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1. 发明专利

TWI496195B 形成於基材上之金屬氧化物層及其製造方法有权
简体标题：形成于基材上之金属氧化物层及其制造方法
公开(公告)号：TWI496195B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW094137315
申请日：2005-10-25
申请人：河東田隆 , KATODA, TAKASHI
发明人：河東田隆 , KATODA, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C8/10 , C23C14/083 , C30B25/18 , C30B29/16 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02565 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02631

2. 发明专利

TWI392109B 形成於基底上之光子裝置及其製造方法有权
简体标题：形成于基底上之光子设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI392109B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW095101453
申请日：2006-01-13
申请人：河東田隆 , KATODA, TAKASHI
发明人：河東田隆 , KATODA, TAKASHI
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/0248
CPC分类号： H01L31/032 , H01L27/148 , H01L33/26 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/327 , H01S2304/00

3. 发明专利

TW200701450A 形成於基底上之電子裝置及其製造方法 ELECTRONIC DEVICES FORMED ON SUBSTRATES AND THEIR FABRICATION METHODS 审中-公开
简体标题：形成于基底上之电子设备及其制造方法 ELECTRONIC DEVICES FORMED ON SUBSTRATES AND THEIR FABRICATION METHODS
公开(公告)号：TW200701450A
公开(公告)日：2007-01-01
申请号：TW095101470
申请日：2006-01-13
申请人：河東田隆 KATODA, TAKASHI
发明人：河東田隆 KATODA, TAKASHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/267 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/732 , H01L29/74 , H01L29/812
摘要：本發明有關於包含形成於由已知半導體電子裝置中使用的材料構成之基底上之氧化鉬之電子裝置。本發明亦有關於於一般電子與光子裝置中已經使用的材料製成之基底上製造該電子裝置的新方法。適合的基底包含諸如例如矽與鍺之IV元件半導體、例如砷化鎵以及磷化鎵之III–V化合物半導體、例如氧化鋅之II–IV化合物半導體、IV化合物半導體、有機半導體、金屬晶體或它們的衍生物或玻璃之材料。
简体摘要：本发明有关于包含形成于由已知半导体电子设备中使用的材料构成之基底上之氧化钼之电子设备。本发明亦有关于于一般电子与光子设备中已经使用的材料制成之基底上制造该电子设备的新方法。适合的基底包含诸如例如硅与锗之IV组件半导体、例如砷化镓以及磷化镓之III–V化合物半导体、例如氧化锌之II–IV化合物半导体、IV化合物半导体、有机半导体、金属晶体或它们的衍生物或玻璃之材料。

4. 发明专利

TW200640043A 形成於基底上之光子裝置及其製造方法 PHOTONIC DEVICES FORMED ON SUBSTRATES AND THEIR FABRICATION METHODS 审中-公开
简体标题：形成于基底上之光子设备及其制造方法 PHOTONIC DEVICES FORMED ON SUBSTRATES AND THEIR FABRICATION METHODS
公开(公告)号：TW200640043A
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：TW095101453
申请日：2006-01-13
申请人：河東田隆 KATODA, TAKASHI
发明人：河東田隆 KATODA, TAKASHI
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L31/032 , H01L27/148 , H01L33/26 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/327 , H01S2304/00
摘要：本發明有關於發射或吸收短波長之光子裝置，其係由使用生長於一基底上之氧化鉬所形成，該基底係由選自IV元件半導體、III–V或II–IV化合物半導體、IV化合物半導體、有機半導體、金屬晶體或它們的衍生物或玻璃之材料構成。實現發射具有藍至深紫外線的波長之光線的新且不昂貴之光子裝置。
简体摘要：本发明有关于发射或吸收短波长之光子设备，其系由使用生长于一基底上之氧化钼所形成，该基底系由选自IV组件半导体、III–V或II–IV化合物半导体、IV化合物半导体、有机半导体、金属晶体或它们的衍生物或玻璃之材料构成。实现发射具有蓝至深紫外线的波长之光线的新且不昂贵之光子设备。

