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1. 发明专利

TW200705613A 遮罩式唯讀記憶體結構之製造方法 METHOD OF MANUFACTURING MASK ROM 失效
简体标题：遮罩式唯读内存结构之制造方法 METHOD OF MANUFACTURING MASK ROM
公开(公告)号：TW200705613A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：TW094124776
申请日：2005-07-21
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：湯莉蘭 TANG, LI LAN , 羅琇方 LO, SHIU FANG , 周崇勳 JOU, CHOU SHIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/112 , H01L27/1122
摘要：本案係為一種遮罩式唯讀記憶體(Mask ROM)結構之製造方法,其步驟至少包含:(a)提供一基板,並形成複數個閘極結構於基板之上;(b)形成第一氧化層於基板之上,並覆蓋複數個閘極結構;(c)形成遮罩層於第一氧化層上,並部份蝕刻遮罩層,以形成寫入開口;(d)透過遮罩層,進行離子植入程序;(e)移除遮罩層,以曝露第一氧化層;(f)形成第二氧化層於第一氧化層之上;(g)部份蝕刻第二氧化層及第一氧化層,以部份曝露基板,而形成一金屬接觸開口;以及(h)形成一導接金屬層於金屬接觸開口之上,藉此所得到之遮罩式唯讀記憶體結構可有效避免損害閘極結構或造成金屬導線短路。
简体摘要：本案系为一种遮罩式唯读内存(Mask ROM)结构之制造方法,其步骤至少包含:(a)提供一基板,并形成复数个闸极结构于基板之上;(b)形成第一氧化层于基板之上,并覆盖复数个闸极结构;(c)形成遮罩层于第一氧化层上,并部份蚀刻遮罩层,以形成写入开口;(d)透过遮罩层,进行离子植入进程;(e)移除遮罩层,以曝露第一氧化层;(f)形成第二氧化层于第一氧化层之上;(g)部份蚀刻第二氧化层及第一氧化层,以部份曝露基板,而形成一金属接触开口;以及(h)形成一导接金属层于金属接触开口之上,借此所得到之遮罩式唯读内存结构可有效避免损害闸极结构或造成金属导线短路。

2. 发明专利

TWI269410B 遮罩式唯讀記憶體結構之製造方法 METHOD OF MANUFACTURING MASK ROM 失效
简体标题：遮罩式唯读内存结构之制造方法 METHOD OF MANUFACTURING MASK ROM
公开(公告)号：TWI269410B
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：TW094124776
申请日：2005-07-21
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：湯莉蘭 TANG, LI LAN , 羅琇方 LO, SHIU FANG , 周崇勳 JOU, CHOU SHIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/112 , H01L27/1122
摘要：本案係為一種遮罩式唯讀記憶體(Mask ROM)結構之製造方法，其步驟至少包含：(a)提供一基板，並形成複數個閘極結構於基板之上；(b)形成第一氧化層於基板之上，並覆蓋複數個閘極結構；(c)形成遮罩層於第一氧化層上，並部份蝕刻遮罩層，以形成寫入開口；(d)透過遮罩層，進行離子植入程序；(e)移除遮罩層，以曝露第一氧化層；(f)形成第二氧化層於第一氧化層之上；(g)部份蝕刻第二氧化層及第一氧化層，以部份曝露基板，而形成一金屬接觸開口；以及(h)形成一導接金屬層於金屬接觸開口之上，藉此所得到之遮罩式唯讀記憶體結構可有效避免損害閘極結構或造成金屬導線短路。
简体摘要：本案系为一种遮罩式唯读内存(Mask ROM)结构之制造方法，其步骤至少包含：(a)提供一基板，并形成复数个闸极结构于基板之上；(b)形成第一氧化层于基板之上，并覆盖复数个闸极结构；(c)形成遮罩层于第一氧化层上，并部份蚀刻遮罩层，以形成写入开口；(d)透过遮罩层，进行离子植入进程；(e)移除遮罩层，以曝露第一氧化层；(f)形成第二氧化层于第一氧化层之上；(g)部份蚀刻第二氧化层及第一氧化层，以部份曝露基板，而形成一金属接触开口；以及(h)形成一导接金属层于金属接触开口之上，借此所得到之遮罩式唯读内存结构可有效避免损害闸极结构或造成金属导线短路。

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