薄膜，其包含在一基板上具有所选择的晶体表面定向之晶种晶粒；使用一脉冲光源照射该薄膜，以在提供一混合的液相/固相之条件下提供该薄膜之脉冲熔化；以及允许该混合的固相/液相在提供一具有所选择的表面定向之纹理化多晶层的条件下固化。可使用一或多种照射处理。该薄膜适于用在太阳电池中。

5. 发明专利

TW201135807A 部分熔化膜之非週期性脈衝製程系統及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR NON-PERIODIC PULSE PARTIAL MELT FILM PROCESSING 审中-公开
简体标题：部分熔化膜之非周期性脉冲制程系统及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR NON-PERIODIC PULSE PARTIAL MELT FILM PROCESSING
公开(公告)号：TW201135807A
公开(公告)日：2011-10-16
申请号：TW099137825
申请日：2010-11-03
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會
发明人：埃恩詹姆士S , 鄧宜康 , 胡瓊英 , 鄭于津 , 利馬諾夫亞歷山大B
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02686 , B23K26/0081 , B23K26/083 , B23K2201/40 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/02691 , H01L21/268 , H01L21/67115 , H01L21/707 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66765 , H01L29/78678
摘要：在一態樣中，本發明是關於處理薄膜的方法，包括朝第一選定方向推進薄膜時，以第一雷射脈衝和第二雷射脈衝照射薄膜的第一區域，各雷射脈衝提供塑形光束且具足以部分熔融薄膜的注量，使得第一區域再固化並結晶形成第一結晶區域、以及以第三雷射脈衝和第四雷射脈衝照射薄膜的第二區域，各脈衝提供塑形光束且具足以部分熔融薄膜的注量，使得第二區域再固化並結晶形成第二結晶區域，其中第一雷射脈衝與第二雷射脈衝的時間間隔小於第一雷射脈衝與第三雷射脈衝的時間間隔的一半。
简体摘要：在一态样中，本发明是关于处理薄膜的方法，包括朝第一选定方向推进薄膜时，以第一激光脉冲和第二激光脉冲照射薄膜的第一区域，各激光脉冲提供塑形光束且具足以部分熔融薄膜的注量，使得第一区域再固化并结晶形成第一结晶区域、以及以第三激光脉冲和第四激光脉冲照射薄膜的第二区域，各脉冲提供塑形光束且具足以部分熔融薄膜的注量，使得第二区域再固化并结晶形成第二结晶区域，其中第一激光脉冲与第二激光脉冲的时间间隔小于第一激光脉冲与第三激光脉冲的时间间隔的一半。

6. 发明专利

TW200942935A 收集用於薄膜電晶體之橫向結晶化半導體島及其製造系統與方法 COLLECTIONS OF LATERALLY CRYSTALLIZED SEMICONDUCTOR ISLANDS FOR USE IN THIN FILM TRANSISTORS AND SYSTEMS AND METHODS FOR MAKING SAME 审中-公开
简体标题：收集用于薄膜晶体管之横向结晶化半导体岛及其制造系统与方法 COLLECTIONS OF LATERALLY CRYSTALLIZED SEMICONDUCTOR ISLANDS FOR USE IN THIN FILM TRANSISTORS AND SYSTEMS AND METHODS FOR MAKING SAME
公开(公告)号：TW200942935A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW097136335
申请日：2008-09-22
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會
发明人：埃恩詹姆士S , 鄭于津
IPC分类号： G02F , H01L
CPC分类号： H01L33/16 , H01L27/12 , H01L27/1281
摘要：本發明描述用於薄膜電晶體與系統中的大量橫向結晶半導體島，及其製造方法。一種顯示器元件包含複數個薄膜電晶體(TFTs)於一基板上，該些TFTs彼此相隔並各包含一通道區，該通道區具有一結晶微結構以及一通道電流沿著流動的方向。每一該些TFTs的通道區包含一結晶型晶粒，其橫跨該通道區沿其通道方向的長度。在每一該些TFTs之通道區中的各結晶型晶粒係與每一相鄰TFT之通道區中的各結晶型晶粒物理上不相連，且結晶型上不相互關連。
简体摘要：本发明描述用于薄膜晶体管与系统中的大量横向结晶半导体岛，及其制造方法。一种显示器组件包含复数个薄膜晶体管(TFTs)于一基板上，该些TFTs彼此相隔并各包含一信道区，该信道区具有一结晶微结构以及一信道电流沿着流动的方向。每一该些TFTs的信道区包含一结晶型晶粒，其横跨该信道区沿其信道方向的长度。在每一该些TFTs之信道区中的各结晶型晶粒系与每一相邻TFT之信道区中的各结晶型晶粒物理上不相连，且结晶型上不相互关连。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式