5. 发明专利

TW200534353A 突波保護裝置及其製造方法 A SURGE PROTECTOR DEVICE AND ITS FABRICATION METHOD 审中-公开
简体标题：突波保护设备及其制造方法 A SURGE PROTECTOR DEVICE AND ITS FABRICATION METHOD
公开(公告)号：TW200534353A
公开(公告)日：2005-10-16
申请号：TW094104515
申请日：2005-02-16
申请人：河東田隆 KATODA, TAKASHI
发明人：河東田隆 KATODA, TAKASHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01T4/02 , H01T4/10
摘要：本發明提供一改良的突波保護裝置及其製造方法。本發明的突波保護裝置基本上包含：複數金屬棒，該複數金屬棒經由一半導體晶體之連續的高電阻膜結合成兩毗鄰金屬棒間沒有間隙的單體；以及電極，形成於組成該單體之該金屬棒的端構件上。因此，本案之突波保護裝置被製造成在鄰近之金屬棒間沒有氣隙。結果是，本發明的突波保護裝置可按如下方式操作：當因為突波使跨於電極間之電壓超過臨限電壓時，由於伴隨該半導體晶體之空乏區內的崩潰，致使突波保護裝置從非導電狀態改變到導電狀態。以及，本發明之裝置的製造方法，其包含以下步驟：第一氧化步驟，用於氧化複數金屬棒，以保持該些金屬棒的接觸，使該些金屬棒被一半導體晶體之單一連續的高電阻膜結合成該些金屬棒中毗鄰之金屬棒間無任何間隙的單體；以及第二氧化步驟，用於氧化該些結合成單體的金屬棒，俾使該些金屬棒所組合成之該單體的整個表面上，形成有一高電阻膜。
简体摘要：本发明提供一改良的突波保护设备及其制造方法。本发明的突波保护设备基本上包含：复数金属棒，该复数金属棒经由一半导体晶体之连续的高电阻膜结合成两毗邻金属棒间没有间隙的单体；以及电极，形成于组成该单体之该金属棒的端构件上。因此，本案之突波保护设备被制造成在邻近之金属棒间没有气隙。结果是，本发明的突波保护设备可按如下方式操作：当因为突波使跨于电极间之电压超过临限电压时，由于伴随该半导体晶体之空乏区内的崩溃，致使突波保护设备从非导电状态改变到导电状态。以及，本发明之设备的制造方法，其包含以下步骤：第一氧化步骤，用于氧化复数金属棒，以保持该些金属棒的接触，使该些金属棒被一半导体晶体之单一连续的高电阻膜结合成该些金属棒中毗邻之金属棒间无任何间隙的单体；以及第二氧化步骤，用于氧化该些结合成单体的金属棒，俾使该些金属棒所组合成之该单体的整个表面上，形成有一高电阻膜。

6. 发明专利

TW200516768A 高雜質鉬氧化物形成之電子裝置 ELECTRONIC DEVICES FORMED OF HIGH-PURITY MOLYBDENUM OXIDE 审中-公开
简体标题：高杂质钼氧化物形成之电子设备 ELECTRONIC DEVICES FORMED OF HIGH-PURITY MOLYBDENUM OXIDE
公开(公告)号：TW200516768A
公开(公告)日：2005-05-16
申请号：TW093115853
申请日：2004-06-02
申请人：河東田隆 KATODA, TAKASHI
发明人：河東田隆 KATODA, TAKASHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/227 , H01L29/22 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/732 , H01L29/74 , H01L29/812
摘要：本發明係關於電子裝置，其中在該電子裝置之至少一部分中係包含高純度鉬氧化物。依照本發明之裝置係諸如一雙極電晶體、一場效電晶體及一閘流體，其具有一高耐受電壓。本發明亦關於利用高純度鉬氧化物所形成之惡劣環境電子裝置。依照本發明之裝置可以在諸如700℃之較低溫度下來製造，此溫度比製造GaN或SiC裝置之溫度(高於1000℃)還要低。
简体摘要：本发明系关于电子设备，其中在该电子设备之至少一部分中系包含高纯度钼氧化物。依照本发明之设备系诸如一双极晶体管、一场效应管及一晶闸管，其具有一高耐受电压。本发明亦关于利用高纯度钼氧化物所形成之恶劣环境电子设备。依照本发明之设备可以在诸如700℃之较低温度下来制造，此温度比制造GaN或SiC设备之温度(高于1000℃)还要低。

7. 发明专利

TWI413250B 半導體電子裝置有权
简体标题：半导体电子设备
公开(公告)号：TWI413250B
公开(公告)日：2013-10-21
申请号：TW095101470
申请日：2006-01-13
申请人：河東田隆 , KATODA, TAKASHI
发明人：河東田隆 , KATODA, TAKASHI
IPC分类号： H01L29/00
CPC分类号： H01L29/267 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/732 , H01L29/74 , H01L29/812

8. 发明专利

TW200629382A 形成於基材上之金屬氧化物層及其製造方法 METAL OXIDE LAYER FORMED ON SUBSTRATES AND ITS FABRICATION METHODS 审中-公开
简体标题：形成于基材上之金属氧化物层及其制造方法 METAL OXIDE LAYER FORMED ON SUBSTRATES AND ITS FABRICATION METHODS
公开(公告)号：TW200629382A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：TW094137315
申请日：2005-10-25
申请人：河東田隆 KATODA, TAKASHI
发明人：河東田隆 KATODA, TAKASHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C8/10 , C23C14/083 , C30B25/18 , C30B29/16 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02565 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02631
摘要：本發明係關於包含成長於一基材上的金屬氧化物之新穎半導體薄膜及其製造方法。金屬氧化物係由氧化鉬所構成，該氧化鉬非常有用於製造具有高耐受電壓的電子裝置及光子和電子敵意性環境裝置。本發明的一重要方面為在由已用於一般電子或光子裝置中的材料所製成的基材上形成該氧化鉬薄膜。最普遍的材料為矽。本發明的另一重要方面為一種在基材上形成氧化鉬薄膜之新穎方法。
简体摘要：本发明系关于包含成长于一基材上的金属氧化物之新颖半导体薄膜及其制造方法。金属氧化物系由氧化钼所构成，该氧化钼非常有用于制造具有高耐受电压的电子设备及光子和电子敌意性环境设备。本发明的一重要方面为在由已用于一般电子或光子设备中的材料所制成的基材上形成该氧化钼薄膜。最普遍的材料为硅。本发明的另一重要方面为一种在基材上形成氧化钼薄膜之新颖方法。

9. 发明专利

TW200501461A 以高純度氧化鉬製成之光子裝置 PHOTONIC DEVICES FORMED OF HIGH-PURITY MOLYBDENUM OXIDE 失效
简体标题：以高纯度氧化钼制成之光子设备 PHOTONIC DEVICES FORMED OF HIGH-PURITY MOLYBDENUM OXIDE
公开(公告)号：TW200501461A
公开(公告)日：2005-01-01
申请号：TW093115367
申请日：2004-05-28
申请人：河東田隆 KATODA, TAKASHI
发明人：河東田隆 KATODA, TAKASHI
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L33/26 , H01L31/0264 , H01S5/32 , H01S5/327
摘要：本發明著眼於光子裝置，此發射或吸收具有波長短於GaN光子裝置可發射或吸收者之光。本發明之裝置使用高純度之氧化鉬作為發光區或吸光區製成。達成新低廉之光子裝置，此發射具有波長自藍至深紫外線之光。本發明之裝置可在較低之溫度，諸如700℃上製造。
简体摘要：本发明着眼于光子设备，此发射或吸收具有波长短于GaN光子设备可发射或吸收者之光。本发明之设备使用高纯度之氧化钼作为发光区或吸光区制成。达成新低廉之光子设备，此发射具有波长自蓝至深紫外线之光。本发明之设备可在较低之温度，诸如700℃上制造。

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